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[发明专利]接触位置设定装置、安装装置及接触位置设定方法-CN202310311081.6在审
发明人：佐藤修平;山田泰弘 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种接触位置设置装置、安装装置及接触位置设定方法，可抑制偏移地设定用于保持部与接触对象接触的接触基准高度位置。接触位置设定装置具有：驱动机构，使抽吸保持电子零件的保持部在与接触对象接触分离的方向上移动；接触检测部，检测保持部与接触对象的接触；停止控制部，当由接触检测部检测出接触时，使保持部的移动停止；脱离检测部，使检测出接触并由停止控制部停止的保持部向自接触对象脱离的方向移动，基于此时的由压力检测部检测出的抽吸压力的变化，检测保持部自接触对象的脱离；以及基准位置设定部，基于在由脱离检测部检测出脱离时由位置检测部检测出的保持部的高度位置，设定保持部相对于接触对象的接触基准高度位置。
接触位置设定装置安装方法

[发明专利]电子零件的安装装置及安装方法-CN202310271819.0在审
发明人： 山田泰弘 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种电子零件的安装装置及安装方法，通过安装工具自载置部精度良好地一并接收多个电子零件，而能够实现高位置精度的安装并且能够提高吞吐量。实施方式的电子零件的安装装置具有：多个载置部；载置部移动机构，使多个载置部的任意一者或全部移动；拍摄部，对各个载置于多个载置部的电子零件进行拍摄，识别各个电子零件的水平方向的姿势；多个安装工具，对载置于多个载置部的电子零件各个进行保持，并将其安装到基板；安装工具移动机构，使多个安装工具一并移动；定位处理部，基于拍摄部的识别结果，将载置于各个载置部的电子零件相对于各个安装工具进行定位；以及接收处理部，使多个所述安装工具执行电子零件的一并接收处理。
电子零件安装装置方法

[发明专利]显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备-CN201980013365.9有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本公开的显示装置具备：差量检测部，检测相邻的两个像素间的驱动电压的差量；校正量运算部，计算对校正对象像素的驱动电压进行校正的校正量，所述校正对象像素是由于差量检测部检测到的驱动电压的差量而产生亮度变化的像素；校正量调整部，根据输出图像的画质调整由校正量运算部计算出的校正量；以及驱动电压校正部，基于由校正量调整部调整的校正量，对校正对象像素的驱动电压进行校正。
显示装置驱动方法电子设备

[发明专利]含碳物质的材料的制造方法、含碳物质的材料、和可溶性有机无机复合体-CN201980059897.6在审
发明人： 山田泰弘;村田昌骏;斋藤诚仁;佐藤智司;乡田隼;小野博信 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：提供一种在温和条件下且以简单的方式制造具有精确控制的结构的含碳物质的材料的方法。还提供一种碳物质和无机物共价结合的含碳物质的材料。进一步提供一种可以在温和条件下工业生产且可用于例如工业上制造碳被覆无机颗粒、中空碳细颗粒等的中间材料。该含碳物质的材料的制造方法包括加热含有无机物和化合物(A)的组合物的加热步骤(I)，其中通过加热，缩合反应发生在相同分子之间和/或不同分子之间，其中当所述化合物(A)的缩合反应温度设定为T℃时，加热步骤(I)期间的加热温度为(T‑150)℃以上。该含碳物质的材料包括碳物质和无机物，其中所述碳物质的至少一部分和所述无机物的至少一部分共价地结合。根据本发明的有机无机复合体包括碳物质和无机物，其中所述碳物质为溶剂可溶的。
物质材料制造方法可溶性有机无机复合体

[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统-CN201410315832.2有效
发明人： 山田泰弘;高德真人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了放射线摄像装置和放射线摄像显示系统，以抑制晶体管特性劣化且实现高可靠性。该放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者分别被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷。所述晶体管包括：半导体层，其包括活性层；第一栅极电极，其被设置成面对所述半导体层；第一栅极绝缘膜，其被设置于所述半导体层与所述第一栅极电极之间，且包括第一硅氧化物膜；源极电极和漏极电极，它们二者与所述半导体层电连接；以及第二硅氧化物膜，其被设置于与所述第一栅极绝缘膜不同的层中。所述第一栅极绝缘膜的所述第一硅氧化物膜是膜密度低于所述第二硅氧化物膜的膜密度的多孔膜。
放射线摄像装置显示系统

[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统-CN201410398317.5有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了放射线摄像装置和设置有该放射线摄像装置的放射线摄像显示系统，它们能够抑制漏电流、提高元件的寿命且实现高的可靠性。该放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，所述场效应晶体管用于从所述多个像素中的各者读取所述信号电荷。在该放射线摄像装置中，所述场效应晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括活性层和被形成为毗邻所述活性层的低浓度杂质层；以及第一栅极电极和第二栅极电极，它们被设置成彼此面对，且所述活性层介于它们两者之间。而且，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的至少一者被设置于不面对所述低浓度杂质层的区域中。
放射线摄像装置显示系统

[发明专利]辐射图像拾取单元和辐射图像拾取显示系统-CN201480040304.9有效
发明人：藤本信二;吉川周宪;山田泰弘;千田满 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种辐射图像拾取单元，其包含：多个像素，每个像素被配置成基于辐射产生信号电荷；装置衬底，其包含用于每个像素的光电转换元件；波长转换层，其提供于装置衬底的光入射侧上，并且被配置成将所述辐射的波长转换成其它波长；以及分隔壁，其针对每个像素分离波长转换层。所述辐射图像拾取单元被配置成允许波长转换层和装置衬底之间的间隙等于或大于阈值或者等于或小于阈值，所述阈值是基于图像拾取目标的空间频率来预设的。
辐射图像像素拾取单元衬底波长转换层配置光电转换元件图像拾取目标波长转换产生信号分离波长空间频率显示系统电荷辐射光入射转换层波长拾取预设隔壁

