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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法-CN201510383016.X有效
发明人： 宋矿宝;何昌武;朱成云 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法，其中，该掩模版包括掩膜图形区域和除所述掩膜图形区域之外的剩余区域，所述掩膜图形区域包括至少两个晶圆定位区域，所述晶圆定位区域的形状与所述待定位晶圆的形状相同；其中，所述掩膜图形区域还包括曝光校平区域，所述曝光校平区域的中心与每个所述晶圆定位区域的中心的距离相等。本发明实施例提供的掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法能够提高晶圆的加工效率，进而提高晶圆的流通产能和流通效率，且为后续制作过程中的曝光校平提供便利。
一种模版定位制作方法

[发明专利]一种LED晶片粘合方法-CN201410456703.5有效
发明人：姚锡冬;宋矿宝;张洪林 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED晶片的粘合方法，包括制备粘合剂，将粘合剂涂覆到LED晶片或/和衬底基片上，将所述LED晶片和所述衬底基片粘合，对所述LED晶片和所述衬底基片之间的粘合剂进行粘合度增强处理。本发明提供的技术方案，能够将多片LED晶片通过粘合方式固定到衬底基片上，提高了LED芯片制造过程中的LED晶片生产流通效率，降低了芯片的生产成本。
一种 led 晶片粘合方法

[发明专利]多层复合膜中悬空台阶的消除方法-CN201210311915.5有效
发明人： 宋矿宝 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：发明提出了一种多层复合膜中低压氮化硅层的悬空台阶的消除方法，包括：使用四氟化碳气体作为腐蚀气体在电场中分解与复合从而生成激发态氟基，以及通过使激发态氟基与所述低压氮化硅层反应生成气态的四氟化硅和氮气来腐蚀所述低压氮化硅层的悬空台阶。通过使用本发明，可以有效并且可靠地消除高反压用多层复合膜腐蚀形成的悬空台阶，而且腐蚀后的图形完好，可以大幅度提升产品的成品率，提高产品的可靠性。
多层复合悬空台阶消除方法

[发明专利]通用掩模版及其应用-CN201210127846.2有效
发明人： 宋矿宝 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种至少用于两种光刻机的曝光作业的通用掩模版，包括：多个第一掩模版对位标记，以及多个第二掩模版对位标记，其中，所述第一掩模版用于第一种光刻机的曝光，所述第二掩模版用于第二种光刻机的曝光。通过本发明的通用掩模版可以实现ASML步进光刻机与NIKON步进光刻机之间的对位互套作业。
通用模版及其应用

[发明专利]浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法-CN201110379979.4有效
发明人：朱国伟;宋矿宝 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明提供浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法。所述浸润液由DRIWEL润湿原液和去离子水组成。本发明的晶圆在湿法腐蚀前的浸润处理适合所有采用正性光刻胶和负性光刻胶的产品晶圆。
浸润腐蚀方法二氧化硅湿法

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