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[发明专利]存储器装置中的多层级单元和多子块编程-CN202211657831.7在审
发明人： L·C·米兰达;宁涉洋;J·S·麦克尼尔;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及存储器装置中的多层级和多子块编程。存储器装置中的控制逻辑使升压电压施加到所述存储器阵列的块的多个未选定字线一或多次，所述块包括多个子块，并且在每次施加所述升压电压时，所述升压电压将所述多个子块中的每一个的沟道电位升高某一量。所述控制逻辑进一步在每一次施加所述升压电压之后，根据表示要编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式，从所述多个子块中的一或多个选择性地释放所述量的升压电压。另外，所述控制逻辑使单个编程脉冲施加到所述块的一或多个选定字线，以根据所述数据模式编程所述多个子块的所述相应存储器单元。
存储器装置中的多层单元多子块编程

[发明专利]非易失性存储器的存储器操作之间的时间间隔-CN202210997963.8在审
发明人： 宁涉洋;K·帕克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/32 文献下载
摘要：本公开涉及非易失性存储器的存储器操作之间的时间间隔。方法包含在存储器部件的某一位置上执行具有第一类型的第一存储器操作。所述方法进一步包含响应于接收到在所述位置上执行具有第二类型的第二存储器操作的访问请求，在所述第一存储器操作完成后，在与所述第一类型和所述第二类型相关的特定时间间隔对应的时间段内防止执行所述第二存储器操作。
非易失性存储器存储器操作之间时间间隔

[发明专利]具有四个数据线偏置电平的存储器装置-CN202210941589.X在审
发明人： H·T·阮;T·O·伊瓦萨基;E·E·于;D·斯里尼瓦桑;宁涉洋;L·C·米兰达;A·S·叶;蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请案涉及具有四个数据线偏置电平的存储器装置。存储器装置可包含：第一锁存器，其用以存储第一数据位；第二锁存器，其用以存储第二数据位；数据线，其选择性地连接到所述第一锁存器、所述第二锁存器和串联连接的存储器单元串；以及控制器，其经配置以在选定存储器单元的编程操作期间偏置所述数据线。所述控制器可在所述第一数据位等于0且所述第二数据位等于0的情况下，将所述数据线偏置到第一电压电平；在所述第一数据位等于1且所述第二数据位等于0的情况下，将所述数据线偏置到第二电压电平；在所述第一数据位等于0且所述第二数据位等于1的情况下，将所述数据线偏置到第三电压电平；以及在所述第一数据位等于1且所述第二数据位等于1的情况下，将所述数据线偏置到第四电压电平。
具有四个数据线偏置电平存储器装置

[发明专利]用于阈值电压分布的上尾收紧的快速位擦除-CN202210862698.2在审
发明人： 宁涉洋;L·C·米兰达;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及用于阈值电压分布的上尾收紧的快速位擦除。一种存储器装置包含：第一柱，其与第一数据线耦合；第二柱，其与第二数据线耦合；字线，其与第一柱和第二柱耦合。控制逻辑用以：使得字线在编程脉冲施加到所选择字线之后放电；使得电源电压施加到第二数据线以引起第二柱的电压浮动；使得接地电压施加到第一数据线以抑制经由第一柱的软擦除；使得非所选字线充电以升高与所述第二柱耦合的存储器单元中的通道电压；以及使得所述接地电压或负电压中的一者施加到所述所选择字线以增加与所述第二柱耦合的存储器单元的通道与所述所选择字线之间的软擦除电压，从而使得存储在所述存储器单元中的阈值电压被擦除。
用于阈值电压分布收紧快速擦除

[发明专利]存储器编程操作中的覆写模式-CN202210546665.7在审
发明人： T·O·伊瓦萨基;K·坦派罗;J·黄;L·C·米兰达;宁涉洋 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：描述用于在覆写模式中执行存储器编程操作的系统和方法。实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线和多个位线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：响应于识别将由所述存储器阵列的一部分存储的第一数据项，致使执行第一存储器编程操作以将所述存储器阵列的所述部分包括的存储器单元集编程到第一目标阈值电压；和响应于识别将由所述存储器阵列的所述部分存储的第二数据项，致使执行第二存储器编程操作以将所述存储器单元集编程到超过所述第一目标阈值电压的第二目标阈值电压。
存储器编程操作中的模式

