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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810381970.9有效
发明人：李多淳;崔莹石;朴廷珪;李吉浩;郑显泰;郑明安;闵禹植;姜泌洆 -专利权人：启方半导体有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在衬底中的深沟槽；在深沟槽的侧表面上的侧壁绝缘膜；在侧壁绝缘膜上的层间绝缘膜；以及在层间绝缘膜中的气隙。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410119387.2有效
发明人：李多淳;崔莹石;朴廷珪;李吉浩;郑显泰;郑明安;闵禹植;姜泌洆 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在衬底中的深沟槽；在深沟槽的侧表面上的侧壁绝缘膜；在侧壁绝缘膜上的层间绝缘膜；以及在层间绝缘膜中的气隙。
半导体器件侧壁绝缘膜层间绝缘膜深沟槽侧表面衬底气隙制造

[发明专利]隔离结构、具有其的半导体器件及制造该隔离结构的方法-CN201210212313.4有效
发明人： 崔莹石;郑显泰;朴应烈;李多淳 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了半导体的隔离结构、具有其的半导体器件以及制造所述隔离结构的方法。半导体器件的隔离结构可以包括形成在衬底中的沟槽、形成在所述沟槽的底表面和内侧壁上的氧化物层、形成在所述氧化物层上以填充所述沟槽的内部的一部分的填充物、以及填充所述沟槽的填充物的上部至高于所述沟槽的上表面的高度的第四氧化物层，在所述内侧壁与所述氧化物层之间的边界区域上形成有底切结构。
隔离结构具有半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010565374.X有效
发明人：车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括有源区，该有源区设置在衬底上，包括相互间形成结的第一导电类型的第一深阱和第二导电类型的第二深阱。栅电极在所述结上且在所述第一导电类型的第一深阱的一部分和所述第二导电类型的第二深阱的一部分上延伸。第二导电类型的源区在所述栅电极的一侧，且位于所述第一导电类型的第一深阱中，而第二导电类型的漏区在所述栅电极的另一侧，且位于所述第二导电类型的第二深阱中。第一导电类型的杂质区位于所述第一导电类型的第一深阱中，包围所述第二导电类型的源区并且朝向所述结延伸，以与所述栅电极部分交叠和/或与所述第二导电类型的源区部分交叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201010541059.3有效
发明人：车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括具有一或多个有源区的衬底及隔离层，该隔离层经形成而包围有源区并比所述一或多个有源区更深地延伸至所述衬底中。所述半导体装置进一步包括栅电极，该栅电极覆盖所述有源区的一部分，且具有在所述隔离层上方延伸的一个末端部分。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201010529217.3有效
发明人：车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：配置在衬底上的第二导电类型阱、配置在所述第二导电性阱上的第一导电类型主体区、与所述第一导电类型主体区的一部分重叠的栅极电极、以及形成在所述衬底上并与所述栅极电极的一部分重叠的第一导电类型沟道扩展区。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201010265546.1有效
发明人：车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：在衬底上方配置以便相互接触的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；在所述衬底上方的配置于所述第一导电类型的第一阱接触所述第二导电类型的第二阱的界面中的第二导电类型的抗扩散区；和在所述衬底上方的配置成同时跨过所述第一导电类型的第一阱、所述第二导电类型的抗扩散区和所述第二导电类型的第二阱的栅极电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201010539006.8有效
发明人：车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第二导电类型的深阱，该第二导电类型的深阱配置在衬底上方。该深阱包括离子注入区及扩散区。第一导电类型的第一阱形成在扩散区中。栅电极延伸在离子注入区及扩散区的部分之上，且与第一阱部分地重叠。离子注入区具有均匀杂质浓度，而扩散区的杂质浓度自在离子注入区与扩散区之间的边界界面处的最高浓度变化至在扩散区的最远离该边界界面的部分处的最低。
半导体装置

[发明专利]半色调掩模板及其制造方法-CN200710175648.2无效
发明人：刘圣烈;崔莹石 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半色调掩模板及其制造方法，半色调掩模板包括基板，基板设有非透射区域、半透射区域和透射区域，非透射区域设置有第一掩模材料层，半透射区域设置有可调节透射率的第二掩模材料层，第一掩模材料层位于基板的一面，第二掩模材料层位于基板的另一面。半色调掩模板的制造方法，括分别在基板的二面上形成作为非透射区域的第一掩模材料层和作为半透射区域的第二掩模材料层。本发明有效解决了半透射区域出现材料层重叠沉积的现象和蚀刻工艺中所使用的蚀刻物质和已形成的材料层产生化学反应的现象，从而提高了半色调掩模板的质量。
色调模板及其制造方法

