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- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201580076922.3有效
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奥村美香
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三菱电机株式会社
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2015-02-24
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2020-08-07
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G01P15/08
- 半导体装置具有基板(1A)、梁(12)、可动构造体(13)、第1止动部件(S1)、第2止动部件(S2)以及第3止动部件(S3)。第1止动部件(S1)在面内方向上，与可动构造体(13)之间隔着第1间隙(T1)而配置。第2止动部件(S2)在面外方向上，与可动构造体(13)之间隔着第2间隙(T2)而配置。第3止动部件(S3)在面外方向上，相对于可动构造体(13)而配置于第2止动部件(S2)的相反侧，且与可动构造体(13)之间隔着第3间隙(T3)而配置。由此，能够得到一种通过抑制可动构造体的过度的位移，从而能够抑制支撑可动构造体的梁的损伤及破损的半导体装置及其制造方法。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]电极构造、薄膜构造体的制造方法-CN01816484.6有效
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堀川牧夫;石桥清志;奥村美香
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三菱电机株式会社
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2001-07-30
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2004-01-07
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H01L21/768
- 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52)，该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在，故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。
- 电极构造薄膜制造方法
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