[发明专利]减小存储器编程操作中的最大编程电压-CN202210480392.0在审
发明人： 宁涉洋;L·C·米兰达;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明描述了用于减小存储器编程操作中的最大编程电压的系统和方法。实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线和多个位线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：识别用于执行存储器编程操作的一或多个存储器单元，其中所述存储器单元电耦合到目标字线和一或多个目标位线；使所述存储器阵列的漏极侧选择栅极和源极侧选择栅极断开；使所述存储器阵列的未选字线放电到预定义电压电平；以及将一或多个编程电压脉冲施加到所述目标字线。
减小存储器编程操作中的最大电压

[发明专利]存储器子系统中的间歇式动态开始电压和编程验证采样-CN202210481161.1在审
发明人： L·C·米兰达;E·N·李;刘彤;宁涉洋;C·B·洛珀;U·鲁索 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及存储器子系统中的间歇式动态开始电压和编程验证采样。存储器装置中的控制逻辑识别与将被编程的存储器单元集的第一存储器单元子集相关联的第一字线群组。在所述第一存储器单元子集的第一部分上执行包含第一编程脉冲集和第一编程验证操作集的第一动态开始电压操作以识别第一动态开始电压电平，所述第一动态开始电压操作的所述执行包含致使所述第一编程脉冲集施加到所述第一字线群组的至少一部分。致使包含具有所述第一动态开始电压电平的至少一个编程脉冲的第二编程脉冲集施加于所述第一字线群组以编程所述存储器单元集的所述第一存储器单元子集的第二部分。
存储器子系统中的间歇动态开始电压编程验证采样

[发明专利]一种存储器结构-CN201810866884.7有效
发明人： 宁涉洋 -专利权人： 宁涉洋;王轶;麻耀坤
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构，属于半导体技术领域。所述存储器结构包括：衬底；与衬底平行的字线；穿插于字线并与衬底垂直的柱体；位于柱体的一端、与各柱体一一对应或者供多个柱体共享的第一晶体管；位于柱体的另一端、与各柱体一一对应的第二晶体管。本发明中的存储器结构，通过在柱体的一端布设与各柱体一一对应或者可供多个柱体共享的第一晶体管，在保障了存储器结构性能的前提下，提高了供给存储器结构在初始化和写数据时所需的电流，不仅满足了存储器高密度的需求，而且数据的写入更容易，降低了误码率，提高了数据的写入速率。
一种存储器结构

[发明专利]存储器子系统中的存储器装置的全电平编程-CN202210305384.2在审
发明人： 宁涉洋;L·C·米兰达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器子系统中的存储器装置的全电平编程。存储器装置中的控制逻辑识别配置为在编程操作期间编程的多电平单元MLC存储器的多个存储器单元中的一组且在所述编程操作的第一时段期间将斜变字线电压施加到与存储器阵列相关联的一组字线。所述控制逻辑在所述第一时段期间致使与所述一组存储器单元相关联的一组柱与电源电压及接地电压断开，其中每一柱对应于一组编程电平中的编程电平。所述控制逻辑进一步在所述编程操作的第二时段期间致使一组编程脉冲施加到所述一组存储器单元，其中所述一组编程脉冲中的每一编程脉冲对与所述识别组存储器单元相关联的所述一组编程电平中的每一编程电平进行编程。
存储器子系统中的装置电平编程

[发明专利]使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力-CN202111490823.3在审
发明人： 宁涉洋;L·米兰达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请案涉及使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力。存储器装置中的控制逻辑识别对存储器单元执行存储器存取操作的请求。致使对应于第一电压斜坡斜率水平的第一组脉冲在所述存储器存取操作的第一时间间隔期间被施加到所述存储器单元。所述控制逻辑致使对应于第二电压斜坡斜率水平的第二组脉冲在所述存储器存取操作的所述执行的第二时间间隔期间被施加到所述存储器单元，其中所述第一斜率水平与所述第二斜率水平不同。
使用受控斜率管理存储器装置电介质应力

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