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[发明专利]一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法-CN202310682228.2在审
发明人：余丙军;陈婷婷;林宇;刘仁星;崔立聪;何旺;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01F33/301 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法，通过刻划、刻蚀、等离子处理、封装，形成具有粗细交错正弦结构的微混合器，该微混合器具有开口宽度不一的微通道，微通道呈正弦结构状，微通道的上开口大于底部宽度，微通道的纵向截面包括v型截面和上大下小的梯形截面；根据设计要求，微通道的纵向截面由v型截面和梯形截面相互交替过渡渐变，对应的深度也对应相互交替过渡渐变，从而形成粗细交错正弦结构。本发明制备方法简单易操作，制备成本低，在制备过程中控制划痕过程中非晶的形成，制得的三维正弦微混合器能加强液体对流，从而大幅提升混合效率，可有效提升微流控芯片的应用性能，可广泛用于加工微流控芯片的生产。
一种具有粗细交错正弦结构高效混合器及其制备方法

[发明专利]一种金属微纳结构的制备及转印方法-CN202310327573.4在审
发明人：余丙军;崔立聪;陈婷婷;朱杰;甘寅锴;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属微纳结构的制备及转印方法，包括以下步骤：S1、采用旋涂设备在洁净的单晶硅表面涂覆形成掩膜层；S2、采用机械刻划设备在经步骤S1处理后的单晶硅表面进行刻划（图案化）；S3、采用混合镀液在单晶硅表面进行金属定向沉积，沉积完成后对掩膜表面进行清洗，去除多余镀液；S4、采用液态PDMS浇铸于单晶硅表面，再加热固化；固化完成后与单晶硅分离，获得高质量的金属微纳结构。该方法能够实现PDMS表面任意二维结构的加工，操作较为简单，成本较低；同时，本方法的加工过程在常温常压下进行，加工后的金属镀液易处理；此外，本方法制备的图案化单晶硅可作为模板重复使用，且能保证金属微纳结构较高的重现性。
一种金属结构制备方法

[发明专利]用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用-CN202211029524.4在审
发明人：余丙军;吴磊;陈婷婷;崔立聪;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用，该方法的加工步骤为：首先采用微纳刻划设备对单晶硅样品进行刻划，再置入硅烷和乙醇的混合溶液中，使硅烷分子充分吸附在刻划区域；然后采用刻蚀溶液对单晶硅样品进行选择性刻蚀，刻蚀出具有微米级高度和厘米级长度的硅凸结构；再采用微纳刻划设备刻划具有硅凸结构的单晶硅表面，然后再次选择性刻蚀，从而形成具有纳米级高度的凸结构，完成混合尺度纳凸模具结构加工。本发明利用两次扫描探针技术实现了单晶硅表面具有混合尺度特征的凸模具集成加工，加工流程简单、成本低，可以提高纳流体芯片的生产效率。
用于混合尺度流体芯片模具制备方法应用

[发明专利]基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法-CN202111523663.8在审
发明人：余丙军;彭勇;崔立聪;高健;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，包括以下步骤：S1、衬底预处理；S2、掩膜制备及图案化；S3、活性基底制备；S4、微流控SERS芯片封装，制备得到微流控SERS芯片；通过刻划结合金属辅助化学刻蚀在半导体衬底上简单快捷地制备出具有嵌套结构的微通道，嵌套结构经沉积金属颗粒即可形成微流道中具有拉曼光谱增强效果的活性基底。总体而言，本发明所述加工方法具有工艺简单、加工效率高、成本低的特点，可规模化生产。本发明所制备的微流控SERS芯片具有较高的表面增强拉曼光谱活性、能实现对纳摩尔浓度生化物质的快速、高效、高灵敏度检测，具有很强的实用价值和广阔的应用前景，值得在业内推广。
基于划痕诱导选择性刻蚀微流控 sers 芯片制备方法