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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911265646.1有效
发明人： 尹荣广;孙润翼;朴志贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上方形成栅极电介质材料；在栅极电介质材料上方顺序地形成未掺杂碳的多晶硅层和掺杂碳的多晶硅层；用掺杂剂掺杂所述掺杂碳的多晶硅层；在掺杂有掺杂剂的掺杂碳的多晶硅层上方形成柱状晶体多晶硅层；以及执行退火以使掺杂剂活化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202211027531.0在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括位于衬底之上的字线堆叠和垂直穿过字线堆叠的垂直沟道柱，字线堆叠包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个字线。垂直沟道柱包括核心绝缘层、围绕核心绝缘层的侧表面的沟道层、以及围绕沟道层的侧表面的存储层。沟道层包括硅化物沟道层和围绕硅化物沟道层的侧表面的硅沟道层。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202210850566.8在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及制造其的方法。该半导体器件包括：衬底，具有栅极区域和接触区域；埋置绝缘层，形成在衬底上；鳍型绝缘图案，形成在埋置绝缘层上并且在第一水平方向上延伸；下金属层，覆盖接触区域中的鳍型绝缘图案的上表面和侧表面；沟道层，覆盖接触区域中的下金属层的上表面和侧表面并且覆盖栅极区域中的鳍型绝缘图案的上表面和侧表面；栅极图案，设置在栅极区域中的沟道层上并且在第二水平方向上延伸；以及源极/漏极接触图案，设置在接触区域中的沟道层上。下金属层包括Ti基金属。沟道层包括氧化物半导体材料。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有氧化物半导体沟道层的半导体器件及其制造方法-CN202210447587.5在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、在衬底上的掩埋式绝缘层、在掩埋式绝缘层上的沟道层和源极/漏极层、以及在沟道层上的栅电极图案。沟道层和源极/漏极层包括氧化物半导体材料。源极/漏极层中的氧空位浓度高于沟道层中的氧空位浓度。
具有氧化物半导体沟道半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括具有杂质区域的栅电极的FinFET和半导体器件-CN202210350080.8在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的实施方式提供了一种包括具有杂质区域的栅电极的FinFET和半导体器件。FinFET可以包括：从衬底突出的鳍型有源区域，该鳍型有源区域在第一方向上延伸；在鳍型有源区域之间的衬底的表面上的场绝缘层；以及栅极结构，设置在在鳍型有源区域的表面和场绝缘层的表面上，栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。栅极结构中的每个可以包括共形地设置在鳍型有源区域的表面上的栅介电层和在栅介电层上的栅电极。栅电极可以包括接近场绝缘层的低浓度杂质区域和接近鳍型有源区域的上部的高浓度杂质区域。
包括具有杂质区域电极 finfet 半导体器件

[发明专利]制造包括具有硅化物层的MOS晶体管的半导体器件的方法-CN202210259896.X在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了制造包括具有硅化物层的MOS晶体管的半导体器件的方法。一种制造MOS晶体管的方法，包括：在衬底之上形成栅极介电材料层；在栅极介电材料层之上形成下部栅电极材料层；执行第一离子轰击工艺，用第一离子轰击下部栅电极材料层；在下部栅电极材料层之上形成包括非晶硅层的中间栅电极材料层；在中间栅电极材料层之上形成上部栅电极材料层；执行第二离子轰击工艺，以用第二离子轰击上部栅电极材料层；以及在下部栅电极材料层和上部栅电极材料层中形成硅化物层，以形成下部栅电极层和上部栅电极层。
制造包括具有硅化物层 mos 晶体管半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210473325.6在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种能够改善热稳定性和接触电阻两者的半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个实施例，一种半导体器件可以包括：在衬底之上的接触插塞，其中接触插塞包括：硅化物层，该硅化物层具有在该硅化物层中变化的碳含量，以及金属材料层，该金属材料层在硅化物层之上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210474301.2在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括厚度减小的覆盖层并且能够防止由氧注入引起的界面层的再生长。根据本发明的一个实施例，所述半导体器件包括：衬底上的界面层；界面层上的高k层；高k层上的栅电极；以及栅电极上的覆盖层，所述覆盖层包括第一阻氧层和第二阻氧层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括晶体管的半导体器件及其制造方法-CN202210141907.4在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一叠置结构，其包括在竖直方向上叠置的第一下电介质层、第一水平栅极结构和第一上电介质层；第二叠置结构，其包括在竖直方向上叠置的第二下电介质层、第二水平栅极结构和第二上电介质层，并且具有面对第一叠置结构的第一侧面的第一侧面；第一沟道层，其被形成在第一叠置结构的第一侧面上；第二沟道层，其被形成在第二叠置结构的第一侧面上；下电极层，其共同地耦接至第一叠置结构与第二叠置结构之间的第一沟道层的下端部与第二沟道层的下端部；第一上电极层，其耦接至第一沟道层的上端部；以及第二上电极层，其耦接至第二沟道层的上端部。
包括晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210100414.6在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的各个实施例将提供一种半导体器件及其制造方法，更具体地，提供一种包括具有气隙的隔离层以使由氧化物引起的对衬底的应力最小化并改善器件的性能的半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的半导体器件包括：多个隔离层，每个隔离层包括形成在衬底中的沟槽和在沟槽的下部中的气隙；有源区，所述有源区包括在连续设置的隔离层之间设置的鳍体以及形成在鳍体上的鳍，所述鳍具有比鳍体窄的宽度并且在第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构部分地覆盖有源区和隔离层，并且在第二方向上延伸；以及源极/漏极区，所述源极/漏极区覆盖栅极结构的两侧的鳍。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]垂直晶体管及其制造方法-CN202110980467.7在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开的各种实施例针对一种垂直晶体管及其制造方法，所述垂直晶体管在其上沟道层和下沟道层中具有不同的掺杂分布，用于减少泄漏电流同时提高接触电阻。根据本发明公开的一个实施例，一种半导体器件包括：下接触部、在下接触部上的垂直沟道层以及在垂直沟道层上的上接触部，垂直沟道层包括金属组分和氧组分。垂直沟道层具有渐变的掺杂分布，其中金属组分的掺杂浓度在中间区域最低，并从中间区域向上接触部逐渐增加。
垂直晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202111595995.7在审
发明人： 尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括：衬底，其包括第一NMOS区域和第二NMOS区域；第一晶体管，其包括安置在第一NMOS区域中的第一移位层，以及第二晶体管，其包括安置在第二NMOS区域中的第二移位层，其中，第一移位层和第二移位层中的每一个包括第一偶极诱导物质，并且第二移位层另外包括第二偶极诱导物质。
半导体器件及其制作方法

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