“安徽感航电子科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种非相似冗余智能位移传感器-CN202210497024.7在审
发明人：张冰;郭彦青;李文璋;张裕悝;任海燕;朱廷伟;余菲;王臻;卫海燕;李曙光 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非相似冗余智能位移传感器，涉及位移传感器技术领域，包括外壳、LVDT传感器元件和类磁栅传感器元件，外壳内部固定安装有LVDT传感器元件，LVDT传感器元件与外壳之间安装有类磁栅传感器元件，LVDT传感器元件与类磁栅传感器元件相互嵌套滑动连接。本发明设计两个工作原理不同的冗余位移传感器，避免现有技术采用单个位移传感器存在事故隐患，同时解决了现有技术采用工作原理相同冗余位移传感器无法耐受不同失效机理的问题，工作时可靠性高；将LVDT传感器与类磁栅传感器高效集成在一起，具有结构紧凑，体积小的优点。
一种相似冗余智能位移传感器

[发明专利]一种高稳定度位移传感器的设计方法-CN202011241391.8有效
发明人：张冰;张裕悝;卫海燕 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高稳定度位移传感器的设计方法，其可保证高稳定度温度特性；首先在LVDT位移传感器的结构初步确定后，通过试验得到温度‑频率特性曲线,找到使LVDT位移传感器的次级电压V零温度系数点的频率，并选取在零温度系数点的频率下的品质因数Q，则对于给定的LVDT位移传感器，在规定激励频率下，按照零温度点频率的Q值，重新设计结构得到LVDT位移传感器。
一种稳定位移传感器设计方法

[发明专利]小行程LVRT补偿线圈的设计方法-CN201811563859.8有效
发明人：张冰;张裕悝 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本发明涉及小行程LVRT补偿线圈的设计方法，其特征在于：包括：步骤一：平绕出两组对称设置的线圈，且每组线圈均包括由同一线头依次绕出且长度相等的A线圈、B线圈、C线圈；步骤二：在C线圈的末端继续绕出长度小于C线圈长度的补偿线圈D和补偿线圈E；所述补偿线圈D和补偿线圈E位于测量范围之外且在铁芯移动的过程中始终被覆盖，以改善磁场的不均匀度和提高LVRT的线性度。本发明设计制作的LVRT线性度优于0.2％，可制作出外径为￠5、又能工作于200℃高温的LVRT产品，有利于用于石油钻探作业，且每台钻机可用40只LVRT。
行程 lvrt 补偿线圈设计方法

[发明专利]一种用于钻石无人机降落时的支柱转角精密测控装置-CN202011089411.4在审
发明人：张冰;张裕悝;卫海燕 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B64F5/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于钻石无人机降落时的支柱转角精密测控装置，涉及钻石无人机起落架技术领域，包括第一卡环和第二卡环，第一卡环外侧的中心位置设有基座，基座靠近一端设有LVDT传感器，基座靠近另一端设有直线轴承，LVDT传感器和直线轴承内设有滑杆，滑杆靠近直线轴承的一端设有连接板；第一卡环正下方设有半圆环，半圆环与连接板之间设有连杆。本发明可以精确测控无人机在降落时起落架支柱转角的数值，保证无人机的性能稳定；通过输出电压对应直线位移行程，然后飞控进行标定计算换算成角度信号，得出角度信息；LVDT传感器测量转动弦长计算出支柱的转动角度。
一种用于钻石无人机降落支柱转角精密测控装置

[发明专利]双余度LVDT抗交叉干扰设计方法-CN201811564514.4在审
发明人：张冰;张裕悝 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本发明涉及双余度LVDT抗交叉干扰设计方法，包括以下步骤：一：推导出屏蔽层材料、结构以及屏蔽效果之间的计算公式：其中，H为外部干扰磁场，H₀为H进入屏蔽层内磁场，R为屏蔽层半径，δ为屏蔽层厚度，μ为屏蔽层材料导磁率；二：根据公式计算出一层屏蔽层对外磁场强度的衰减量H₀/H，若衰减量不够，达不到小于0.5％F.S的要求，则再增加一层屏蔽层构成双层屏蔽。本发明设计的双余度LVDT，交叉干扰可以小于0.5％F.S，使用本专利设计2CRAC26‑7双余度LVDT实测交叉干扰6mV，差值输出为±1.5V，全行程输出3V，6mV/3V＝0.2％F.S，交叉干扰达0.2％F.S，有效解决了厚壁电涡流效应影响，采用该方法设计的LVDT，2只LVDT同时并列放在φ50X4的金属圆筒中，输出电压可保持6V不变。
交叉干扰屏蔽层双余度磁场屏蔽层材料衰减量输出公式计算计算公式金属圆筒屏蔽效果输出电压双层屏蔽外部干扰有效解决专利设计导磁率电涡流全行程厚壁推导实测并列

[发明专利]一种LVDT次级线圈设计方法及应用该方法的间绕工艺-CN201610260688.6有效
发明人：张裕悝;张冰;卫海燕 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LVDT次级线圈设计方法及应用该方法的间绕工艺，方法步骤如下步骤一得出传感器次级线圈的密度n2与位移Z成正比；步骤二得出C＝2S1/a2；步骤三k＝m‑1时，2k‑1＝2m‑1，Sk＝(2m‑1)S1；步骤四得出结论每个台阶的匝数Sk呈等差级数。本发明可以计出不同灵敏度的LVDT，能达到最大78％的行程长度比，0.1％/F·S的LVDT精度，温度系数满度优于0.01％/F·S/℃，除了一般LVDT进行差动测量即VA－VB与距离成线性关系外，还可以用比例因子输出，可以消除因Vin不稳而造成误差，总体一致性小于0.5％/F·S。
一种 lvdt 次级线圈设计方法应用工艺

[发明专利]一种高灵敏度LVDT设计方法及应用该方法的绕线工艺-CN201610261015.2有效
发明人：张裕悝;张冰;卫海燕 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种高灵敏度LVDT设计方法及应用该方法的绕线工艺，方法步骤如下步骤一L长线圈被分成m段，每段长为amm，每段匝数为ak，即a1、a2、a3……ak呈等差级数排列；步骤二根据线圈长度确定排布方式；步骤三a＝3mm，间距0.072mm，最多只能绕41.6圈，首项a1＝7，m＝24，公差d＝13.888，分八大部分，每部分3项，组成项数为24的等差级数；工艺步骤如下初级绕线、次级绕线、次级Ⅱ绕线、次级Ⅰ绕线。本发明实现了将4000圈按照等差级数排列，可以设计出高达1V/mm的高灵敏度LVDT，设计的绕线空间大于标称线径，不会造成重叠、磁场干扰的情况，符合用户的使用需求。
一种灵敏度 lvdt 设计方法应用工艺

[发明专利]一种三线制LVDT的绕线工艺-CN201610260278.1有效
发明人：张裕悝;张冰;卫海燕 -专利权人： 安徽感航电子科技有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01F41/064 文献下载
摘要：本发明涉及一种三线制LVDT的绕线工艺，所述工艺步骤如下第一步次级Ⅰ绕线、第二步次级Ⅱ绕线、第三步左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。本发明的有益效果是本发明不用初级线圈，仅用次级按等差级数排列，两组线圈串接，线性度为0.2％，温度系数为0.014/F.S/℃，按照本发明的技术方案制成的产品既具备了TD‑1系列产品较短的外形尺寸，也同时保证了线性度达到国家标准。
一种三线 lvdt 工艺

1
共 8 条