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[实用新型]半导体气体传感器-CN201320818836.3有效
发明人：张克栋;徐红艳;崔铮 -专利权人：苏州纳格光电科技有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极、以及位于所述加热电极形成的热场中的信号感测电极，所述加热电极和所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极包括邻近所述信号感测电极主加热部以及相对远离所述信号感测电极的次加热部；其中，所述主加热部的电阻大于所述次加热部的电阻。本实用新型提供的半导体气体传感器通过将加热电极中邻近信号感测电极的主加热部设置为相对远离信号感测电极的次加热部具有更大的电阻，保证了加热电极产生的热量的更有效利用，降低了表面功耗损失，进而降低了传感器功耗。
半导体气体传感器

[发明专利]半导体气体传感器-CN201310677656.2有效
发明人：张克栋;徐红艳;崔铮 -专利权人：苏州纳格光电科技有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极、以及位于所述加热电极形成的热场中的信号感测电极，所述加热电极和所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极包括邻近所述信号感测电极主加热部以及相对远离所述信号感测电极的次加热部；其中，所述主加热部的电阻大于所述次加热部的电阻。本发明提供的半导体气体传感器通过将加热电极中邻近信号感测电极的主加热部设置为相对远离信号感测电极的次加热部具有更大的电阻，保证了加热电极产生的热量的更有效利用，降低了表面功耗损失，进而降低了传感器功耗。
半导体气体传感器

[发明专利]半导体气体传感器-CN201310681936.0无效
发明人：张克栋;徐红艳;崔铮 -专利权人：苏州纳格光电科技有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的信号感测电极，所述信号感测电极包括两个导电电极、以及电性连接所述两个导电电极的功能层；设置在所述表面的加热电极，所述加热电极与所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极环绕所述信号感测电极设置。本发明提供的半导体气体传感器，通过将加热电极环绕信号感测电极设置，可以保证信号感测电极处于加热电极产生的均匀热场中，加热效果稳定，可以有效地提高传感器的响应速率。
半导体气体传感器

[发明专利]纳米金属氧化物功能化碳纳米管材料及甲醛气体传感器-CN201310681109.1在审
发明人：徐红艳;张克栋;崔铮 -专利权人：苏州纳格光电科技有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G01N27/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种纳米金属氧化物功能化碳纳米管材料及应用该材料制备的甲醛气体传感器，其中该材料包括碳纳米管和氧化镍，所述碳纳米管和氧化镍的质量比为1:0.1~1:30。本发明提供的纳米金属氧化物功能化碳纳米管材料通过其中碳纳米管和氧化镍的特殊配比，使其作为气敏材料应用于甲醛气体传感器中时，可以对于甲醛气体有很好的响应，并且，材料的成本相对较低，可以有利于甲醛气体传感器的产业化实施。
纳米金属氧化物功能管材料及甲醛气体传感器

[发明专利]半导体气体传感器及其制备方法-CN201310677638.4有效
发明人：张克栋;徐红艳;崔铮 -专利权人：苏州纳格光电科技有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体气体传感器及其制备方法，其中该半导体气体传感器包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极；位于所述加热电极形成的热场内的信号感测电极，所述信号感测电极包括导电电极以及电性连接所述导电电极的气敏材料；其中，所述加热电极和所述信号感测电极之间设置有绝缘介质层。本发明提供的半导体气体传感器通过采用喷墨印刷的方式制备绝缘介质层，可以大大减少传感器的生产成本，并且，喷墨印刷的分辨率高，可以精确定位印刷设计好的图案，工艺流程简单。
半导体气体传感器及其制备方法

