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[发明专利]功率模块以及功率模块的制造方法-CN201780088990.0有效
发明人：早川雄大;杉本安隆;加藤知树;守屋要一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的功率模块的特征在于具备：功率布线，设置功率元件；玻璃陶瓷多层基板，设置控制上述功率元件的控制元件；以及高导热陶瓷基板，由导热率比上述玻璃陶瓷多层基板所包含的玻璃陶瓷高的陶瓷材料构成，上述功率布线设置在上述高导热陶瓷基板上，在上述高导热陶瓷基板直接设置上述玻璃陶瓷多层基板。
功率模块以及制造方法

[发明专利]复合陶瓷多层基板、发热元件安装模块以及复合陶瓷多层基板的制造方法-CN201880021634.1有效
发明人：加藤知树;杉本安隆;守屋要一;早川雄大 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的复合陶瓷多层基板的特征在于，具备：玻璃陶瓷绝缘层，包含布线层；以及高热传导陶瓷绝缘层，由热传导率比上述玻璃陶瓷绝缘层高的陶瓷材料构成，上述玻璃陶瓷绝缘层是直接和/或经由布线层形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的一个主面或者上述高热传导陶瓷绝缘层的两个主面的复合陶瓷多层基板，具有1处以上在从上述复合陶瓷多层基板的主面的垂直方向观察的情况下，被上述玻璃陶瓷绝缘层围起，并露出形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的主面的发热元件安装用布线的发热元件安装部。
复合陶瓷多层发热元件安装模块以及制造方法

[发明专利]布线基板-CN201280033749.5无效
发明人：伊藤悟志;守屋要一;金森哲雄;八木幸弘;山本祐树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明的布线基板包括绝缘层(10)、以及夹着绝缘层(10)而进行配置的上侧布线图案(11)和下侧布线图案(12)。下侧布线图案(12)与向上侧布线图案(11)一侧突出的圆锥台的凸部(12A)一体成形，上侧布线图案(11)与向下侧布线图案(12)一侧突出的圆锥台的凸部(11A)一体成形。凸部(11A、12A)的接合端部相接合，从而形成层间连接导体(13)。层间连接导体(13)导通上侧布线图案(11)与下侧布线图案(12)。由此，提供一种不会妨碍小型化、并能防止层间连接导体的可靠性下降的布线基板。
布线

[发明专利]布线基板-CN201280014693.9无效
发明人：伊藤悟志;守屋要一;金森哲雄;八木幸弘;山本祐树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种包括绝缘层（10）、以及夹着该绝缘层（10）而进行配置的上侧布线图案（11）和下侧布线图案（12）。下侧布线图案（12）向上侧布线图案（11）一侧突出，与和上侧布线图案（11）导通的层间连接导体（12A）形成为一体。层间连接导体（12A）以比绝缘层（10）与上侧布线图案（11）的接合界面要更陷入上侧布线图案（11）一侧的状态，来与上侧布线图案（11）相接合。由此，来提供一种能应对大电流、而不会因裂纹、断线、层间剥离等而使连接可靠性降低的布线基板。
布线

[发明专利]半导体装置-CN201180041371.9无效
发明人： 守屋要一;金森哲雄;八木幸弘;杉本安隆;高田隆裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明涉及具备在动作时会发热的半导体元件和安装该半导体元件的基板的半导体装置，在该半导体装置中，能实现小型化且提高电流强度，并且能通过朝向基板的下表面来实现半导体元件的电连接。通过散热用基板(4)和布线用基板(5)来分担作为基板的功能，其中，该散热用基板(4)具有较高的导热率，且该散热用基板的两个主面(8,13)由电绝缘体来构成，在电绝缘体上形成有外部导体(14)；该布线用基板(5)安装于该散热用基板(4)的上方主面(8)上，且该布线用基板(5)具有比散热用基板(4)低的导热率，在该布线用基板(5)的内部形成有布线导体(18)，该布线导体(18)以银或铜为主要成分且与外部导体(14)电连接。在散热用基板(4)的上方主面(8)上、且在设于布线用基板(5)的通孔(6)内，安装半导体元件(2)。半导体元件(2)具有下表面电极(10)，该下表面电极(10)经由外部导体(14)与布线导体(18)电连接。
半导体装置

[发明专利]金属基基板及其制造方法-CN201180015855.6有效
发明人： 守屋要一;胜部毅;武森祐贵;金森哲雄;杉本安隆;高田隆裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
金属基基板及其制造方法

