专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN200810128037.7无效
  • 岛田将树;山田利夫;伊东久范;古贺克洋 - 株式会社瑞萨科技
  • 2008-07-10 - 2009-01-28 - H01L27/04
  • 提供一种半导体器件技术,能够实现半导体器件的高集成。标准单元设置在n-型阱中,并且包括p+-型扩散层和n+-型扩散层,其覆盖有金属硅化物膜。p+-型扩散层构成MIS晶体管的源极/漏极,并且n+-型扩散层构成抽头。p+-型扩散层经由接触电连接到布线层,并且n+-型扩散层经由接触电连接到布线层。此外,p+-型扩散层与n+-型扩散层接触。提供给MIS晶体管的源极节点的电源电势使用两层来提供,即,扩散层和布线层。
  • 半导体器件

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