[发明专利]二氧杂蒽嵌蒽类含氧稠环化合物的批量化绿色合成方法-CN201310339497.5有效
发明人：邱松;吕娜;崔铮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C07D493/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧杂蒽嵌蒽类含氧稠环化合物的批量化绿色合成方法，包括：将含双羟基的反应原料溶于高沸点溶剂中，并加入固态钯催化剂，而后将反应体系在空气环境中于150-280℃加热回流，反应结束后从反应体系中分离出固态钯催化剂，并对余留的液态混合反应物进行重结晶处理，获得二氧杂蒽嵌蒽类含氧稠环化合物。优选的，该方法还包括：在加热回流反应的过程中，向反应体系内通入空气或氧气；以及在反应结束后，回收利用钯催化剂和高沸点溶剂。本发明至少具有以下优点：(1)反应操作简单，反应条件温和；(2)可避免使用毒性较高的溶剂，且反应溶剂和催化剂均可以循环利用，绿色环保；(3)反应产率高，产物易于分离纯化，易于工业化大批量实施。
二氧杂蒽嵌蒽类含氧稠环化批量绿色合成方法

[发明专利]新型有机半导体材料、其制备方法及应用-CN201310339733.3有效
发明人：邱松;周春山;吕娜;崔铮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型有机半导体材料、其制备方法及应用。该有机半导体材料具有如下结构式：其制备方法包括：以萘或含有萘结构的衍生物作为起始原料，依次经1，5位官能化反应，再通过与芳香基团的偶联反应，获得含有酚羟基的、且以1，5-二芳基萘为核心的化合物，其后进行闭环反应，获得所述新型有机半导体材料。本发明的新型有机半导体材料具有良好环境稳定性及光电性能，同时还具有很好的溶液加工性能，易于制备，且便于进行后续修饰处理，可在有机发光二级管、有机薄膜晶体管和有机光传感器等各类半导体电子、光电器件中广泛应用。
新型有机半导体材料制备方法应用

[发明专利]选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及应用-CN201310077635.7无效
发明人：王超;赵建文;徐文亚;崔铮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种选择性消除商业化碳纳米管中金属碳纳米管的方法及其应用，该方法包括：取商业化单壁碳纳米管均匀分散于含表面活性剂的水中，形成碳纳米管分散液；而后在超声辅助下，向碳纳米管分散液中加入重氮盐，直至完全去除其中的金属性碳纳米管；该方法可应用于纯化半导体碳纳米管，继而制备印刷薄膜晶体管等器件。本发明实现了多种商业化单壁碳纳米管中金属碳纳米管的快速消除，工艺简单、操作方便、成本低、重复性好、可大规模工业化生产，所获碳纳米管墨水可以直接用于构建印刷半导体器件，并且器件性能经退火处理后可大幅度提高，为全印刷薄膜晶体管、逻辑电路等器件的构建以应用，如RFID、太阳能电池、液晶显示器、化学、生物传感等奠定了坚实基础。
选择性消除商业化纳米金属方法应用

[实用新型]导电膜以及包含该导电膜的触摸屏-CN201320070236.3有效
发明人：高育龙;崔铮;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种导电膜，包括基片、第一基质层、第一导电层、第二基质层及第二导电层。基片包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面。第一基质层附着于第一表面，第一导电层嵌设于第一基质层内。第二基质层附着于第一基质层上远离基片的一侧，第二导电层嵌设于第二基质层内。由于在第一导电层与第二导电层之间便可形成电容，故采用上述导电膜制备触摸屏时，无需将两个导电膜进行粘合，只需将上述导电膜贴附于玻璃面板上即可。因此，利用上述导电膜制备的触摸屏具有较小的厚度。此外，本实用新型还提供一种包含该导电膜的触摸屏。
导电以及包含触摸屏

[实用新型]导电膜以及包含该导电膜的触摸屏-CN201320070303.1有效
发明人：高育龙;崔铮;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种导电膜，包括基片、第一导电层、基质层及第二导电层。基片包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面，第一导电层嵌设于基片内。基质层附着于基片的第一表面，基质层由涂覆于第一表面的胶状物固化形成。第二导电层嵌设于基质层内，第二导电层通过基质层与第一导电层绝缘。由于在第一导电层与第二导电层之间便可形成电容，因此，采用上述导电膜制备触摸屏时，无需将两个导电膜进行粘合，只需将上述导电膜贴附于玻璃面板上即可。此外，基质层由涂覆于基片上的胶状物固化形成，其厚度远小于基片。因此，利用上述导电膜制备的触摸屏具有较小的厚度。此外，本实用新型还提供一种包含该导电膜的触摸屏。
导电以及包含触摸屏

