专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单相陶瓷靶材及其制备方法和用途-CN201810556388.1有效
  • 贾婷婷;刘聪;姚竣翔;樊子冉;程振祥 - 中国科学院深圳先进技术研究院
  • 2018-06-01 - 2021-04-23 - C04B35/462
  • 本发明公开了一种单相陶瓷靶材的制备方法,包括:称取原料加入有机溶剂中进行球磨混匀后,再进行煅烧后过筛;将过筛后的粉体,压制成胚体,并对该胚体进行预烧结;进行预烧结后胚体研碎和加入有机溶剂中进行球磨混匀后将所得粉体再压制成胚体并预烧结的过程一次或多次;将所得胚体于1023‑1173K温度下进行成型烧结。本发明所提供的制备方法,研磨、煅烧和烧结所需时间短,操作温度低,烧结过程中无需添加烧结助剂。整个方法对设备要求低,制备效率高,有利于节约能源和降低成本。本发明还公开了一种单相陶瓷靶材及其在电子器件中的用途,制备出的陶瓷靶材均匀致密,在低温和室温下均具有铁磁性,所述单相陶瓷靶材可用于制备电子器件中的薄膜材料。
  • 一种单相陶瓷及其制备方法用途
  • [发明专利]一种单相多铁性薄膜及其制备方法和用途-CN201810556389.6有效
  • 贾婷婷;刘聪;姚竣翔;樊子冉;程振祥 - 中国科学院深圳先进技术研究院
  • 2018-06-01 - 2020-09-18 - C23C14/28
  • 本发明公开了一种单相多铁性薄膜的制备方法,包括:清洗衬底后将靶材和所述衬底置于镀膜腔内,调节腔体内压强;升高衬底温度,然后在腔体内充入O2,并调节腔体内压强;调节衬底和靶材之间的距离,并调节衬底和靶材旋转;调节激光器的重复频率和脉冲能量;进行薄膜沉积,然后保温;保温结束后冷却至室温,其中,所述靶材的化学组成为(1‑m)BiTi(1‑n)/2FenMg(1‑n)/2O3‑mCaTiO3,其中,0m1,0n1。本发明所提供的制备方法,在制备含复杂氧化物薄膜时具有独特优势,且制备过程中可精确控制薄膜生长。本发明还提供了一种单相多铁性薄膜及其在电子器件中的用途,制备的薄膜致密均匀,在室温下同时具有铁电性,铁磁性和磁电互控性能,可以用于包含薄膜的电子器件中,具有广泛的应用前景。
  • 一种单相多铁性薄膜及其制备方法用途

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