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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]互补金属氧化物半导体装置及制造方法-CN201510564982.1有效
发明人： 安生健二 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置，包括：P型晶体管与N型晶体管，该P型晶体管与N型半导体分别包括源极、漏极及设置于源、漏极之间的半导体层；至少一用于控制该P型晶体管与N型晶体管的栅极。该P型晶体管的半导体层包括具有第一离子掺杂浓度的第一倾角部与具有第二离子掺杂浓度的第一平坦部；该N型晶体管的导体层包括具有第三离子掺杂浓度的第二倾角部、第四离子掺杂浓度的第二平坦部及位于第二倾角部与第二平坦部之间具有第五离子掺杂浓度的第三平坦部；且第一、第二、第四、第三、第五离子掺杂浓度依次增大。
互补金属氧化物半导体装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201510687157.0有效
发明人： 安生健二 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、由本征非晶硅材料制成的半导体层、源极以及漏极。该栅极绝缘层设于该栅极与该半导体层之间使二者彼此绝缘。其中，该半导体层包括第一层及第二层，该第二层覆盖该第一层。该第二层包括非掺杂区域及位于该非掺杂区域两侧的掺杂区域。该源极与该漏极均与该掺杂区域接触，该非掺杂区域及至少部分该掺杂区域显露于该源极与该漏极之间。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310281010.2有效
发明人： 安生健二 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括基板以及形成在基板上的栅极、半导体层、源极电极和漏极电极。所述源极电极与漏极电极分别在不同的光刻制程中形成。本发明的漏极电极和源极电极之间的沟道的宽度不会受到同一光刻制程中的掩模的图案加工精度的制约，可以做的更小。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201410819757.3有效
发明人： 安生健二 -专利权人：业鑫科技顾问股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、本征非晶硅层、n型非晶硅层、源极以及漏极。该栅极绝缘层设于该栅极与该本征非晶硅层之间。该本征非晶硅层包括掺杂区域及非掺杂区域。该n型非晶硅层位于该非掺杂区域表面。该源极与该漏极分别位于该本征非晶硅两侧且均与该n型非晶硅层及该掺杂区域接触且彼此分离设置。由于该n型非晶硅层及该掺杂区域的存在，可降低电子迁移率，使得当薄膜晶体管处于关闭状态时，能够有效降低漏电流，从而改善电气特性。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法-CN201310328020.7有效
发明人： 安生健二 -专利权人：业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板。其包括基板、栅极、第一绝缘层、通道层、源极、漏极以及第二绝缘层。所述栅极形成于所述基板上。所述第一绝缘层形成于所述基板上并覆盖所述栅极。所述通道层形成于所述第一绝缘层上且正对所述栅极。所述源极和漏极形成于所述第一绝缘层与通道层上且彼此间隔以露出所述通道层。所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、通道层与漏极。所述通道层的材质为非晶氧化物半导体。所述通道层包括每立方厘米所包含的氧离子的数量为1×10¹⁸至1×10²¹的高氧离子浓度区域。本发明还提供一种薄膜晶体管基板之制作方法。本发明所提供的薄膜晶体管基板及其制作方法能够得到具有稳定导电效果的薄膜晶体管基板。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法-CN201310253860.1有效
发明人： 安生健二 -专利权人：业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]液晶显示装置-CN201110294275.7有效
发明人： 安生健二;大谷智彦 -专利权人：株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示装置。栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。
液晶显示装置

[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN201110021240.6有效
发明人：后藤顺;畠山荣祐;安生健二;荻岛义智 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了显示装置及显示装置的制造方法，所述制造方法制造的显示装置具有栅电极膜、第一电极膜及第二电极膜以及导电膜，所述导电膜与第一电极膜连接，由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成。所述显示装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：形成第一电极膜和第二电极膜的电极膜形成工序；形成导电层使其与第一电极膜及第二电极膜连接的导电层形成工序；从导电层中除去规定区域以外的部分由此形成导电膜的导电膜形成工序，导电层形成工序包括：在第一电极膜及第二电极膜的上面分别形成第一导电层的第一导电层形成工序；和在第一导电层的上面形成第二导电层的第二导电层形成工序。
显示装置制造方法

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