[发明专利]反透过型阵列基板-CN200710175207.2有效
发明人：刘圣烈;崔莹石;柳在一 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及一种反透过型阵列基板，包括：玻璃基板和阵列主体，玻璃基板包括相对的第一面和第二面，在玻璃基板第一面形成压花，在压花上设置反射板；在玻璃基板第二面设置阵列主体。本发明有效解决了现有的反透过型阵列基板在设计过程中树脂层厚度、钝化层厚度、液晶盒间隙等各参数设定困难的缺陷，并且提高了液晶显示装置的质量。
透过阵列

[发明专利]设置有气体墙的蚀刻基板-CN200710175205.3有效
发明人： 崔莹石;刘圣烈 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种设置有气体墙的蚀刻基板，蚀刻基板设有中部区域和周边区域，蚀刻基板的周边区域设置至少一个通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板接触密度的喷射装置。本发明蚀刻Al时开启喷射装置形成气体墙、蚀刻其他材料时关闭喷射装置，使得同一个蚀刻基板既可以用来蚀刻Al也可以用来蚀刻其他材料，实现了一种蚀刻基板可以蚀刻多种不同特性的材料。
设置气体蚀刻

[发明专利]反透过型阵列基板及其制造方法-CN200710175211.9有效
发明人：刘圣烈;崔莹石 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及一种反透过型阵列基板及其制造方法。反透过型阵列基板包括软基板和在软基板上设置的阵列主体，软基板设有透射区域和反射区域，在软基板的反射区域形成有压花，在压花上设有反射板，压花和反射板与阵列主体位于软基板的同一面。反透过型阵列基板的制造方法包括在软基板上形成压花和在软基板上形成阵列主体，其中在软基板上形成压花具体为：步骤101、设置软基板和针床，软基板设有透射区域和反射区域，加热针床至150摄氏度～200摄氏度；步骤102、将针床印压在软基板的反射区域形成压花；步骤103、在压花上形成反射板。本发明解决现有技术反透过型阵列基板的各项参数设定难度过大的问题，降低反透过型阵列基板的制造成本。
透过阵列及其制造方法

[发明专利]带有加热结构的平板显示装置-CN200710122515.9有效
发明人：金原奭;柳在一;崔莹石 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有加热结构的平板显示装置，包括玻璃基板和形成在玻璃基板上的加热结构层，加热结构层上设置有显示板，加热结构层包括：成膜在玻璃基板上并设置第一电源线的第一薄膜，涂布在第一薄膜上的导电树脂发热层，成膜在导电树脂发热层上并设置第二电源线的第二薄膜，涂布在第二薄膜上的绝缘膜，连接第一电源线和第二电源线的电源装置。本发明有效解决了现有技术额外设置加热装置带来的产品单价上升及厚度、重量增加等问题，同时也解决了因设置外部加热装置导致绝缘层对氧气的渗透及湿度调节能力差使加热装置功能丧失的技术缺陷，实现了不增加外置的加热装置也可以在极低温环境下或航天器中能正常运行的平板显示装置。
带有加热结构平板显示装置

[发明专利]电致发光显示面板-CN200710122169.4有效
发明人： 崔莹石;刘圣烈;柳在一;金度亨;金原奭 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种电致发光显示面板，包括矩阵排列的像素，每个像素由红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素组成，所述蓝色亚像素至少包括每帧交替使用其中一个的第一蓝色子亚像素和第二蓝色子亚像素。本发明通过设置至少二个蓝色子亚像素交替使用，使蓝色亚像素整体使用寿命延长。进一步地，通过将像素结构设置成块状，使每个蓝色子亚像素与红色亚像素和绿色亚像素的距离相当，且具有面积对称，位置对称和显像对称等特点，因此大幅度提高了画面解析度，使本发明将高使用寿命和高画面解析度有机地结合在一起。
电致发光显示面板

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