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[发明专利]半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件-CN202110577656.X有效
发明人：李强;刘维;张海宇;杨彦刚;左义忠;姜明宝 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件，半导体器件终端结构包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽内侧覆盖有第一绝缘氧化物层并设置有第一多晶硅；隔离沟槽，隔离沟槽中设置有第二绝缘氧化物层，隔离沟槽中的第一绝缘氧化物层与屏蔽栅沟槽中的第二绝缘氧化物层连通。通过在终端处相邻两个屏蔽栅沟槽之间设置填充有绝缘氧化材料的隔离沟槽，隔离沟槽将屏蔽栅沟槽界定出的外延层区隔离开，可以使靠近隔离沟槽的有源区内的外延层区和有源区深处的外延层区具有基本相同的电场分布，从而有效提高终端结构的最高耐压，并降低了芯片制造的工艺难度，可以提升芯片制造的效率。
半导体器件终端结构制造方法

[实用新型]一种IGBT导通损耗测试电路及系统-CN202121354853.7有效
发明人：于圣慧;姜明宝 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT导通损耗测试电路及系统，包括：脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；脉冲信号单元与驱动单元的一端连接，驱动单元的另一端与开关速度调节单元连接，开关速度调节单元的另一端与待测单元连接，待测单元的另一端与钳位电路连接；脉冲信号单元用于提供脉冲信号；驱动单元用于将放大后的脉冲信号通过开关速度调节单元传输至待测单元以驱动待测单元；开关速度调节单元用于控制待测单元的导通速度和关断速度；钳位电路用于提供待测单元的低压检测环境；测试单元与待测单元和钳位电路连接，测试单元用于测试待测单元的导通损耗，通过上述设置，能够准确地获取待测单元的导通损耗。
一种 igbt 损耗测试电路系统

[发明专利]半导体器件的耐量测试装置及方法-CN202010315718.5有效
发明人：赵建伟;姜明宝;李强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件的耐量测试装置及方法，通过电流冲击单元按照设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期向待测半导体器件输入电流冲击信号，并通过测试单元测试待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态后，由主控单元根据待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态生成待测半导体器件的电流上升率耐量值。如此，能够将半导体器件的电流上升率耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流上升率耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的失效比例。
半导体器件测试装置方法

[发明专利]可控硅耐量测试装置及方法-CN202010315714.7有效
发明人： 姜明宝;赵建伟;李强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种可控硅耐量测试装置及方法，通过第一控制电路根据设定冲击持续时间和设定冲击间隔时间控制第二控制电路每次输入的电流冲击信号的冲击持续时间和冲击间隔时间。然后，通过第二控制电路按照设定冲击电流幅度向待测可控硅输入电流冲击信号，并记录电流冲击信号的冲击次数。最后，通过回路电流检测电路检测待测可控硅的回路电流信号，并根据回路电流信号显示待测可控硅的回路电流状态。如此，能够基于待测可控硅的回路电流状态分析电流冲击信号的冲击次数，将半导体器件的电流冲击耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流冲击耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的器件失效比例。
可控硅测试装置方法

[实用新型]晶体管放大电路和晶体管放大设备-CN202121278459.X有效
发明人：姜兰举;姜明宝 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本申请提供的晶体管放大电路和晶体管放大设备，涉及电子电路技术领域。在本申请中，晶体管放大电路包括信号输入端、同相比例放大单元、功率放大单元和信号输出端。信号输入端用于接收待处理信号。同相比例放大单元的输入端与信号输入端电连接，用于对待处理信号进行放大并输出前置放大信号。功率放大单元的输入端与同相比例放大单元的输出端电连接，用于对前置放大信号进行放大并输出目标放大信号，其中，功率放大单元包括一个晶体管器件。信号输出端与功率放大单元的输出端电连接，用于输出目标放大信号。基于上述电路，可以改善现有技术中在放大信号的过程中容易出现交越失真的问题。
晶体管放大电路设备

[发明专利]晶体管放大电路和晶体管放大设备-CN202110635718.8在审
发明人：姜兰举;姜明宝 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本申请提供的晶体管放大电路和晶体管放大设备，涉及电子电路技术领域。在本申请中，晶体管放大电路包括信号输入端、同相比例放大单元、功率放大单元和信号输出端。信号输入端用于接收待处理信号。同相比例放大单元的输入端与信号输入端电连接，用于对待处理信号进行放大并输出前置放大信号。功率放大单元的输入端与同相比例放大单元的输出端电连接，用于对前置放大信号进行放大并输出目标放大信号，其中，功率放大单元包括一个晶体管器件。信号输出端与功率放大单元的输出端电连接，用于输出目标放大信号。基于上述电路，可以改善现有技术中在放大信号的过程中容易出现交越失真的问题。
晶体管放大电路设备

[发明专利]一种IGBT导通损耗测试电路及系统-CN202110671821.8在审
发明人：于圣慧;姜明宝 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT导通损耗测试电路及系统，包括：脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；脉冲信号单元与驱动单元的一端连接，驱动单元的另一端与开关速度调节单元连接，开关速度调节单元的另一端与待测单元连接，待测单元的另一端与钳位电路连接；脉冲信号单元用于提供脉冲信号；驱动单元用于将放大后的脉冲信号通过开关速度调节单元传输至待测单元以驱动待测单元；开关速度调节单元用于控制待测单元的导通速度和关断速度；钳位电路用于提供待测单元的低压检测环境；测试单元与待测单元和钳位电路连接，测试单元用于测试待测单元的导通损耗，通过上述设置，能够准确地获取待测单元的导通损耗。
一种 igbt 损耗测试电路系统

[实用新型]一种可控硅耐冲击性能测试电路和设备-CN201821360272.2有效
发明人： 姜明宝;李盛楠;孟宪博 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H02P7/03 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种可控硅耐冲击性能测试电路和设备，其中，可控硅耐冲击性能测试电路，包括：开关控制电路和可控硅安装构件；可控硅安装构件设置有控制电压输入端、电源连接端、电机连接端和插孔；插孔用于安装可控硅，电源连接端用于连接第一交流电源，电机连接端用于连接电机，控制电压输入端与开关控制电路的信号输出端连接，开关控制电路用于控制电机进行周期性正转和反转。因此，通过开关控制电路控制两个可控硅进行交替导通，来自动控制电机进行周期性的交替正反转，从而实现对可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。
可控硅开关控制电路耐冲击性能测试控制电压输入端电路电源连接端耐冲击性能安装构件电机连接插孔自动控制电机电机正反转信号输出端测试交流电源交替导通控制电机连接电机人工操作错误率正反向正反转反转正转申请

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