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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及应用-CN202210400148.9在审
发明人：彭海琳;李雯;王赫群;孙禄钊;郑黎明;唐际琳;高欣 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D71/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及其应用。本发明的方法通过金属膜辅助无需任何有机高分子胶层辅助，可消除残胶影响，转移后石墨烯薄膜完整度高、洁净区域广，并可实现批量制备。本发明方法工艺简单、耗时短，制备的复合膜中石墨烯完整度高，可达90％‑99％。并且制备的石墨烯复合膜无需去除金属膜，可直接应用于氢同位素分离。
金属膜辅助转移石墨薄膜方法应用

[发明专利]无孪晶单晶金属晶圆的制备方法-CN202210247183.1在审
发明人：刘忠范;竺叶澍;贾开诚;邵家新;李杨立志;孙禄钊;蔡阿利 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
无孪晶单晶金属制备方法

[发明专利]批量制备石墨烯薄膜的方法-CN202210160381.4在审
发明人：刘忠范;孙禄钊;马子腾;陈恒;李勤 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种批量制备石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：R1，将衬底与隔层相互交叠放置，形成叠层结构；R2，使用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯薄膜。通过对隔层材料种类及结构进行合理设计，既可避免高温下相邻衬底间的粘连，也可促进前驱体在衬底表面的扩散与传质。生长得到的各层石墨烯畴区直径可达几百微米，且具有较高的结晶质量。为进一步提升石墨烯的生长速度，可在R1步骤前在叠层结构表面实现催化剂的负载。通过催化剂的助催化，进一步加快衬底表面石墨烯的生长。这一方法的使用，可同时兼顾石墨烯的生长速度与单批产能，进而为石墨烯薄膜的批量制备提供了一条新的途径。
批量制备石墨薄膜方法

[发明专利]大面积多层石墨烯及其制备方法-CN202010725305.4有效
发明人：刘忠范;陈步航;孙禄钊;李杨立志;丁庆杰;赵振勇;梁宇;王悦晨;刘海洋 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。
大面积多层石墨及其制备方法

[发明专利]石墨烯薄膜及其制备方法-CN202310442703.9在审
发明人：刘忠范;陈恒;孙禄钊 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯薄膜的制备方法及其该方法制备的石墨烯。该制备方法以乙炔、丙酮和氩气的混合气体为碳源在衬底上生长石墨烯薄膜。本发明以乙炔、丙酮和氩气的混合气体为碳源可以实现在多种衬底上的快速、高质量、大面积生长石墨烯薄膜。生长时间可以从小时量级缩短到分钟量级，显著缩短石墨烯的生长时间；同时生长的石墨烯薄膜单层覆盖度＞99％，ID/IG显著低于0.05，可以显著提高石墨烯的单层覆盖度及石墨烯薄膜的质量；可实现一定面积范围的石墨烯薄膜的批量生长。
石墨薄膜及其制备方法

[发明专利]一种单晶石墨烯及其制备方法-CN202010380747.X有效
发明人：刘忠范;刘海洋;孙禄钊;李杨立志;王悦晨 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括通过化学气相沉积工艺制备所述单晶石墨烯；其中，所述化学气相沉积工艺包括如下步骤：S1：于不包含还原性气体的反应体系内，在基底上形成石墨烯核；以及S2：于还原性气体的作用下，在所述石墨烯核的基础上形成所述单晶石墨烯。本发明一实施方式的单晶石墨烯的制备方法，在石墨烯成核阶段未使用还原性气体，使得石墨烯核的取向完全受单晶基底的调控，实现取向一致。
一种晶石及其制备方法

[发明专利]多层石墨烯及其生长方法-CN201910680165.0有效
发明人：刘忠范;彭海琳;孙禄钊;钟山;李杨立志;王悦晨;余屹;陈步航 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。
多层石墨及其生长方法

[发明专利]控制二维材料晶界角度的方法及其应用-CN202210359580.8在审
发明人：刘忠范;李杨立志;刘海洋;孙禄钊;林立 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定。本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
控制二维材料角度方法及其应用

[发明专利]分区式石墨烯薄膜制备装置及制备方法-CN202210291247.8在审
发明人：刘忠范;陈恒;孙禄钊;朱安邦;马子腾;李勤 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
分区石墨薄膜制备装置方法

[发明专利]一种制备大面积单晶铜箔的方法-CN201910816010.5有效
发明人：刘忠范;彭海琳;孙禄钊;李杨立志;陈步航;蔡阿利;刘海洋;王悦晨 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B1/06 文献下载
摘要：本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
一种制备大面积铜箔方法

[发明专利]清洁石墨烯的方法-CN201810615694.8有效
发明人：刘忠范;彭海琳;孙禄钊;李杨立志;刘晓婷;林立;张金灿;贾开诚 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
清洁石墨方法

[发明专利]一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法-CN201810534499.2有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李杨立志;孙禄钊;王可心;张金灿;贾开诚;刘晓婷 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C01B32/196 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
一种纳米材料清洁石墨表面方法

[发明专利]静态清洁石墨烯表面的方法和装置-CN201811051425.X有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李杨立志;孙禄钊;张金灿;贾开诚;刘晓婷 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
静态清洁石墨表面方法装置

[实用新型]化学气相沉积系统及其局域供气装置-CN202020788756.8有效
发明人：刘忠范;李杨立志;刘海洋;孙禄钊;王悦晨;陈步航;梁宇 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提出一种化学气相沉积系统及其局域供气装置，局域供气装置设置于化学气相沉积系统的腔室上。其中，局域供气装置包含转向管、腔内连接组件、供气终端管路、腔外连接组件以及腔外气体管路。转向管穿设于腔室并具有转向结构、内管口和外管口，内管口和外管口分别位于腔室的内部和外部。腔内连接组件设置于内管口。供气终端管路设置于腔室的内部并通过腔内连接组件连接于内管口。腔外连接组件设置于外管口。腔外气体管路设置于腔室的外部并通过腔外连接组件连接于外管口。本实用新型利用可以在不影响正常全局供气构造的同时，在腔室中实现局域供气功能。
化学沉积系统及其局域供气装置

[发明专利]一种单晶铜箔的制备方法-CN201910710749.8有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李杨立志;孙禄钊;刘海洋;王悦晨 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
一种铜箔制备方法

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