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[发明专利]真空处理装置-CN201210457238.8无效
发明人：辻德彦;诸井政幸;泽地淳;岩田辉夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供真空处理装置。成膜装置通过在真空容器内多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环而在基板的表面将薄膜成膜，其具有：设置在真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与多个下部件分别对置地设置，在与载置区域之间形成处理空间的多个上部件；向处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将处理空间经由排气用开口部以及真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
真空处理装置

[发明专利]成膜装置和气体排出部件-CN201080006085.4无效
发明人： 岩田辉夫;桑嶋亮;网仓学;桥本毅;内田博章 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：成膜装置(100)具备：收容晶片(W)的腔室(1)；在腔室(1)内载置晶片(W)的载置台(2)；在载置台(2)上加热晶片(W)的加热器(5a、5b)和；设置为与载置台(2)对向，向晶片(W)排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷淋板(12)，其是在晶片(W)的表面，形成在成膜温度下热膨胀率比喷淋板(12)的主体(13)的热膨胀率低5×10-6/℃以上的膜的装置，喷淋板(12)在与主体(13)的载置台(2)相对的表面形成有厚度为10μm以上的阳极氧化被膜(14)。
装置气体排出部件

[发明专利]面状加热器-CN200780006156.9有效
发明人：柴田和生;川崎裕雄;岩田辉夫;网仓学 -专利权人：科发伦材料株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H05B3/86 文献下载
摘要：本发明提供一种具备能够形成大致均匀的加热温度的碳线发热体的面状加热器。该碳线发热体(CW)的面内配置密度在内侧区域与外侧区域相异。具有向发热体(CW)通电的连接线的电源端子部配置在石英玻璃板状体的背面侧的中央部。内侧的碳线发热体的连接线在石英玻璃板状体的中央部被连接，外侧的碳线发热体的连接线(3a、3b)和内侧的碳线发热体(CW)不交叉，从石英玻璃板状体的中央部延伸设置至外侧区域，并与外侧的碳线发热体(CW)连接。
加热器

[发明专利]基板处理方法、记录介质和基板处理装置-CN200680007627.3无效
发明人：高木俊夫;金子裕是;岩田辉夫;竹山环;柿本明修 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
处理方法记录介质装置

[发明专利]喷淋头以及使用这种喷淋头的成膜装置-CN200480031416.4有效
发明人：纲仓学;岩田辉夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种向成膜装置的处理容器内供给成膜用的原料气体与支援气体的喷淋头。它具备具有气体喷射面(8)的主体。在喷淋头主体内形成接受原料气体并使其扩散的第一扩散室(60)、接受支援气体并且使其扩散的第二扩散室(62)。在气体喷射面上形成与第一扩散室连通的原料气体喷射口(10A)、与第二扩散室连通的第一支援气体喷射口(10B)。各个第一支援气体喷射口(10B)形成分别接近原料气体喷射口(10A)并且环绕它们的环形。
喷淋以及使用这种装置

[发明专利]放置台结构以及具有该放置台结构的热处理装置-CN200480009294.9无效
发明人：川崎裕雄;岩田辉夫;纲仓学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种热处理装置，将被处理体(W)放置在经由支柱而从处理容器(4)的底部立起并在内部埋入有加热装置(38)的放置台(32)的上面，对该被处理体进行规定热处理，其中，在上述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的盖部件(72、73、76)。因此，可以防止成为污染原因的金属原子等从放置台热扩散情况的发生，从而，可以防止金属污染或者有机污染等的各种污染的发生。
放置结构以及具有热处理装置

[发明专利]成膜装置-CN200580000376.1无效
发明人： 岩田辉夫;纲仓学;二村宗久;高桥毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-02-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷雾喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部，使从喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室、对汽化室进行加热的加热器、在喷雾喷嘴的附近朝着汽化室开口并从汽化室导出原料气体的导出口。所述汽化室的封闭的另一个端部，为了使从喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化，而仅与喷雾喷嘴保持足够的距离。
装置