[发明专利]陶瓷烧结体及其制造方法-CN201180008901.X有效
发明人：元家真知子;鹫见高弘;胜部毅;守屋要一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C04B35/195 文献下载
摘要：本发明提供表现出高抗弯强度的多层陶瓷基板。作为构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷烧结体，使用下述陶瓷烧结体：包含石英、氧化铝、硅钛钡石、硅钡石和钡长石的各结晶相，用粉末X射线衍射分析法在衍射峰角度2θ＝10～40°的范围内测得的上述硅钛钡石的(201)面的衍射峰强度A与上述石英的(110)面的衍射峰强度B的关系为A/B≥2.5。较好是上述硅钛钡石结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。在用于获得这种陶瓷烧结体的烧成工序中，将最高温度设在980～1000℃的范围内。
陶瓷烧结及其制造方法

[发明专利]陶瓷组合物及其制造方法、陶瓷基板、以及陶瓷生坯层的制造方法-CN200880102216.1有效
发明人：元家真知子;立川勉;浦川淳;胜部毅;守屋要一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C04B35/195 文献下载
摘要：本发明提供一种不仅烧结后的组成的离差少、而且烧结体的弯曲强度高、在微波带的Q值高的陶瓷组合物。所述陶瓷组合物例如为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷组合物，其中，含有47.0～67.0重量％的SiO2、21.0～41.0重量％的BaO、及10.0～18.0重量％的Al2O3，同时含有相对于SiO2、BaO及Al2O3的合计100重量份为1.0～5.0重量份的作为第1添加物的CeO2、以及相对于SiO2、BaO、Al2O3及CeO2的合计100重量份为2.5～5.5重量份的作为第2添加物的MnO，且不含Cr。进而，还可以含有作为第3添加物的Zr、Ti、Zn、Nb、Mg及Fe成分中的至少一种和作为第4添加物的Co及/或V成分。
陶瓷组合及其制造方法以及生坯

[发明专利]镁橄榄石粉末的制造方法、镁橄榄石粉末、镁橄榄石烧结体、绝缘体陶瓷组合物以及层叠陶瓷电子器件-CN200680049222.6有效
发明人： 守屋要一;森直哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C01B33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种可以以较低温烧结、可以制造经济上有利的特性良好的镁橄榄石粉末的镁橄榄石粉末的制造方法。混合镁源、硅源和Cu粒子，制作以300～2000wtppm的范围含有Cu粒子的混合粉末，烧成该混合粉末。作为镁源，使用Mg(OH)₂，作为硅源，使用SiO₂。成为结晶结构为多结晶的镁橄榄石粉末。在溶剂的存在下混合镁源、硅源和Cu粒子，配制混合粉末。另外，以300～2000wtppm的比例含有Cu。粒径成为0.20～0.40μm的范围。另外，构成镁橄榄石的结晶直径成为0.034～0.040μm。
橄榄石粉末制造方法烧结绝缘体陶瓷组合以及层叠电子器件

[发明专利]绝缘体陶瓷组合物、绝缘性陶瓷烧结体及层叠型陶瓷电子部件-CN200580000713.7有效
发明人：森直哉;守屋要一;浦川淳;杉本安隆 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2005-02-02 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明提供用于绝缘性陶瓷层(3)的绝缘体陶瓷组合物，该绝缘性陶瓷层(3)在陶瓷多层模块(1)那样的层叠型陶瓷电子部件所具备的多层陶瓷基板(2)中被层叠，所述绝缘体陶瓷组合物含有以镁橄榄石为主成分的第1陶瓷粉末、由从以CaTiO₃、SrTiO₃及TiO₂中选择的至少一种为主成分的第2陶瓷粉末、硼硅酸玻璃粉末，硼硅酸玻璃粉末以Li₂O换算含有3～15重量％锂，以MgO换算含有30～50重量％镁，以B₂O₃换算含有15～30重量％硼，以SiO₂换算含有10～35重量％硅，以ZnO换算含有6～20重量％锌，以及以Al₂O₃换算含有0～15重量％铝。绝缘体陶瓷组合物能够在1000℃以下的温度下煅烧，其烧结体的介电常数低，共振频率的温度系数小，Q值高。
绝缘体陶瓷组合绝缘性烧结层叠电子部件

[发明专利]玻璃陶瓷多层基板的制造方法及玻璃陶瓷多层基板-CN02122822.1有效
发明人： 守屋要一;杉本安隆;近川修 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供了以平坦且烧结收缩率低的状态制造玻璃陶瓷多层基板的方法。该制造方法是将由显现不同烧结收缩行为的第1及第2生料片2及3层叠而成的未烧结层叠体6进行烧结，从而制得玻璃陶瓷多层基板1。烧结过程中，将第1及第2生料片2及3的收缩起始温度(℃)分别设定为TSa及TSb，将收缩量达到第1及第2生料片2及3在烧结结束时的收缩量的90％时的温度(℃)分别设定为TFa及TFb，且当升温速度为X℃/分钟时，使其满足(TFa+3X)＜TSb或(TFb+3X)＜TSa的关系。
玻璃陶瓷多层制造方法

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