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[发明专利]半导体装置-CN202110836558.3在审
发明人：原田健司;大塚翔瑠;大木博文 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供减少元件损坏的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、晶体管区域、二极管区域、边界沟槽栅极以及载流子控制区域。边界沟槽栅极设置于晶体管区域与二极管区域之间的边界部。载流子控制区域被作为半导体基板的表层而设置于比位于边界沟槽栅极与沟槽栅极之间的源极层更靠近边界沟槽栅极处。该载流子控制区域所包含的第1导电型的杂质浓度比源极层所包含的第1导电型的杂质浓度高，或者，该载流子控制区域所包含的第2导电型的杂质浓度比源极层所包含的第2导电型的杂质浓度低。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110747725.7在审
发明人：大塚翔瑠;大木博文;迫纮平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于提供能够抑制电流感测区域的沟道与阴极层之间的干涉，并且尽可能减小该沟道与该阴极层之间的距离的技术。在将从第1半导体层的沟道至集电极层以及阴极层的另一者即第3半导体层为止的沿着面内方向的第1距离设为W，将从第1半导体层的沟道至第2半导体层为止的第2距离设为S，将半导体基板中的从第1半导体层的沟道至第3半导体层为止之间的部分的扩散系数以及寿命分别设为D以及τ的情况下，预先确定的关系式成立。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610096571.9有效
发明人：信国晃彦;大木博文;友松佳史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：提供一种抑制了在半导体层产生与热应力相伴的裂纹的半导体装置。发射极电极(120)具有第1电极层(121)、第2电极层(122)以及第3电极层(123)。第1～3电极层(121～123)依次层叠在发射极层(106)之上。在第3电极层(123)还层叠有焊料层(130)。第1电极层(121)在半导体芯片(102)的表面覆盖发射极层(106)以及栅极氧化膜(109)。形成第1电极层(121)的第1导电性材料以AlSi为主要成分。构成第2电极层(122)的第2导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且与第1导电性材料相比机械强度较低。构成第3电极层(123)的第3导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且焊料浸润性与第1电极层(121)相比较高。
半导体装置

[发明专利]功率用半导体装置-CN200710129017.7有效
发明人： 大木博文 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明目的在于提供能降低ON电压及损耗的功率用半导体装置。本发明的特征在于，具有L形沟槽式栅极(3)，从p基层(2)的表面起沿相对于n^－层(1)的第一主面的垂直方向形成到n^－层(1)内的位置，沿相对于n^－层(1)的第一主面的平行方向设有向一侧延伸出预定长度的底部(3d)，进而，使预定的相邻的L形沟槽式栅极(3)底部(3d)的延伸方向相对，各底部(3d)的间隔比形成在相对于n^－层(1)的第一主面的垂直方向上的部分的间隔窄。
功率半导体装置