[发明专利]导电膜及其制备方法以及包含该导电膜的触摸屏-CN201310048421.7有效
发明人：高育龙;崔铮;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种导电膜，包括基片、第一基质层、第一导电层、第二基质层及第二导电层。基片包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面。第一基质层附着于第一表面，第一导电层嵌设于第一基质层内。第二基质层附着于第一基质层上远离基片的一侧，第二导电层嵌设于第二基质层内。由于在第一导电层与第二导电层之间便可形成电容，故采用上述导电膜制备触摸屏时，无需将两个导电膜进行粘合，只需将上述导电膜贴附于玻璃面板上即可。因此，利用上述导电膜制备的触摸屏具有较小的厚度。此外，本发明还提供一种导电膜的方法以及包含该导电膜的触摸屏。
导电及其制备方法以及包含触摸屏

[实用新型]一种基材的塞孔装置-CN201220659370.2有效
发明人：张晟;高育龙;崔铮 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基材的塞孔装置，属于基材塞孔设备技术领域。其技术要点包括用于放置待塞孔基材的支撑平台，被塞孔材料补料机构、余料回收机构，其中所述的支撑平台上方设有竖直运动单元，竖直运动单元连接有水平驱动装置，在竖直运动单元的自由端设有塞孔头，所述的塞孔头具有锐利边缘、直接作用于基材表面实现水平方向塞孔；本实用新型旨在提供一种结构紧凑、塞孔效果好、间歇式基材的塞孔装置，用于孔和凹坑宽度小于10μm基材的塞孔。
一种基材装置

[发明专利]商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法及其应用-CN201210563804.3有效
发明人：赵建文;王超;钱龙;徐文亚;崔铮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法及其应用。该分离方法包括：在温度≤0℃的条件下，将商业化大管径碳纳米管分散于含聚合物的有机溶液中，获得分散均一的碳纳米管溶液；以及，对碳纳米管溶液进行离心处理，离心速度大于10000g，离心时间在30min以上，分离出上层清液，获得富集的大管径半导体碳纳米管。前述分离方法可应用于构建半导体器件，包括：将富集大管径半导体碳纳米管的溶液施加至基材表面，构建半导体器件。本发明工艺简单高效，易于实施，成本低廉，选择性高，且所获大管径半导体碳纳米管可构建出性能优越的半导体器件，本发明可被应用于大规模商业化生产高性能可印刷半导体碳纳米管墨水和高性能的印刷电子器件。
商业化大管径 cnt 半导体选择性分离方法及其应用

[实用新型]具有线形材料的导电电极、电子器件-CN201220662009.5有效
发明人：崔铮;林剑;孙超 -专利权人：苏州纳格光电科技有限公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种具有线形材料的导电电极、电子器件以及制备该电子器件的方法。其中该导电电极包括：分离设置的正电极和负电极；功能层，该功能层连接所述正电极和所述负电极，所述功能层包括线形材料。本实用新型的导电电极通过设置分离的正电极和负电极，并进一步通过包含线形材料的功能层连接该正电极和负电极，使得采用该导电电极的电子器件的电学性能的均一性得到显著提高。
具有线形材料导电电极电子器件

[发明专利]导电膜及其制备方法以及包含该导电膜的触摸屏-CN201310048682.9有效
发明人：高育龙;崔铮;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种导电膜，包括基片、第一导电层、基质层及第二导电层。基片包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面，第一导电层嵌设于基片内。基质层附着于基片的第一表面，基质层由涂覆于第一表面的胶状物固化形成。第二导电层嵌设于基质层内，第二导电层通过基质层与第一导电层绝缘。由于在第一导电层与第二导电层之间便可形成电容，因此，采用上述导电膜制备触摸屏时，无需将两个导电膜进行粘合，只需将上述导电膜贴附于玻璃面板上即可。此外，基质层由涂覆于基片上的胶状物固化形成，其厚度远小于基片。因此，利用上述导电膜制备的触摸屏具有较小的厚度。此外，本发明还提供一种导电膜的制备方法以及包含该导电膜的触摸屏。
导电及其制备方法以及包含触摸屏