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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅籽晶粘接方法-CN202310886307.5在审
发明人： 崔殿鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。
碳化硅籽晶方法

[发明专利]碳化硅籽晶粘接方法-CN202011260313.2有效
发明人： 崔殿鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。
碳化硅籽晶方法

[发明专利]半导体处理设备及目标物生长的加热方法-CN202210090120.X在审
发明人： 崔殿鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体处理设备及目标物生长的加热方法，能够优化制备的目标物的质量，减少目标物中的缺陷。半导体处理设备包括：反应腔室，包括在反应腔室轴向上依次设置的第一端和第二端，且目标物形成于第一端；加热模块，包括：第一加热器，设置在第一端上方，并至少具有沿目标物的第一生长方向分布的热辐射面；第二加热器，设置在第一端侧面，并至少具有沿目标物的第二生长方向分布的热辐射面；第三加热器，设置在第二端下方，并至少具有沿目标物的第二生长方向分布的热辐射面；第四加热器，设置在第二端侧面，并至少具有沿目标物的第一生长方向分布的热辐射面；第一加热器、第二加热器、第三加热器以及第四加热器的加热功率相互独立。
半导体处理设备目标生长加热方法

[发明专利]碳化硅单晶生长装置-CN202010657683.3有效
发明人： 崔殿鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚用于盛装碳化硅粉料，并通过对所述碳化硅粉料进行加热，以使所述碳化硅粉料升华分解为气相组分；籽晶托，用于盛装能够生长碳化硅单晶的籽晶；导热容器，包括容器壁和空腔，所述导热容器设置于所述石墨坩埚内，所述空腔用于容纳含硅粉料，所述容器壁用于将所述石墨坩埚的热量传导至所述空腔中，以使所述纳含硅粉料在吸收热量后产生的气相组分能够缓释到所述石墨坩埚里的所述碳化硅粉料中。实现在碳化硅单晶生长过程中补充气相硅组分，减少碳化硅粉料碳化的同时，保持晶体生长区域的碳、硅组分比不变，减少碳化硅单晶中的碳包裹物缺陷，提高碳化硅单晶生长质量。
碳化硅生长装置

[实用新型]排气装置及半导体设备-CN201922056924.4有效
发明人： 崔殿鹏;徐强;张涛;关亚懦 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种排气装置及半导体设备，该排气装置应用于半导体设备，包括排气管道、阀门及第一检测组件，其中，所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置；所述阀门设置于所述排气管道上；所述第一检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。应用本实用新型可以确定排气管道及阀门的堵塞状态，防止工艺腔室压力过大，甚至发生爆炸等，从而保护反应腔室的安全。
排气装置半导体设备

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