专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁传感器-CN202280015332.X在审
  • 大川秀一 - TDK株式会社
  • 2022-01-28 - 2023-10-10 - G01R33/02
  • [技术问题]提供一种能够高灵敏度地检测由微弱的电流产生的测量对象磁场的磁传感器。[解决手段]磁传感器(1)具备:传感器芯片(10),具有:经由磁隙(G1)磁耦合的磁性体层(21、22);和配置在由磁隙(G1)形成的磁路上的磁敏元件(31);外部磁性体(41),与磁性体层(21)磁耦合;和测量电流线圈(C1),卷绕于外部磁性体(41),供生成测量对象磁场的电流(I)流过。这样,由于将磁敏元件(31)和磁性体层(21、22)集成于传感器芯片(10),因此能够将磁隙(G1)设计得非常窄,并且能够将漏磁场的大部分施加于磁敏元件(31)。由此,即使流过测量电流线圈(C1)的电流(I)微弱,也能够高灵敏度地检测由电流(I)产生的磁场。
  • 传感器
  • [发明专利]磁传感器-CN201780032067.5有效
  • 潮田健太郎;龟野诚;林承彬;大川秀一 - TDK株式会社
  • 2017-05-22 - 2021-03-23 - G01R33/09
  • [技术问题]提高将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器的检测精度。[解决方案]具备设置于传感器基板(20)的表面的磁性体层(41~43)和桥接的磁敏元件(R1~R4)。磁性体层(41)包含主区域(M1)和随着远离主区域(M1)而宽度变窄的收敛区域(S1),磁性体层(42)包含主区域(M2)和随着远离主区域(M2)而宽度变窄的收敛区域(S5、S7),磁性体层(43)包含主区域(M3)和随着远离主区域(M3)而宽度变窄的收敛区域(S6、S8)。收敛区域(S1~S4)的端部和收敛区域(S5~S8)的端部分别隔着间隙(G1~G4)而相对,磁敏元件(R1~R4)分别配置于由间隙(G1~G4)形成的磁路上。根据本发明,因为由在各磁敏元件中流通的电流而产生的磁通不对其它磁敏元件带来影响,所以检测精度得到了提高。
  • 传感器
  • [发明专利]透析槽用紧固件-CN201280052301.8有效
  • 松村幸夫;大川秀一;结城忠雄;大岛和巳;信田浩二;大泽太护;喜多村和男 - AGC工程株式会社
  • 2012-10-26 - 2014-07-02 - B01D61/50
  • 本发明提供一种制作容易、且品质良好稳定、价格也便宜、轻量、操作优异的透析槽用紧固件。该透析槽用紧固件被使用在透析槽中,该透析槽包括:室框、交换膜,该室框、交换膜形成脱盐室和/或浓缩室;以及电极框,该电极框将该室框及交换膜夹持于内侧,其特征是,所述透析槽用紧固件包括:保持部件,该保持部件具有供被处理液流过所述脱盐室、浓缩室的入口及出口;紧固部,该紧固部以规定的紧固压力对该保持部件进行紧固;以及格子状结构体,该格子状结构体与所述电极框抵接或隔着规定的板状部件与所述电极框抵接,并利用所述紧固部的紧固通过该抵接部分对所述电极框、室框及交换膜进行紧固,该格子的间距宽度为10mm以上50mm以下。
  • 透析紧固
  • [发明专利]磁记录介质的制造方法-CN200710005172.8无效
  • 诹访孝裕;服部一博;大川秀一 - TDK股份有限公司
  • 2007-02-15 - 2007-08-29 - G11B5/84
  • 本发明提供一种磁记录介质的制造方法,能够制造具有凹凸图案的记录层、表面充分平坦、记录/再现特性良好的磁记录介质。在具有形成有记录要素作为凹凸图案的凸部的记录层的被加工体之上,使第一填充材料成膜而覆盖记录要素,并且填充凹部的至少一部分,在第一填充材料之上使被检测材料成膜,在被检测材料之上使第二填充材料成膜,对被加工体的表面照射加工用气体,来除去第一填充材料、被检测材料以及第二填充材料中在记录要素上表面的上侧所成膜的部分中的至少一部分,从而将表面平坦化,在平坦化工序中,检测出从被加工体被除去而飞散的被检测材料的成分,基于该被检测材料的成分的检测结果而停止加工用气体的照射。
  • 记录介质制造方法
  • [发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置-CN200610005488.2无效
  • 大川秀一;高井充;岛川和也 - TDK股份有限公司
  • 2006-01-16 - 2006-08-30 - G11B5/62
  • 本发明提供一种可靠性高的磁记录介质,其具有以凸部形成记录要素的记录层以及被填充在记录要素之间的凹部中的填充物,即使与磁头接触表面也很难受到损伤,从而可以确实的获得良好的记录、再现特性。磁记录介质(12)包括:在基板(22)上以规定的凹凸图案形成并且以该凹凸图案的凸部形成记录要素(24A)的记录层(24);和被填充在记录要素(24A)之间的凹部(26)中的填充物(28),填充物(28)实质上是由Si以及O构成的,且O原子数相对于Si原子数的比率大于等于1.5且小于2。
  • 记录介质再现装置
  • [发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置-CN200510099494.4无效
  • 诹访孝裕;服部一博;大川秀一 - TDK股份有限公司
  • 2005-09-06 - 2006-08-09 - G11B5/82
  • 提供记录层以规定的凹凸图形形成,记录要素作为凹凸图形的凸部形成且使面记录密度高和磁头的碰撞不容易发生而可靠性高的磁记录介质、和装备这样的磁记录介质的磁记录再生装置。磁记录介质(12)包括:作为在基板(22)上以规定的凹凸图形形成的记录层(24)的凸部形成的记录要素(24A)的记录层(24)、和充填在记录要素(24)之间的凹部(26)上的充填要素(28);在上述记录要素(24A)的上表面(32)上形成有与其下方的记录要素24的宽度方向的中央部相当的部分在基板(22)侧凹下得最深,且使宽度在离开基板(22)的方向上单调增加的剖面形状的表面凹部(30)。
  • 记录介质再生装置

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