专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶圆测试系统及测试方法-CN202211049298.6在审
  • 周伟平;宋旻皓 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-11-18 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种晶圆测试系统及其测试方法,应用于半导体测试技术领域。具体的,其通过预先设定的算法,在现有技术中利用通常算法得到的可以用于唯一标识每一芯片的标识符UID的基础上对其进行拓展,即,添加多个子维度数据信息,从而得到一个首次提出的多维度标识符UID,然后,在对晶圆中包含的芯片进行测试,以先在测试过程中将本发明形成的多维度标识符UID写入到芯片中,然后,在利用其它测试步骤,最终在测试结束时得到在该测试过程中实际写入到芯片中的标识符UID,之后再通过所述多维度标识符UID和测试过程中实际写入到芯片中的标识符UID进行对比,从而可以准确的确定出测试过程中写入到芯片中的标识符UID的唯一性、准确性及安全性。
  • 测试系统方法
  • [发明专利]SONOS闪存的干扰性测试方法-CN201810106379.2有效
  • 孙黎瑾;宋旻皓;陈斌斌 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2018-02-02 - 2021-04-06 - G11C29/08
  • 本发明公开了一种SONOS闪存的干扰性测试方法,包括如下步骤:步骤一、提供一需要进行干扰性测试的SONOS闪存,设置干扰性劣化参数。步骤二、按照所设定的干扰性劣化参数对SONOS闪存的目标存储单元进行连续操作。步骤三、对邻近存储单元进行阈值电压测试并筛选出阈值电压超范围的邻近存储单元。本发明通过在连续操作之前进行干扰性劣化参数设置并且连续操作是按照干扰性劣化参数进行,能够在连续操作中对邻近存储单元产生快速干扰劣化,从而能节约连续操作的时间,最后能减少测试时间,提高测试速率,节约测试成本。
  • sonos闪存干扰测试方法
  • [发明专利]虚拟化电特性优化测试方法-CN201310254372.2有效
  • 宋旻皓;陈斌斌 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-06-24 - 2017-10-24 - G06F17/50
  • 本发明公开了虚拟化电特性优化测试方法,测试流程包括1)采集调试样品芯片的模拟值和工艺特性参数,建立与所采集的数据最匹配的函数模型;2)根据置信区间确定量产测试中建模需要采集的样品数;3)在量产测试时,采集步骤2)确定的样品数的芯片的数据,通过数学优化方法,建立产品虚拟化电特性优化测试最佳函数;4)参照步骤3)建立的最佳函数,完成所有芯片的虚拟化电特性优化量产测试。本发明通过建立产品电特性优化测试(TRIM)数据模型,寻找数据的最佳函数匹配,在量产测试程序中参照该函数完成所有芯片的虚拟化电特性优化测试(VTRIM),实现了全晶圆所有芯片电特性参数的快速、可靠优化。
  • 虚拟特性优化测试方法
  • [实用新型]探针台的热对流式降温附加装置-CN201220438244.4有效
  • 宋旻皓;郑国鹏 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2012-08-30 - 2013-03-13 - H05K7/20
  • 本实用新型公开了一种探针台的热对流式降温附加装置,所述热对流式降温附加装置设置在所述探针台的连接器上方,包括一外转子轴流风机及一导风罩,所述导风罩连接在所述外转子轴流风机的下方;两者密封连接。通过安装本实用新型探针台的热对流式降温附加装置,在探针台腔体中形成一定高度的气流层水平运动,从而促进了整体空气循环,加速热对流的作用下,腔体内高温空气从探针台前后开口流出,起到了加速探针台降温的作用。
  • 探针对流降温附加装置

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