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[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310217695.8在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人：冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件具有：基板(33)；第1电极(34a)，其设置于基板(33)上；第2电极(34b)，其设置于基板(33)上；作为第1单晶压电膜(15)的单晶PZT膜，其设置于第1电极(34a)上；作为第2单晶压电膜(25)的单晶AlN膜，其设置于第2电极(34b)上，具有与第1单晶压电膜(15)的晶体构造不同的晶体构造；第3电极(16)，其设置于第1单晶压电膜(15)上；以及第4电极(26)，其设置于第2单晶压电膜(25)上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310206923.1在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人：冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310206520.7在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310205783.6在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上重叠设置2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；基板电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电体薄膜(27)，其粘贴于基板电极(34)上，具有第1压电膜(25)和形成于第1压电膜(25)上的第1上部电极膜(26)；以及第2压电体薄膜(17)，其粘贴于第1上部电极膜(26)上，具有与第1压电膜(25)不同的第2压电膜(15)和形成于第2压电膜(15)上的第2上部电极膜(16)。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]电子结构体和电子结构体的制造方法-CN202310121302.3在审
发明人：松尾元一郎;小酒达;铃木贵人;古田裕典;十文字伸哉;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：电子结构体和电子结构体的制造方法，能够提高复合膜从基板的剥离性。电子结构体(1)构成为在形成基板(10)层叠支承层(11)，进而重叠复合膜(2)，使该支承层(11)的面积比该复合膜(2)的面积小，进而设置有多个微间隔件(12)。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜(2)和支承层(11)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离，并且，还能够防止复合膜背面(2B)粘贴于形成基板(10)。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离、向布线基板(90)的安装。
电子结构制造方法

[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法-CN202210942482.7在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
发光装置半导体结构薄膜制造方法

[发明专利]半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法-CN202111486438.1在审
发明人：篠原悠贵;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;石川琢磨;高桥千优;川田宽人 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
半导体元件单元供给安装电路以及制造方法

[发明专利]复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置-CN202111208125.X在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
复合集成供给晶片以及半导体装置

[发明专利]图像形成装置-CN201610833907.5有效
发明人： 小酒达 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图象形成装置，其具备：电源电压检测部，检测从商用交流电源供给的所定输入交流电压范围的商用交流电压的电源电压值；电源周期检测部，检测商用交流电压的电源周期；电压变换部，通过转换商用交流电压，将该商用交流电压变换成施加于加热介质的定影器的加热器的加热器用交流电压；以及控制部，根据由电源电压检测部检出的电源电压值、和由电源周期检测部检出的电源周期，以生成具有从商用交流电压的有效值下降的有效值、且同步于电源周期的加热器用交流电压的方式控制电压变换部。
图像形成装置

[发明专利]电源装置和图像形成装置-CN201610159525.9在审
发明人： 小酒达 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：电源装置和图像形成装置。本发明提供一种电源装置，其具备：功率因数改善电路，根据第一交流信号生成直流信号；同步信号生成单元，根据第一交流信号生成与第一交流信号同步的同步信号；以及交流信号生成单元，具有根据同步信号进行切换动作的切换单元，根据直流信号生成有效电压值可变的第二交流信号。
电源装置图像形成

[发明专利]电源、图像形成设备和压电换能器控制方法-CN201210207065.4有效
发明人： 小酒达 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本发明涉及电源、图像形成设备和压电换能器控制方法。具有数字控制电路的电源通过利用处于数字控制的驱动频率的交流电压驱动压电换能器来生成输出电压。为了跳过寄生频率，驱动频率在高于寄生频率的第一范围和低于寄生频率的第二范围之间切换。在第一和第二范围内，驱动频率以使得输出电压跟踪目标电压的方向改变。如果驱动频率到达第一范围的下限，则它跳到第二范围中的切换频率。第一范围能够被用于生成比较低的输出电压，并且第二范围用于生成比较高的输出电压。
电源图像形成设备压电换能器控制方法

[发明专利]使用中间转印件的图象形成装置-CN96105080.2无效
发明人：广岛康一;西村克彦;月田辰一;小酒达;依田宁雄 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1996-04-22 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： G03G15/16 文献下载
摘要：一种图象形成装置，使用中间转印件把色调剂图象转印到转印材料上，它包括图象承载件；色调剂图象形成装置；中间转印件，可沿环路与承载件相接触地运动；偏压施加装置，施加偏压，在中间件的第一转印位置使色调剂图象从承载件转印到中间件上；图象转印装置，在中间件的第二位置把色调剂图象转印到转印材料上；剩余色调剂充电装置，在图象转印后对中间件上剩下的色调剂充电，与正常极性相反，当剩余色调剂通过第一位置时与该位置上的下一图象转印同时被转印回承载件上。
使用中间印件图象形成装置

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