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[发明专利]层叠基板的制造方法和基板处理装置-CN202280018447.4在审
发明人： 山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。
层叠制造方法处理装置

[发明专利]半导体芯片的制造方法和基板处理装置-CN202280018474.1在审
发明人： 山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体芯片的制造方法包括下述(A)～(E)。(A)，准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B)，对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割。(C)，将进行所述切割后的所述层叠基板从与所述第三半导体基板相反的一侧与带进行贴合，并藉由所述带安装于框。(D)，在将所述层叠基板安装于所述框之后，对所述剥离层照射透过所述第三半导体基板的激光光线，来在所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部形成改性层。(E)，以形成于所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部的改性层为起点，来将所述第三半导体基板与所述剥离层剥离。
半导体芯片制造方法处理装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法-CN202280017660.3在审
发明人：川口义广;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B23K26/57 文献下载
摘要：一种基板处理装置，其向基板照射激光而处理该基板，其中，该基板处理装置具有：基板保持部，其保持所述基板；激光照射透镜，其使激光向保持于所述基板保持部的所述基板照射；激光振荡器，其使激光朝向比所述基板保持部的基板保持面靠上方的位置出射；镜，其在所述基板保持部的上方将从所述激光振荡器出射的激光的方向变更成水平方向；以及光学系统，其调整从所述镜入射的激光的输出，并且将该激光向所述激光照射透镜引导。
处理装置系统以及方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及基板制造方法-CN202280008888.6在审
发明人：田之上隼斗;荒木健人;山下阳平;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；激光照射部，其对形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层以脉冲状照射激光；移动机构，其使所述基板保持部与所述激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度来设定向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔。
处理装置方法以及制造

[发明专利]附带芯片的基板的制造方法及基板处理装置-CN202280010534.5在审
发明人：松原义久;堤义弘;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种附带芯片的基板的制造方法，包括以下的(A)～(B)。(A)准备叠层基板，该叠层基板包括多个芯片、暂时地接合有多个所述芯片的第一基板、以及经由多个所述芯片接合到所述第一基板的第二基板。(B)为了将接合到所述第一基板和所述第二基板的多个所述芯片接合到第三基板的包含器件层的一个面，将多个所述芯片从所述第一基板分离。与所述芯片分离的所述第一基板包括用于所述芯片与所述第一基板接合时的位置对准、或接合后的位置偏移的测定的对准标记。
附带芯片制造方法处理装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202280009315.5在审
发明人：田之上隼斗;荒木健人;山下阳平;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对由第一基板、界面层以及第二基板层叠地形成的重合基板进行处理，所述界面层至少包含激光吸收膜，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；界面用激光照射部，其将激光脉冲状地照射于所述激光吸收膜；移动机构，其使所述基板保持部和所述界面用激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述界面用激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部执行以下控制：获取形成于所述重合基板的所述界面层的信息，基于获取到的所述界面层的信息，将所述界面层中的接合界面中密接力最弱的界面设定为所述第一基板与所述第二基板的剥离界面。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202280009298.5在审
发明人：田之上隼斗;荒木健人;山下阳平;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对由第一基板、界面层以及第二基板层叠地形成的重合基板进行处理，所述界面层至少包含激光吸收膜和剥离促进膜，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；界面用激光照射部，其将激光脉冲状地照射于所述激光吸收膜；移动机构，其使所述基板保持部和所述界面用激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述界面用激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部执行以下控制：基于所述激光吸收膜的厚度，从所述第一基板与所述激光吸收膜之间、以及所述剥离促进膜与所述第二基板之间中的某一个中选择所述第一基板与所述第二基板的剥离面的位置。
处理装置方法

[发明专利]基板加工方法和基板加工装置-CN202280010039.4在审
发明人：早川晋;山下阳平;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板加工方法包括以下的(A)～(C)。在(A)中，准备基板，该基板具有第一主表面以及与所述第一主表面朝向相反的第二主表面，并且所述第一主表面和所述第二主表面分别具有波纹。在(B)中，基于所述基板的所述第一主表面和所述第二主表面中的一面的波纹的测定结果来对所述一面照射激光光线，以使所述一面平坦化。在(C)中，在使所述基板的所述一面平坦化之后，对所述基板的与所述一面朝向相反的相反面进行磨削，以使所述相反面平坦化。
加工方法装置

[发明专利]处理装置和处理方法-CN202080018050.6有效
发明人： 山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：处理装置具有：保持部，其保持处理体；改性部，其向被保持部保持的处理体的内部照射激光，来沿着面方向形成改性层；旋转机构，其使保持部和改性部相对地旋转；以及移动机构，其使保持部和改性部沿水平方向相对地移动。在一边通过旋转机构使被保持部保持的处理体相对于改性部相对地旋转一边从改性部向处理体的内部周期性地照射激光、并且还通过移动机构使改性部相对于保持部在径向上相对地移动来形成改性层时，计算使改性层的周向间隔成为期望阈值的、激光在径向上的边界位置，并使从边界位置起在改性部的移动方向上减小改性层的径向间隔以及/或者降低激光的频率。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180021036.6在审
发明人：田之上隼斗;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上形成有激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射脉冲状的激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部蓄积应力；以及连锁地释放所蓄积的所述应力，来将所述第二基板剥离。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180021044.0在审
发明人：田之上隼斗;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，在所述第二基板上按照剥离促进层、激光吸收层的顺序层叠形成有所述剥离促进层、所述激光吸收层，所述处理方法包括：对所述激光吸收层照射激光来形成剥离改性层，并在所述激光吸收层的内部产生应力；以及沿所述第二基板与所述剥离促进层的边界将所述第二基板从所述第一基板剥离。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180023726.5在审
发明人：田之上隼斗;山下阳平;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质-CN202210086475.1在审
发明人：白石豪介;寺田正一;山下阳平;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质，抑制在EBR(边缘涂布膜去除)处理中发生涂布膜的隆起、侵蚀。基板处理装置具备：基板保持部，其保持形成有图案形成用的涂布膜的基板并使其旋转；处理液喷出部，其向保持于所述基板保持部的所述基板喷出用于形成保护膜的处理液；激光照射部，其向形成有所述保护膜的所述基板的周缘部照射激光；以及去除液喷出部，其向所述保护膜喷出用于去除该保护膜的去除液。
处理装置系统方法以及计算机存储介质

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202080086729.9在审
发明人： 山下阳平;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基板处理装置，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，该基板处理装置具有：保持部，其保持所述第1基板的背面；激光照射部，其在所述保持部保持着所述第1基板的状态下，从该第2基板的背面侧对形成于所述第2基板和所述器件层之间的激光吸收层照射激光；剥离部，其从所述第1基板剥离所述第2基板；以及控制部，其控制所述激光照射部的动作，所述控制部控制所述激光照射部，以在所述激光吸收层形成照射所述激光的第1基板和第2基板的剥离区域以及未照射所述激光的非剥离区域。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202080087508.3在审
发明人： 山下阳平;田之上隼斗;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照射激光。
处理方法装置

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