专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法-CN201410003674.7有效
  • 袁广才;王东方;成军;孔祥永;赵策 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2014-01-03 - 2014-04-23 - H01L27/12
  • 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括第一薄膜晶体管和像素电极,具体包括如下步骤:在基板上形成缓冲层的步骤在完成上述步骤的基板上,沉积半导体材料和源漏金属材料,通过一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管中有源层和源漏电极的图形。本发明提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法,通过对阵列基板制作工艺流程的调整,可大大缩短薄膜晶体管的制作周期,同时由于经历比较少的工艺步骤,可以很好的提高薄膜晶体管的特性,使得薄膜晶体管的阈值电压不会发生较大的漂移,同时可提高产品的良率,而且使器件的稳定和可靠性更加适合于长时间的使用。
  • 显示装置阵列及其制造方法
  • [实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201320613545.0有效
  • 孙宏达;成军;王美丽;孔祥永 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-09-30 - 2014-04-02 - H01L29/786
  • 本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层,其中,与所述栅极同层设置有栅极预形成层,所述栅极形成在所述栅极预形成层中;和/或,与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层,所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。本实用新型的有益效果是:该薄膜晶体管结构以及相应的阵列基板中,能够有效减缓栅极或源极和漏极因斜坡处的刻蚀缺陷所带来的负面效果,杜绝后续膜层的凸出状况或凹陷造成的不连续状况的可能,提高显示装置的品质。
  • 薄膜晶体管阵列显示装置
  • [发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN201310557149.5有效
  • 孔祥永;王东方 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-11-11 - 2014-01-29 - H01L27/32
  • 本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,属于显示装置制造技术领域,其可解决现有的显示面板光经阴极层透出时,阴极层较薄,电阻较大,其导电性能较差,导致发光器件显示不均匀的技术问题。本发明的显示面板,包括相互对盒的第一基板和第二基板,所述第二基板上设置有有机电致发光器件,所述有机电致发光器件的阳极层远离第一基板,阴极层靠近第一基板;所述有机电致发光器件的阴极层,通过多个间隔排列的导电隔垫物与设置在第一基板入光面上的辅助电极电连接,所述阴极层为透明电极层。
  • 一种显示面板及其制备方法显示装置
  • [发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201310487699.4无效
  • 孔祥永;成军 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-10-17 - 2014-01-01 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种阵列基板,包括基板之上的栅电极层和像素电极层,所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触,构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极;其中,所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分,所述栅电极层包括第一部分,所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对;所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分,所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。本发明实施例有益效果如下:只需利用同一掩膜版即可完成栅电极层和像素电极层的构图,减少使用不同掩膜版的数量和次数,降低了生产成本。本发明还提供阵列基板的制备方法及显示装置。
  • 一种阵列及其制备方法显示装置
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示器件-CN201310221456.6有效
  • 孔祥永;成军;王东方;袁广才 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-06-05 - 2013-09-25 - H01L29/786
