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- [发明专利]成膜方法-CN201980062919.4在审
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小平周司;高桥铁兵;飞石尧大;山村典史;片桐弘明;久保纯也;铃木正明
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株式会社爱发科
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2019-12-11
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2021-05-07
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C23C14/50
- 本发明的目的是提供一种可简便地设置与目标薄膜厚度对应的被处理基板的公转角速度和自转角速度的最佳值的成膜方法。本发明的成膜方法，其中在真空室(1)内，在同一平面内使被处理基板(Sw)绕公转轴(22)公转，并使被处理基板以被处理基板中心(Sc)为旋转中心自转，从成膜源(31、32)供给成膜材料在被处理基板表面形成规定的薄膜，所述成膜源配置在与自公转的被处理基板相对的真空室内的规定位置上,所述成膜方法包括设置工序，其中将形成的薄膜的目标薄膜厚度设为T，以一个公转周期中在基板上形成薄膜的薄膜厚度设为D，将基板的自转角速度相对于公转角速度的比α设置为满足式(1)的值(其中呈整数倍和半整数倍的情况除外)：α≥6/log10(T/D)(1)。
- 方法
- [发明专利]成膜装置及压板环-CN201780014668.3有效
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坂本勇太;沼田幸展;小平周司
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株式会社爱发科
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2017-07-05
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2020-09-08
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C23C14/00
- 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。
- 装置压板
- [发明专利]成膜装置-CN201080026236.2有效
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小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪
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株式会社爱发科
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2010-07-15
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2012-05-23
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C23C14/35
- 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间通过；第三磁场产生部(18)，从所述第二磁场产生部(13)来看，相比于所述靶被配置在上游侧。
- 装置
- [发明专利]成膜装置-CN201080026409.0有效
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小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪
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株式会社爱发科
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2010-07-15
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2012-05-23
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C23C14/35
- 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。
- 装置
- [发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201080026167.5无效
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小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪
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株式会社爱发科
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2010-07-15
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2012-05-23
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C23C14/35
- 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，具有第一产生部(13u)和第二产生部(13d)，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部(13u)和所述第二产生部(13d)施加电流，产生垂直磁场以使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过，所述第一产生部(13u)被施加用Iu定义的电流值并被配置在离所述靶(3)近的位置，所述第二产生部(13d)被施加用Id定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置。
- 装置以及方法
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