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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置-CN202211007125.8在审
发明人：今藤敏和;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置。本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。
薄膜晶体管及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置-CN201810285306.4有效
发明人：今藤敏和;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。
薄膜晶体管及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201510102867.2有效
发明人：山崎舜平;小山润;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治;中村康男;菅尾惇平;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510430056.5有效
发明人：坂田淳一郎;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于提供一种具有电特性稳定的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反交错型薄膜晶体管的半导体装置中，在氧化物半导体层上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的沟道形成区与源电极层及漏电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的沟道形成区上的区域的导电率低于半导体层的沟道形成区的导电率，并且接触于源电极层及漏电极层的区域的导电率高于半导体层的沟道形成区的导电率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510142874.5有效
发明人：山崎舜平;宫永昭治;高桥正弘;岸田英幸;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-06 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底之上的栅电极层；所述栅电极层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层中的每一个与所述氧化物半导体层接触；所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层，所述绝缘层包含氧和硅；以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第一区域，其中，所述第一区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少一种金属元素。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件、显示装置和电子电器-CN201510551447.2有效
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。
半导体器件显示装置电子电器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410612094.8有效
发明人：秋元健吾;坂田淳一郎;广桥拓也;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In‑Ga‑Zn‑O基氧化物半导体层。在所述半导体装置中，In‑Ga‑Zn‑O基氧化物半导体层具有如下结构在由InGaO3(ZnO)m(m>0)表示的非晶结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶体管及显示设备-CN201610041758.9在审
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
晶体管显示设备

[发明专利]晶体管及显示设备-CN201610042276.5在审
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
晶体管显示设备

[发明专利]晶体管及显示设备-CN201610041989.X在审
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
晶体管显示设备

[发明专利]晶体管及显示设备-CN201610044196.3在审
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
晶体管显示设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置-CN201510170872.7在审
发明人：今藤敏和;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。
薄膜晶体管及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]半导体装置、显示模块和电子设备-CN201310006973.1有效
发明人：坂田淳一郎;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、显示模块和电子设备，该半导体装置具有晶体管，所述晶体管包括：第一氧化物半导体层、在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层、在第二氧化物半导体层上的源电极、以及在第二氧化物半导体层上的漏电极，其中，第一氧化物半导体层包括作为沟道形成区的第一区域，第二氧化物半导体层包括与第一区域重叠的第二区域，第二氧化物半导体层包括与源电极接触的第三区域，第二氧化物半导体层包括与漏电极接触的第四区域，第一区域具有第一导电率，第二区域具有第二导电率，第三区域具有第三导电率，第四区域具有第四导电率，第二导电率低于第一导电率，第三导电率高于第二导电率，第四导电率高于第二导电率。
半导体装置显示模块电子设备

[发明专利]晶体管及显示设备-CN201210250285.5有效
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管及显示设备。具体地，提供了一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
晶体管显示设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080048595.8有效
发明人：山崎舜平;宫永昭治;高桥正弘;岸田英幸;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-06 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。一个目的是提供一种具有稳定的电特性的包括氧化物半导体的半导体装置。在氧化物半导体层之上形成具有很多以悬挂键为典型代表的缺陷的绝缘层，并在其间插入氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，由此使氧化物半导体层中的诸如氢或湿气(氢原子或者含有氢原子的化合物(诸如H2O))的杂质移动通过所述氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，并扩散到所述绝缘层中。因而，降低了所述氧化物半导体层的杂质浓度。
半导体装置及其制造方法

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