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- [实用新型]一种室内装修用墙壁画线装置-CN202320527078.3有效
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尹晓明
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北京金晟源建筑工程有限公司
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2023-03-17
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2023-06-13
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E04G21/18
- 本实用新型公开了一种室内装修用墙壁画线装置，涉及建筑装饰技术领域，包括底座，所述底座的顶部固定安装有安装架，所述安装架顶部的中部转动安装有丝杆，所述安装架顶部的一侧固定安装有竖板，本实用新型的有益效果为：通过观察标针与刻度标识便可得知画线距离，提高画线的精准度，到达画线高度，随后当需要画横线时，我们松动第一紧固螺栓，接触第一紧固螺栓对画线杆的限位，随后我们拉动画线杆便可画出横线，同时在一些较为狭窄拉动不便的区域内也可事先将画线杆拉至转套一侧进行推动画线杆也可进行画线，使用方式多变，兼容性高，并且在对高处进行画线时无需使用工具便可调节画线高度，最后还无需两个人进行画线施工，使用方便。
- 一种室内装修墙壁画线装置
- [发明专利]动态存储装置及其制备方法-CN202210056489.9在审
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戴瑾;尹晓明
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北京超弦存储器研究院
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2022-01-18
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2023-06-06
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H10B12/00
- 本申请实施例提供了一种动态存储装置及其制备方法。动态存储装置的制备方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上制备硅基半导体层；在所述硅基半导体层的一侧依次制备第一绝缘层、第一金属层和第二金属层，形成读取场效应管；在所述第二金属层的一侧制备连接层；在所述连接层的一侧依次制备第三金属层、金属氧化物半导体层、第二绝缘层和第四金属层，形成写入场效应管。本申请实施例中制得两个场效应管：读取场效应管和写入场效应管，由写入场效应管将数据写入读取场效应管。由于写入数据和读取数据涉及不同的场效应管，从动态存储装置读取数据时，无需破坏数据，从而不必重写数据，节省数据处理时间，提高应对大批量数据处理需求的处理能力。
- 动态存储装置及其制备方法
- [发明专利]MOS管、存储器及其制备方法-CN202210333652.1在审
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戴瑾;尹晓明;周俊
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北京超弦存储器研究院
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2022-03-30
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2023-06-06
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H01L29/78
- 本申请实施例提供了一种MOS管、存储器及其制备方法。在本申请实施例提供的MOS管中，通过将源极结构、金属氧化物半导体结构和漏极结构设置为沿垂直于衬底基板方向的叠置结构，且源极结构、金属氧化物半导体结构和漏极结构在衬底基板的正投影至少部分重叠，从而能够简化MOS管的结构，能够降低MOS管的制备难度，进而能够降低应用有该MOS管的存储器的制备难度，能够降低应用有该MOS管的存储器的制造成本。同时，能够降低MOS管的体积，能够提高存储器中容纳的MOS管的数量，有利于应用有该MOS管的存储器的集成化，能够进一步降低存储器的制造成本。
- mos存储器及其制备方法
- [发明专利]一种非对称图形的图案化方法-CN202111457543.2在审
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尹晓明;周俊;韩宝东
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北京超弦存储器研究院
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2021-12-02
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2023-06-06
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H01L21/027
- 本发明提供了一种非对称图形的图案化方法，包括以下步骤：在待蚀刻材料层表面形成第一掩膜层，通过第一掩膜层定义预设对称图案；将对称图案转移至待蚀刻材料层内，形成第一图案结构；在第一图案结构表面形成第二掩膜层，通过第二掩膜层定义预设非对称图案；将非对称图案转移至待蚀刻材料层内，形成第二图案结构；第一图案结构与第二图案结构叠加形成非对称图形结构。本发明是针对图形加工工艺的改进，主要是将非对称图形分解为对称图案与非对称图案，并分别进行加工，避免了由非对称图形造成的图形扭曲，改善了器件电学性能的均一性，可广泛应用在DRAM的有源区结构上，表现为阵列中晶体管关态电流的分布更为集中，操作窗口得到改善。
- 一种对称图形图案方法
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