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[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201910500004.9有效
发明人： 宇津木康史;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种以高灵敏度检测基片与载置台剥离的技术。在真空容器内具有用于载置基片的载置台，在设置于载置台的电介质层内彼此隔开间隔地形成第一静电吸附电极和第二静电吸附电极。第一静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的周缘部，第二静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的中央部。从第一直流电源和第二直流电源分别对第一静电吸附电极和第二静电吸附电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压。由电压测量部测量施加到第一静电吸附电极的直流电压，由剥离检测部在测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。
处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910505078.1有效
发明人： 宇津木康史;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供不论基片的大小如何都能够在进行等离子体处理时高精度地检测出基片与载置台的局部剥离的技术。本发明的等离子体处理装置中，对静电吸附电极施加直流电压，将玻璃基片静电吸附于载置台，根据直流电压的变化来检测出玻璃基片与载置台的剥离，该等离子体处理装置能够测量施加到静电吸附电极的直流电压并获取电压测量值。并且，获取电压测量值与经施加的电压设定值的差值，将差值放大来获取差放大值。并且比较差放大值与阈值，当差放大值超过了阈值时，停止施加产生等离子体的高频电力。因此，当玻璃基片大型化而直流电压的变化变小时，也能够检测出玻璃基片与载置台的剥离。
等离子体处理装置方法

[发明专利]除电方法和等离子体处理系统-CN202111500119.1在审
发明人： 宇津木康史;冨山和哉;前田高志;北野拓磨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种除电方法和等离子体处理系统。本发明的一个方式的除电方法，其在用处理等离子体对吸附在静电吸盘上的基片进行处理之后，对静电吸盘和基片进行除电，其包括：步骤a，在所述处理之后，生成除电等离子体；步骤b，在步骤a之后，使施加到吸附电极的吸附电压停止；步骤c，在步骤b之后，将吸附电极与经由电阻部而接地的接地线路连接，其中，电阻部能够将电阻值至少设定为第1电阻值和比该第1电阻值小的第2电阻值中的任一者；步骤d，在步骤c之前，选择电阻部的电阻值；和步骤e，在步骤d与步骤c之间，将电阻部的电阻值设定为步骤d中所选择的电阻值。根据本发明，能够抑制异常放电的产生且调节电压下降时间。
方法等离子体处理系统

[发明专利]基板脱离方法和等离子体处理装置-CN202110762462.7在审
发明人： 宇津木康史;里吉务 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供一种基板脱离方法和等离子体处理装置，抑制对基板的静电吸附力的下降。是使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离的方法，所述基板脱离方法包括以下工序：在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及对所述吸附电极施加负的直流电压。
脱离方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法和基板处理装置-CN202110613525.2在审
发明人： 宇津木康史;里吉务;大泽秀和;依田悠 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和基板处理装置。蚀刻方法包括：工序(a)，将形成有具有第一钛膜和铝膜的层叠膜的基板配置在处理室内；工序(b)，一边追随处理室内或排气管内的压力的变化地对压力控制阀的开度进行自动控制，一边借助掩模来蚀刻第一钛膜；工序(c)，根据在工序(b)中采样得到的压力控制阀的开度的值来计算第一开度值；工序(d)，在开始蚀刻铝膜时将压力控制阀的开度设定为第一开度值，来蚀刻铝膜；工序(e)，在工序(d)中监视压力，在压力超过了阈值的情况下，利用变化量将第一开度值变更为第二开度值，蚀刻方法包括工序(f)，在该工序(f)中，在到铝膜的蚀刻结束为止的期间进行一次以上工序(e)。
蚀刻方法处理装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201610153582.6有效
发明人：东条利洋;山口克昌;宇津木康史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载置台(21)的、将基板(G)静电吸附于载置台(21)的静电吸附电极(27)；向该静电吸附电极(27)施加直流电压的直流电源(28)；供给用于生成等离子体的高频电力的等离子体生成用高频电源(41)；和用于监视被施加于静电吸附电极(27)的直流电压的直流电压监视器(46)，当由直流电压监视器监视的直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造-CN201711037451.2有效
发明人：东条利洋;宇津木康史;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。在等离子体处理装置中，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上，在处理室内对载置台施加偏压用的高频电力并对基板进行等离子体处理，其具有多个分隔构件，该分隔构件设于载置面的下方位置且有导电性材料构成，将处理室分隔成对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，多个分隔构件不具有开口部且与接地电位相连接使得该多个分隔构件作为偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。本发明能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域。
等离子体处理装置应用于排气构造

[发明专利]等离子体处理装置及其中使用的排气结构-CN201610516168.7有效
发明人： 宇津木康史;东条利洋;山涌纯;藤永元毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，在对载置台施加高功率的高频电力的情况下，有效地防止等离子体侵入排气部和挡板上方放电变得不稳定。该等离子体处理装置对于在处理室(4)内载置于载置台(23)的载置面上的基板(G)，在对载置台(23)施加高频偏压的同时进行等离子体处理，其包括设置在排气口(30)部分的第一开口挡板(34)和第二开口挡板(35)，第一开口挡板(34)设置在排气路径下游侧，第二开口挡板(35)设置在排气路径上游侧，第一开口挡板(34)被接地，第二开口挡板(35)处于电浮置状态，第一和第二开口挡板(34、35)以可在它们之间生成稳定放电的间隔设置。
等离子体处理装置其中使用排气结构

[发明专利]等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造-CN201510239622.4有效
发明人：东条利洋;宇津木康史;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供即使在对载置台施加高功率的高频电力的情况下也能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域的等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。一种等离子体处理装置，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上，在处理室内对载置台施加偏压用的高频电力并对基板进行等离子体处理，其具有多个分隔构件，该分隔构件设于载置面的下方位置且有导电性材料构成，将处理室分隔成对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，多个分隔构件不具有开口部且与接地电位相连接，相邻的分隔构件以在彼此之间形成将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。
等离子体处理装置应用于排气构造

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