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[发明专利]发光元件和图像显示装置-CN201980066932.7在审
发明人： 奥山浩之;汐先政贵;野泽伸介;古川直树;菅原伸浩 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-10-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方式的发光元件设置有：半导体层，具有第一表面和第二表面，并且从第一表面侧由依次的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层的叠层形成；第一介电层，设置在半导体层的第二表面侧上并且具有开口；第一电极，在半导体层的第一表面侧上电耦接至第一导电类型层；以及第二电极，设置在第一介电层上并且经由开口电耦接至第二导电类型层。
发光元件图像显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法、封装器件、发光面板、晶片-CN201580030838.8有效
发明人： 奥山浩之 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件(101)，包括：第一半导体层(25)和第二半导体层(24)；第一半导体层(25)具有主表面和以第一角度设置的第一侧表面(251)，主表面是在层叠方向的生长表面；第二半导体层(24)邻近第一半导体层(25)并具有第二侧表面(241)，第二侧表面(241)从第一半导体层(25)的第一侧表面(251)以不同于第一角度的第二角度延伸。
半导体器件及其制造方法封装器件发光面板晶片

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、图像显示装置和电子设备-CN201010275592.X无效
发明人：内藤宏树;小山享宏;小嵨健介;小林新;奥山浩之;大金诚;河角孝行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供半导体发光器件及其制造方法和图像显示装置。该半导体发光器件包括：第一化合物半导体层；活性层，它位于所述第一化合物半导体层上；第二化合物半导体层，它位于所述活性层上，并且包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及位于所述接触层上的电极。其中，所述接触层小于所述覆层。该半导体发光器件制造方法包括如下步骤：形成第一化合物半导体层；在所述第一化合物半导体层上形成活性层；在所述活性层上形成第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及在所述接触层上形成电极。其中，所述接触层小于所述覆层。本发明能够提高发光效率并降低驱动电压。
半导体发光器件及其制造方法图像显示装置电子设备

[发明专利]GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置-CN200910127136.8有效
发明人：内藤宏树;奥山浩之;琵琶刚志;西中逸平 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。
gan 半导体发光元件及其制造方法驱动组件装置图像显示装置

[发明专利]外部件的联接结构和联接方法-CN200810126752.7有效
发明人：铃木晋;岩井信弘;池田太郎;田中尚树;奥山浩之;冈部伦明;岩崎刚;茂木彻;石丸浩二;芦田隆 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： B60Q1/04 文献下载
摘要：一种车辆的外部件的联接结构和联接方法，该联接结构包括：第一外部件和被布置成离开第一外部件的第二外部件，其中，第一外部件包括被构造成与第二外部件重叠的上部突起，并且第一外部件包括被构造成与第二外部件重叠的侧部突起。一种车辆的外部件的联接方法，其包括：在第一外部件的至少一部分周围设置突起，最接近第二外部件地安装第一外部件，使第一外部件的突起与第二外部件的至少一部分重叠，将弹性构件置于第一外部件的周面和第二外部件的边缘之间，并且将弹性构件布置在第一外部件的突起的下方。
外部联接结构方法

[发明专利]半导体发光元件及其制法,集成半导体发光元件及其制法,图像显示装置及其制法,照明装置及其制法-CN200480000358.9无效
发明人： 奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;铃木淳;大畑丰治 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。
半导体发光元件及其制法集成图像显示装置照明装置

[发明专利]GaN基半导体发光元件及其制作方法-CN200580049054.6无效
发明人： 奥山浩之;琵琶刚志 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种GaN基半导体发光元件，其中压电自发极化在有源层的厚度方向被抑制同时降低了发光二极管的驱动电压。GaN基半导体发光元件包括在层中顺序地形成的具有与A面平行的顶面的第一导电类型的第一GaN基化合物半导体层(21)、具有与A面平行的顶面的有源层(22)、具有与A面平行的顶面的第二导电类型的第二GaN基化合物半导体(23)以及由GaN基化合物半导体组成的具有与A面平行的顶面的接触层(24)。第一电极(25)形成于第一GaN基化合物半导体层(21)上，和第二电极(26)形成于接触层(24)上。
gan 半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件-CN200680001573.X有效
发明人：琵琶刚志;奥山浩之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种GaN基半导体发光装置，包括(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层(13)；(B)具有包括阱层和介于阱层之间起分隔作用的势垒层的多量子阱结构的有源层(15)；和(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层(17)。该阱层设置在该有源层中以满足关系d₁＜d₂，其中d₁为有源层中第一GaN基化合物半导体层侧的阱层密度，而d₂为第二GaN基化合物半导体层侧的阱层密度。
氮化半导体发光装置光照明器图像显示器平面光源液晶显示组件

[发明专利]半导体发光器件及制造方法、集成半导体发光设备及制造方法、图像显示设备及制造方法、照明设备及制造方法-CN03801828.4无效
发明人：大畑丰治;奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;铃木淳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在蓝宝石衬底上形成n型GaN层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过RIE方法，利用刻蚀掩膜将n型GaN层刻蚀一定深度，形成上表面是C面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和p型GaN层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的p型GaN层上形成p侧电极和在n型GaN层上形成n侧电极。
半导体发光器件制造方法集成设备图像显示照明设备

[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法-CN02803189.X无效
发明人：琵琶刚志;奥山浩之;土居正人;大畑丰治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有出色特性的氮化物半导体器件以及该氮化物半导体器件的制造方法，该器件具有通过选择性生长生长成三维形状的器件结构。根据本发明的氮化物半导体器件包括一生长为三维形状的晶体层，该晶体层具有一侧面部分(16s)和一上层部分(16t)，其中一电极层(21)经一高电阻区形成于该上层部分上，该高电阻区通过一未掺杂氮化镓层(17)等而形成。由于该高电阻区是设置于上层部分(16t)之上，使得电流绕过该上层部分(16t)的该高电阻区流动，从而形成了避过该上层部分(16t)而主要是沿侧面部分(16s)延伸的电流通路，从而抑制了结晶度差的该上层部分(16t)中的电流。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构-CN02800913.4有效
发明人：土居正人;奥山浩之;琵琶刚志;大畑丰治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2002-02-12 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在一构造成经过其衬底引出光的半导体发光器件中，电极层形成在有源层上形成的p型半导体层(例如p型GaN层)上，且镍层形成为电极层和p型半导体层之间的且在厚度上被调整为不超出有源层中产生的光的干涉长度的接触金属层。由于镍层充分薄，所以反射效率可以提高。
半导体发光器件及其制造方法以及电极连接结构

[发明专利]半导体发光器件及其制造工艺-CN01814308.3有效
发明人： 奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;大畑丰治;菊谷友志 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2001-07-18 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。
半导体发光器件及其制造工艺

[发明专利]掺氮II-VI族化合物半导体的成膜方法-CN95190541.4无效
发明人：伊藤哲;谷口理;池田昌夫;奥山浩之;本弘范;长井政春;玉村好司 -专利权人：索尼公司
申请日： 1995-04-28 - 公布日： 1997-10-01 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：在基片上，形成由II族元素中之至少一种元素与VI族元素中之至少一种元素构成的II-VI族化合物半导体膜之际，借助于带电粒子排除装置除去等离子中的带电粒子之同时，将激发态氮等离子照射到上述基片上，完成掺氮的II-VI族化合物半导体的成膜，提高了激活率，提高了结晶性。
掺氮 ii vi 化合物半导体方法

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