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[发明专利]成膜方法及溅射装置-CN201210074252.X无效
发明人：川又由雄;宇都宫信明;伊藤昭彦 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明可利用溅射法形成不连续被膜。一种在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上进行成膜处理的成膜方法，将前述靶的表面温度控制为与常温相比成为规定温度以上，与未使前述靶的表面温度成为规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。
方法溅射装置

[发明专利]磁控溅射磁体部件、磁控溅射装置和方法-CN200780021242.7无效
发明人： 宇都宫信明;伊藤昭彦 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的磁控溅射磁体部件可以沿大致平行于目标的溅射表面的方向运动并且朝向该目标，所述磁控溅射磁体部件包括：内侧磁体，沿大致垂直于所述运动方向的方向延伸，所述内侧磁体的N极或S极与所述目标相对；外侧磁体，其围绕所述内侧磁体并和所示内侧磁体有间隔，所述外侧磁体和所述目标相对的磁极与所述内侧磁体的和所述目标相对的磁极相反；以及非磁性部件，设置在所述内侧磁体和所述外侧磁体之间并支持所述内侧磁体和所述外侧磁体。所述内侧磁体和所述外侧磁体和所述目标相对的磁极是可反转的。可以降低目标端部电子密度的不均匀性，并且使此处的等离子体密度均匀。因而，可以使目标端部的溅射率均匀，可以降低成膜对象上成膜分布的不均匀性。此外，可以降低目标蚀刻的不均匀性以改善目标利用效率。
磁控溅射磁体部件装置方法

[发明专利]用于溅射的电源装置和使用该装置的溅射设备-CN98802718.6有效
发明人：栗山升;谷津丰;宇都宫信明;安本裕二 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 1998-02-19 - 公布日： 2000-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供用于溅射的电源装置,通过在放电开始压力以下实现稳定的溅射,使由于与用于溅射的惰性气体的碰撞产生的溅射粒子的散射减少,可以改善阶梯覆盖度和改善溅射膜的致密性。按照本发明,提供用于溅射的电源装置,它包括溅射用直流电源(A),与该直流电源连接的恒流电路(B),与该恒流电路(B)连接的溅射源(21),和进行控制使从恒流电路(B)输出的电流变为恒定电流的控制部分(11)。
用于溅射电源装置使用设备