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[发明专利]一种半导体暖机工艺任务的执行方法和半导体工艺设备-CN202310395819.1在审
发明人：唐凯;尤艳艳;钟晨玉;孔令帅;孙运东 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06Q10/0633 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体暖机工艺任务的执行方法和半导体工艺设备，该方法应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括伪片装载端口，所述伪片装载端口用于装载多片伪片，该方法包括：从伪片装载端口可用的伪片中选取执行暖机工艺任务需要的伪片；确定所选取的伪片中每一片伪片的当前已使用次数；根据各个伪片的当前已使用次数，预测各个伪片在执行完暖机工艺任务之后的使用次数是否超过预设使用次数阈值；在所选取的伪片均未超过预设使用次数阈值的情况下，执行暖机工艺任务。从而可以在机台内部的伪片装载端口处直接执行暖机工艺任务，提高了装载端口的利用率和产能，缩短了工艺腔室恢复的时间，并且对伪片的使用次数进行管控，降低了人力成本。
一种半导体机工任务执行方法工艺设备

[发明专利]功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备-CN202111121238.6在审
发明人：杨京;钟晨玉;尤艳艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明提供一种功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备，其包括：获取到达匹配器前端的预设输入功率值；根据到达匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与该预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，函数关系为非线性函数，用于表示到达匹配器前端的输入功率与功率源的输出功率的对应关系；将功率源的输出功率调节至功率源的输出功率校准值，以使到达匹配器前端的实际输入功率值与前述预设输入功率值相对应。本发明提供的功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备，能够降低馈入至工艺腔室中的射频功率与射频源的实际输出功率之间的误差，从而能够提高工艺腔室中进行的工艺精度。
功率输出功率控制方法装置半导体加工设备

[发明专利]下射频电源的功率控制方法和装置、半导体工艺设备-CN202111126996.7在审
发明人：卫晶;陈星;张宇;韦刚;单国道;钟晨玉;尤艳艳;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明提供一种下射频电源的功率控制方法和装置、半导体工艺设备，该方法包括：在工艺腔室开始进行半导体工艺时，利用预设的功率补偿关系式，并根据预先获取的参照腔室的第一射频回路参数组和进行半导体工艺的当前工艺腔室的第二射频回路参数组，获得获得当前工艺腔室相对于参照腔室的功率补偿系数；根据功率补偿系数和当前工艺腔室的下射频电源的功率设定值，计算获得当前工艺腔室相对于参照腔室的功率补偿值；控制下射频电源输出功率补偿值。本发明的技术方案可以提高不同工艺腔室的工艺结果一致性。
射频电源功率控制方法装置半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室-CN202110230759.9在审
发明人： 尤艳艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室的清洗控制方法，该半导体工艺腔室包括用于加工晶片的工艺腔室，该方法包括：记录工艺腔室加工待加工工件的加工计数，当加工计数大于或等于当前工单对应的预设数量阈值时，控制工艺腔室进行工单内清洗，并重置加工计数，其中，工单内清洗为对移出待加工工件的工艺腔室进行具有第一工艺配方的第一干式清洗。在本发明中，控制装置能够在工艺腔室的加工计数达到预设数量阈值时，控制工艺腔室进行工单内清洗，每加工完成几个晶片，即启动一次工单内清洗，从而使同一工单中的所有晶片加工时所处的腔室环境尽可能保持一致，进而提高了同一工单的产品片之间的一致性。本发明还提供一种半导体工艺腔室。
半导体工艺清洗控制方法

[发明专利]用于设置工艺配方数据的方法和系统-CN201610587600.1有效
发明人： 尤艳艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了用于设置工艺配方数据的方法和系统，所述方法包括：S1、获取工艺配方的ID，根据所述工艺配方的ID从下位机中获取所述工艺配方的主体对象；其中，所述工艺配方的主体对象中含有所述工艺配方的类别、容差类型、以及工艺参数的信息；S2、解析所述工艺配方的主体对象，从所述工艺配方的主体对象中获取工艺步骤，并对每一步工艺步骤生成工艺步骤信息列；S3、将生成的每一步工艺步骤信息列都添加到工艺配方表中。本发明的技术方案实现了对工艺配方单独设置容差值。
用于设置工艺配方数据方法系统

[发明专利]一种配置IO通道的方法及半导体加工方法-CN201610552428.6有效
发明人： 尤艳艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种配置IO通道的方法，包括在上位机配置文件中增加字段以区别不同腔室所对应的IO通道参数信息，从而提高了配置IO通道的灵活性。另外，本发明还提供一种半导体加工方法。
一种配置 io 通道方法半导体加工

[发明专利]一种半导体工艺配方的加载方法与系统-CN201310752985.9在审
发明人： 尤艳艳 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体工艺配方的加载方法和系统，所述方法包括当接收到工艺配方的加载请求时，依据所述加载请求获取所述工艺配方；其中，所述工艺配方包括工艺步骤，所述工艺步骤包括一个或多个工艺参数，以及，分别与所述一个或多个工艺参数对应的一个或多个容差；将所述工艺配方封装到预置的包裹类中；分别从所述包裹类中加载所述工艺配方的工艺步骤和容差。本发明实施例解决了工艺步骤中的工艺参数的容差因为配置不当而造成不必要警报的问题，进而避免了半导体设备因为停机等紧急处理措施而造成物料的损坏和浪费，也避免了人工处理警报而造成的人力资源浪费，最终提高了生成效率。
一种半导体工艺配方加载方法系统