专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]体声波谐振器-CN201810455217.X有效
  • 申济湜;金德焕;金哲秀;朴浩洙;孙尚郁;宋寅相;李文喆;崔婧 - 三星电子株式会社
  • 2012-06-04 - 2023-08-25 - H03H9/17
  • 提供了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:基底;空气空腔,设置在第一电极之下;体声波谐振单元,设置在空气空腔之上,并且包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的压电层;第一反射层,设置在第二反射层与第二电极之间;第二反射层,设置在第一反射层与空气空腔之间,其中,第二反射层具有与第一反射层不同的声阻抗,其中,第一反射层包括用于补偿体声波谐振单元的频率温度系数TCF的至少一种材料,使得所述第一反射层包括:材料,被构造为在反射层中具有设定的较低的声阻抗特性;材料,被构造为提供被设置为将体声波谐振单元的TCF补偿为近似为零的设置的TCF补偿特性。
  • 声波谐振器
  • [发明专利]平衡/不平衡转换器-CN200610163342.0无效
  • 金哲秀;安达;金贵洙;宋寅相;朴允权;尹锡术;南光祐 - 三星电子株式会社
  • 2006-12-01 - 2007-08-29 - H01P5/10
  • 本发明提供了一种能够减小整体尺寸的巴伦。该巴伦包括:输入线,接收不平衡信号;输出线,接收来自输入线的不平衡信号并输出平衡信号;接地部件。输入线和输出线形成在一层上,接地部件形成在与该层不同的层上。接地部件包括开口并电连接到输入线,去除接地部件的一部分以形成所述开口,从而在第一输出线和第二输出线之间产生电势差。因而,虽然输出线的长度小于输入波长λ的1/4,但是第一输出信号和第二输出信号的相位差可以为大约180°。结果,可减小巴伦的整体尺寸。
  • 平衡不平衡转换器
  • [发明专利]双工器-CN200710001983.0有效
  • 朴允权;薛相哲;宋寅相;金哲秀;尹锡术;南光祐 - 三星电子株式会社
  • 2007-01-16 - 2007-08-15 - H04B1/58
  • 提供一种双工器。该双工器包括:第一带通滤波器(BPF),耦合到第一信号端口和第二信号端口;和第二BPF,耦合到第一信号端口和第三信号端口,第一BPF和第二BPF的每一个包括:第一谐振电路,包括多个串联耦合的第一谐振器;第二谐振电路,包括多个串联耦合的第二谐振器;和第三谐振电路,包括多个并联耦合并且形成在耦合第一谐振电路和第二谐振电路的分支线上的第三谐振器。
  • 双工器
  • [发明专利]带通滤波器及具有带通滤波器的双工器-CN200710000136.2有效
  • 朴允权;宋寅相;尹锡术;南光祐 - 三星电子株式会社
  • 2007-01-05 - 2007-08-15 - H03H9/54
  • 一种改善滤波,实现高集成度并降低制造成本的带通滤波器以及具有所述带通滤波器的双工器。所述带通滤波器包括:第一谐振电路,具有串连的n个第一谐振器,其中,n是大于1的自然数;第二谐振电路,面对所述第一谐振电路,具有串连的m个第二谐振器,其中,m是大于1的自然数;以及第三谐振电路,具有k个在连接所述第一谐振电路和所述第二谐振电路的支线上并联的第三谐振器,其中,k是大于1的自然数。通过将每个谐振电路的谐振器布置为桥结构,可提高滤波特性,减少用于调整谐振器的谐振频率特性的电感器的数目,实现高集成度并降低制造成本。
  • 带通滤波器具有双工器
  • [发明专利]单片射频电路及其制造方法-CN200610165656.4无效
  • 宋寅相;权相旭;金哲秀;朴允权 - 三星电子株式会社
  • 2006-12-11 - 2007-08-15 - H01L27/20
  • 本发明提供一种单片射频(RF)电路以及一种制造该单片RF电路的方法。单片RF电路包括基础基底、滤波部分和开关部分。所述滤波部分包括:第一支撑层和第二支撑层,形成在所述基础基底上;第一气隙,形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间;第一电极,形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上;第一压电层,形成在所述第一支撑层和第一电极上;第二电极,形成在所述第一压电层上。所述开关部分包括:第三支撑层,与所述第二支撑层相邻;第二气隙,形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间;第一开关电极,形成在所述第二气隙和第三支撑层上;第二压电层,形成在所述第一开关电极上。
  • 单片射频电路及其制造方法

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