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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410104152.6有效
  • 秋叶俊彦;木村稔;小田切政雄 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-01-07 - 2014-06-18 - H01L23/488
  • 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010002041.6有效
  • 秋叶俊彦;木村稔;小田切政雄 - 株式会社瑞萨科技
  • 2010-01-07 - 2010-07-28 - H01L21/78
  • 随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。
  • 半导体器件及其制造方法
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