  • 本发明的实施例提供薄膜晶体管及其制作方法和显示器件。该薄膜晶体管的制作方法包括形成栅极、栅极绝缘层、源电极和漏电极的过程,还包括形成半导体层和欧姆接触层的过程。所述欧姆接触层位于所述半导体层的侧面并与所述半导体层的侧面接触。所述形成半导体层和欧姆接触层的过程包括:对栅极绝缘层进行图案化处理以在栅极绝缘层中形成相互连通的第一凹槽和第二凹槽;在所述第一凹槽中形成所述半导体层,在所述第二凹槽中形成所述欧姆接触层;所述第一凹槽与所述半导体层的形状相一致,所述第二凹槽与所述欧姆接触层的形状相一致。
  • 薄膜晶体管及其制作方法显示器件
  • [实用新型]阵列基板、显示装置-CN201320148552.8有效
  • 成军;陈江博;孔祥永 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-03-28 - 2013-08-07 - H01L27/32
  • 本实用新型实施例公开了一种阵列基板、显示装置,涉及显示装置技术领域,利用透明氧化物有源层第二区域形成储存电容的第一电极板,增加了阵列基板的开口率。本实用新型实施例的阵列基板,包括:氧化物有源层、像素电极,所述氧化物有源层包括氧化物有源层第一区域以及氧化物有源层第二区域的图案,所述像素电极与所述氧化物有源层第二区域相对应的部分形成储存电容,所述氧化物有源层第二区域构成储存电容的第一电极板,所述与氧化物有源层第二区域相对应的像素电极构成储存电容的第二电极板,所述第一电极板与第二电极板之间的膜层构成储存电容的介电质。
  • 阵列显示装置
  • [发明专利]阵列基板、显示装置及制作方法-CN201310104658.2在审
  • 成军;陈江博;孔祥永 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-03-28 - 2013-07-17 - H01L27/32
  • 本发明实施例公开了一种阵列基板、显示装置及制作方法,涉及显示装置技术领域,利用透明氧化物有源层第二区域形成储存电容的第一电极板,增加了阵列基板的开口率。本发明实施例的阵列基板,氧化物有源层、像素电极,所述氧化物有源层包括氧化物有源层第一区域以及氧化物有源层第二区域的图案,所述像素电极与所述氧化物有源层第二区域相对应的部分形成储存电容,所述氧化物有源层第二区域构成储存电容的第一电极板,所述与氧化物有源层第二区域相对应的像素电极构成储存电容的第二电极板,所述第一电极板与第二电极板之间的膜层构成储存电容的介电质。
  • 阵列显示装置制作方法
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示装置-CN201310053699.3无效
  • 孔祥永;成军;王东方;袁广才 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-02-19 - 2013-06-19 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法和显示装置,以解决现有技术中欧姆接触层的刻蚀工艺难控制,并且刻蚀液会对氧化物半导体层材料特性产生不利影响的问题。本发明中形成半导体层和欧姆接触层的过程包括:对于所述栅极绝缘层,在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处,通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案;在所述栅极绝缘层上,对应所述半导体图案形状的图案化位置处形成半导体层,对应所述欧姆接触层图案形状的图案化位置处形成欧姆接触层。通过本发明无需对欧姆接触层进行刻蚀,避免了刻蚀药液对氧化物半导体层及欧姆接触层材料的影响。
  • 薄膜晶体管及其制作方法显示装置
  • [发明专利]一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201110392729.4有效
  • 孔祥永 - 上海中航光电子有限公司
  • 2011-11-30 - 2013-06-05 - H01L27/12
  • 本发明实施例公开了一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。所述用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板包括:玻璃基板;依次位于所述玻璃基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层;位于所述欧姆接触层上的源极和漏极;位于所述源极和漏极上的有机绝缘膜;位于所述有机绝缘层上的上无机绝缘膜;位于所述上无机绝缘膜上的p-ITO像素电极,所述p-ITO像素电极通过所述上无机绝缘膜及有机绝缘膜内的通孔与所述漏极相连。本发明所提供的用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板,可以解决p-ITO与有机绝缘膜之间表面接触特性差而导致刻蚀工艺难以控制的问题。
  • 一种用于显示装置薄膜晶体管阵列及其制造方法
  • [发明专利]耐高温复合树脂组合物-CN201010582718.8无效
  • 姚伯龙;李海亮;褚路轩;李祥;孔祥永 - 江南大学
  • 2010-12-10 - 2012-07-11 - C08G81/00
  • 使用耐高温的工程塑料对一些通用塑料进行物理改性,使用的耐高温树脂是经过特别改性的可以和聚氯乙烯和聚苯乙烯有较好相容性的树脂,使他们可以达到较好的相容,从而增加其透明性和复合的要求。上述所说的树脂是由两端含有-NH2基团聚酰亚胺树脂和两端含有-COOH基团的聚酯树脂,在催化剂的作用下,在一定的溶剂和反应温度下,将上述两种树脂按一定的比例进行反应,得到的树脂是既含有聚酰亚胺树脂结构和聚酯结构的树脂。将上述自制树脂和所需改性树脂进行共混。
  • 耐高温复合树脂组合

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