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[发明专利]埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置-CN03103470.5有效
发明人：泉勝俊;中尾基;大林義昭;峯啓治;平井誠作;条邊文彥;田中智之 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的目的是在SOI衬底上廉价且方便地形成单晶碳化硅薄膜。第一步是，把表面硅层薄膜130厚度不大于10nm并且带有埋置绝缘体120的SOI衬底100放置到加热炉200中，通过将氢气G1和碳氢气体G2的混合气体(G1+G2)输送到上述加热炉200中增加加热炉200中的气体温度，这样上述SOI衬底100的表面硅层130变形为单晶碳化硅薄膜140；第二步是，通过过分地执行上述第一个步骤在上述单晶碳化硅薄膜140上沉积碳薄膜150；第三个步骤是，用以预定比率混合氧气G3的惰性气体G4代替上述混合气体(G1+G2)，然后将上述SOI衬底100加热到550℃或更高，这样通过蚀刻除去上述碳薄膜150；第四个步骤是用不混合氧气G3的纯惰性气体G4取代上述其中混合氧气G3的惰性气体G4的步骤，并且将上述加热炉200中的大气温度升高到预定的温度；第五个步骤是在保持上述大气预定温度的条件下，将氢气G1和硅烷气G5加入加热炉200中，这样使新的单晶碳化硅薄膜160生长在上述SOI衬底100的表面上的单晶碳化硅薄膜140上。
绝缘体型半导体碳化硅衬底制作方法制作装置

[发明专利]单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备-CN02122817.5无效
发明人：泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯啓治;条邉文彦 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1－G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置500和控制成膜室200温度的温控装置400。
碳化硅薄膜制造方法设备

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