[发明专利]图像拾取单元和图像拾取显示系统-CN201310056452.7有效
发明人：千田满;田中勉;山田泰弘;高德真人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：一种图像拾取单元，包括：包括多个像素的图像拾取部分，多个像素每个包括光电转换器器件和场效应晶体管；以及利用晶体管读出信号电荷的驱动部分，信号电荷累积在多个像素的每个中。驱动部分通过将关断电压施加到所述晶体管关断晶体管，考虑晶体管的源极和漏极之间的关断漏电流设置所述关断电压。
晶体管像素图像拾取单元关断电压图像拾取关断场效应晶体管信号电荷累积光电转换器驱动读出信号显示系统电荷漏电流漏极源极施加

[发明专利]摄像部、摄像单元及摄像显示系统-CN201310221386.4有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H04N5/351 文献下载
摘要：本发明提供一种摄像部、包括该摄像部的摄像单元以及一种使用此种摄像单元的摄像显示系统，所述摄像部包括多个像素，所述多个像素中的每一者包括光电转换器件及场效应晶体管。所述像素中的每一者在所述光电转换器件的外围区域中包括遮光层，且所述遮光层保持至预定的电位。本发明能够减小遮光层对每一像素的电性影响并抑制光泄漏至相邻像素中，从而减少各像素之间的串扰的发生。
摄像单元显示系统

[发明专利]摄像装置和图像拍摄显示系统-CN201410108644.2有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明公开了摄像装置和图像拍摄显示系统。该摄像装置包括摄像部，其含有多个像素，每个像素含有光电转换器件和场效应晶体管；驱动部，其控制要被施加至晶体管的电压以对累积在像素中的信号电荷进行读出驱动；和校正部，其用来校正用于驱动晶体管的电压值；晶体管含有彼此面对地布置且其间插有半导体层的第一栅极电极和第二栅极电极，驱动部通过分别将第一电压施加至所述第一栅极电极且将第二电压施加至所述第二栅极电极来进行晶体管的导通/截止控制，且校正部根据晶体管的阈值电压的偏移量校正第一电压和第二电压中的一者或两者的电压值。根据本发明，能够通过减轻由所述晶体管的阈值电压的偏移造成的不利影响获得高的可靠性。
摄像装置图像拍摄显示系统

[发明专利]图像拍摄单元和图像拍摄显示系统-CN201210436042.0有效
发明人：南祐一郎;千田满;山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：公开了图像拍摄单元和图像拍摄显示系统。图像拍摄单元包括图像拍摄部，该图像拍摄部包括多个像素，每个像素包括光电转换器件；以及驱动部，该驱动部驱动每个像素以按读出操作、预重置操作和主重置操作的顺序执行这些操作，读出操作旨在以信号的形式从每个像素读出电荷，该电荷是从光电转换器件获得的，并且预重置操作和主重置操作旨在重置每个像素中的电荷。驱动部向光电转换器件施加电压，该电压在预重置操作中和主重置操作中之间是不同的。
图像拍摄单元显示系统

[发明专利]摄像部及摄像显示系统-CN201310222702.X有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高速拍摄移动图像的摄像部以及一种具有此种摄像部的摄像显示系统，所述摄像部包括多个像素，所述多个像素中的每一者包括光电转换器件及场效应晶体管；以及读出控制线及信号线，所述读出控制线及信号线设置于所述光电转换器件的外围区域中并连接至所述晶体管。所述读出控制线包括第一布线层及第二布线层，所述第一布线层与所述第二布线层层压且相互电连接。所述第一布线层电连接至所述晶体管的栅电极，且所述第二布线层与所述信号线设置于同一层中。
摄像显示系统

[发明专利]光电转换元件和光电转换装置-CN201210153336.2有效
发明人： 山田泰弘;田中勉;高德真人;伊藤良一;千田满 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换元件和光电转换装置。所述光电转换元件包括设置在基板上的第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在比所述第一半导体层高的层中；第三导电型的第三半导体层，所述第三半导体层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且所述第三半导体层的电导率低于所述第一半导体层和所述第二半导体层；以及遮光层，所述遮光层设置在所述基板和所述第一半导体层之间。本发明的光电转换元件能使光学噪声的影响降低。
光电转换元件装置

[发明专利]图像拾取装置和图像拾取显示系统-CN201480016985.5有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板；至少一个栅电极；至少两个氧化硅层，包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，其中，第一氧化硅层比第二氧化硅层更靠近基板，并且其中，第一氧化硅层的厚度大于或等于第二氧化硅层的厚度；以及半导体层，被布置在第一氧化硅层的至少一部分与第二氧化硅层的至少一部分之间。此外，图像拾取装置和辐射成像设备包括该半导体装置。
图像拾取装置显示系统

[发明专利]图像拍摄装置和图像拍摄显示系统-CN201210392260.9有效
发明人： 山田泰弘 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：公开了图像拍摄装置和图像拍摄显示系统。图像拍摄装置包括图像拍摄部，该图像拍摄部包括多个像素，每个像素包括光电转换元件；驱动部，该驱动部执行被蓄积在像素中的信号电荷的读出操作和重置操作；以及校正部，该校正部对执行重置操作的定时进行校正以使得从图像拍摄部输出的图像中的残像能够被减轻。
图像拍摄装置显示系统

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