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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜沉积方法-CN202211082586.1在审
  • 申晙惺;崔暎喆;金东鹤 - 圆益IPS股份有限公司
  • 2022-09-06 - 2023-05-05 - C23C16/505
  • 本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。
  • 薄膜沉积方法
  • [发明专利]非晶硅膜的形成方法-CN201811275135.3有效
  • 辛昌学;崔暎喆 - 圆益IPS股份有限公司
  • 2018-10-30 - 2023-03-14 - H01L21/02
  • 本发明提供一种非晶硅膜的形成方法，包括：第一步骤，在对腔室未施加用于形成等离子体的电源的状态下，向形成有下部膜的基板供应反应气体以及惰性气体并进行气体稳定化；第二步骤，在对所述腔室施加功率在500至700W的高频(HF)电源的同时施加功率低于所述高频电源的功率的低频(LF)电源形成所述反应气体的等离子体，利用该等离子体在所述下部膜上沉积非晶硅膜；第三步骤，向所述腔室内供应吹扫气体；第四步骤，抽吸所述腔室。
  • 非晶硅膜形成方法
  • [发明专利]非晶质硅膜的形成方法-CN201710201313.7有效
  • 崔暎喆 - 圆益IPS股份有限公司
  • 2017-03-30 - 2021-08-13 - H01L21/3205
  • 本发明提供一种非晶质硅膜的形成方法，并且包括如下步骤：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，为了改善所述非晶质硅膜的蚀刻速率或者表面粗糙度，利用等离子体激活后处理气体，在所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理，其中所述后处理气体包含氮基和氧基中至少任意一种；净化步骤，供给净化气体至所述腔室内；及抽吸步骤，抽吸所述腔室。
  • 非晶质硅膜形成方法
  •  1 
  • 共 3 条
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