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- [实用新型]磁铁阵列-CN200520003084.0无效
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大桥俊幸;涌井幸夫
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雅马哈株式会社
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2003-10-23
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2006-11-08
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G01R33/09
- 一种具有多个永久磁铁的磁铁阵列，所述多个永久磁铁为大致长方体形状，垂直于该长方体的一个中心轴的断面的形状是大致正方形，且在垂直于该中心轴的该大致正方形的端面上形成有磁极，所述多个永久磁铁的各个具有所述大致正方形的端面的重心与正方格的格点一致，同时，配置在所述正方格的任意一列上的所述多个永久磁铁中的一个永久磁铁的所述端面的一边与配置在相同列上的另一永久磁铁的所述端面的一边存在于大致同一直线上，所述全部多个永久磁铁的端面存在于大致同一平面上，并且所述多个永久磁铁中的间隔最短距离相互邻接的两个永久磁铁的端面上所形成的磁极的极性不同。
- 磁铁阵列
- [实用新型]磁体阵列-CN200520011883.2无效
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大桥俊幸;相曾功吉
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雅马哈株式会社
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2005-03-11
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2006-06-28
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H01L43/06
- 本实用新型涉及一种磁体阵列，其包含多个永磁体和由磁性材料制成的薄板磁轭。永磁体为长方体形状并在其对立端面上形成磁极，其按四方格子阵列方式排列，其端面共面，且两个最近邻的永磁体的端面上产生的磁极在极性上不同。磁轭具有以与永磁体相同的方式排列的多个通孔，每个通孔包括正方形部分和矩形部分，该正方形部分的形状与永磁体的横截面形状相同，每个矩形部分沿该正方形部分的一边的中心部分形成并将该中心部分作为其长边。该多个永磁体穿过该多个通孔的相应的正方形部分插入，且永磁体的端面所在的平面位于磁轭的上表面和下表面之间。本磁体阵列可用于批量制造磁传感器。
- 磁体阵列
- [发明专利]磁传感器的制造方法-CN200510097891.8无效
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佐藤秀树;大桥俊幸;涌井幸夫;吉田晋;相曾功吉
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雅马哈株式会社
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2002-01-23
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2006-03-01
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G01R33/09
- 本发明涉及一种磁传感器的制造方法，磁传感器包括包含钉扎层和自由层的磁阻效应元件，磁阻效应元件具有随由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的相对角度变化的电阻值，该方法包括步骤：准备以下列方式构成的磁铁阵列，即在正方形格的格点处设置多个永久磁铁，每个永久磁铁的磁极的极性与和其相邻并距离最短的其它磁铁磁极的极性不同；设置薄片于磁铁阵列上，在此薄片中，包含磁层的层已经形成；磁层至少将成为钉扎层；利用在一个磁极和与其相邻的并且距离最短的另一个磁极之间形成的磁场，钉扎将成为钉扎层的磁层的磁化方向。使用本方法，可以在单个基片上容易地制造其中钉扎层的磁化方向彼此相交的的磁传感器。
- 传感器制造方法
- [实用新型]磁传感器及磁铁阵列-CN200320116793.0无效
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大桥俊幸;涌井幸夫
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雅马哈株式会社
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2003-10-23
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2006-01-25
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H01L43/08
- 一种具有可以稳定维持自由层磁区的磁化方向的磁阻效应元件的磁传感器。该磁传感器包括具有包括钉扎层和自由层的窄带形部(11a、11a)的磁阻效应元件。在自由层的两端部下方形成了偏磁膜(11b、11b)和初始化用线圈(31)，所述偏磁膜(11b、11b)由使该自由层上产生规定方向的偏磁场的永久磁铁构成，所述初始化用线圈(31)与所述自由层邻近而设，通过在规定条件下通电来对自由层施加与所述偏磁场同一方向的磁场。此外，偏磁膜的起磁和钉扎层的磁化方向的固定用由磁铁阵列形成的磁场完成，使在多个永久磁铁设置在正方格的格点上的同时各永久磁铁的磁极的极性与间隔最短距离邻接的其他磁极的极性不同。
- 传感器磁铁阵列
- [发明专利]磁传感器及其制造方法-CN02102703.X有效
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佐藤秀树;大桥俊幸;涌井幸夫;吉田晋;相曾功吉
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雅马哈株式会社
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2002-01-23
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2002-09-04
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G11B5/39
- 本发明涉及一种磁传感器及其制造方法,在单个基片上形成多个配置有钉扎层的磁阻效应元件,钉扎层具有彼此相交的方向的固定磁化轴。在衬底10上形成了将成为两个磁隧道效应元件11、21的磁层,作为磁阻效应元件。形成由NiCo制成的磁场施加磁层,使其在平面图中夹持磁层。给磁场施加磁层施加磁场。磁场施加磁层在箭头A所示的方向上磁化之后,除去磁场。结果,通过磁场施加磁层的剩磁磁化,给将成为磁隧道效应元件11、21的磁层施加箭头B所示的方向的磁场,从而在箭头B所示的方向上钉扎了将成为磁隧道效应元件11、21的磁层的钉扎层的磁化。
- 传感器及其制造方法
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