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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]叠对误差的校正方法-CN201410270347.8有效
发明人：刘恩铨;许家彰;郭腾钦;王嘉鸿;俞端彦;白源吉;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：叠对误差的校正方法包括下列步骤。首先检测基板上的叠对标记，以产生叠对标记信息，其中叠对标记包括至少一对第一标记图案以及设置于第一标记图案上的至少一第二标记图案。接着，利用叠对标记信息，以获得两个第一标记图案间的错位数值(offset)以及获得第二标记图案和两个第一标记图案其中一个之间的偏移数值。最后，利用错位数值补偿偏移数值，以获得修正偏移数值。
误差校正方法

[发明专利]用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法-CN201410338417.9有效
发明人：刘恩铨;郭腾钦;白源吉;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括：提供具有电路布局、第一光掩模图与第二光掩模图的第一基板，其中第一光掩模图与第二光掩模图依序叠置于电路布局上，且第一光掩模图与第二光掩模图分别相对于电路布局具有不相等的x轴向可容许偏差范围与y轴向可容许偏差范围；获取第一光掩模图相对于第二光掩模图的座标偏移量；以及计算座标偏移量相对上述x轴向可容许偏差范围与上述y轴向可容许偏差范围的偏移差值，并将第一倍数的上述座标偏移量与第二倍数的上述偏移差值进行加总，以获得x轴向补偿参数与y轴向补偿参数作为最终补偿参数。
光掩模容许偏差补偿参数电路布局偏移量制作工艺偏移非对称光刻第一基板不相等加总

[发明专利]移动气泡的方法-CN200610108231.X无效
发明人：侯雅菁;曾焕廷;林思闽;卢柏州;黄永发;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种移动气泡的方法，利用激光镊夹于光致抗蚀剂层中产生光致抗蚀剂层亮区和光致抗蚀剂层暗区，使得光致抗蚀剂层中的气泡，从光致抗蚀剂层亮区移往光致抗蚀剂层暗区。
移动气泡方法

[发明专利]湿浸式光刻工艺的控制方法及其操作系统-CN200610071523.0有效
发明人：黄永发;林思闽;尤春祺;曾焕廷;卢柏州 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的湿浸式光刻工艺的操作系统是依据晶片完成湿浸式光刻曝光后等候烘烤的状况来调整将晶片导入湿浸式光刻工艺的速度，以使得已完成曝光的晶片得以有效率且即时地烘烤。
湿浸式光刻工艺控制方法及其操作系统

[发明专利]设计掩模的方法-CN200510089328.6有效
发明人：谢铭峰;林思闽;尤春祺;刘建新 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一设计掩模(mask)的方法。首先，包括至少一个条状图案的主要图形在掩模衬底上形成，而转移机构(shift feature)附加在条状图案的一端。在主要图形的线端与线端之间的最后临界尺寸(critical dimension)可借由调整转移机构的相移量(phase shift)或透光率(optical transmission)，或两者同时调整以最佳化。因此可改善主要图形中条状图案尾端的回拉现象(pullback)。
设计方法

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共 5 条

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