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[发明专利]非线性光学器件的制造方法-CN202180048924.7在审
发明人：田泽英久;村上泰典;大友明;山田俊树;横滨秀雄;上田里永子 -专利权人：国立研究开发法人情报通信研究机构;住友电气工业株式会社
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：提供一种非线性光学器件的制造方法。在半导体基板(100)的表面形成凹部(10)。在减压环境下，在凹部(10)填充第1液体材料(31)。第2液体材料(32)与填充至凹部(10)的第1液体材料(31)接触，由此对第3液体材料(33)进行调制。第3液体材料(33)硬化，由此形成埋入部(310)。第1液体材料(31)包含第1溶质和第1溶剂，或者仅由该第1溶剂构成。第2液体材料(32)包含第2溶质和第2溶剂。第2溶质包含非线性光学聚合物。该第2液体材料(32)的该第2溶质的浓度高于该第1液体材料(31)的该第1溶质的浓度。
非线性光学器件制造方法

[发明专利]具有电光效应的聚碳酸酯及其制造方法、以及使用该聚碳酸酯的光控制元件-CN201980016326.4在审
发明人：高桥直;山中克浩;大友明;山田俊树 -专利权人：帝人株式会社;国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02F1/061 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有电光效应的新型聚合物、这样的聚合物的制造方法以及使用这样的聚合物的光控制元件。本发明涉及一种含有具有电光特性的部位的非交联性聚碳酸酯。另外，本发明涉及一种聚碳酸酯的制造方法，其包含使双酚系化合物、具有电光特性的二醇系化合物和光气在缚酸剂和溶剂的存在下反应的工序。另外，本发明涉及一种含有这样的聚碳酸酯的光控制元件。
具有电光效应聚碳酸酯及其制造方法以及使用控制元件

[发明专利]电光学聚合物-CN201780039855.7在审
发明人： 大友明;青木勋;山田俊树 -专利权人：国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C08F220/36 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种新的电光学聚合物。另外，本发明的课题在于提供一种脂环族甲基丙烯酸酯系单体的配合比率低的、新的电光学聚合物。一种聚合物，具有反应性基团(A)的基础聚合物(a)与具有多个反应性基团(B)的电光学分子(b)通过反应性基团(A)与多个反应性基团(B)的反应来形成键(C)，键(C)为选自由(硫代)酯键、(硫代)氨基甲酸乙酯键、(硫代)脲键及(硫代)酰胺键构成的组中的至少一种。
反应性基团聚合物电光学硫代脂环族甲基丙烯酸酯氨基甲酸乙酯键基础聚合物配合比率酰胺键脲键酯键自由

[发明专利]二阶非线性光学化合物及含有它的非线性光学元件-CN201410799080.1有效
发明人： 大友明;青木勋;三木秀树;田泽英久;横山士吉 -专利权人：独立行政法人情报通信研究机构;住友电气工业株式会社;国立大学法人九州大学
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C09B23/14 文献下载
摘要：本发明提供与以往的发色团相比，具有非常优异的非线性光学活性的发色团以及含有该发色团的非线性光学元件。在含有供体结构部D、π共轭桥连结构部B和受体结构部A的发色团中，该供体结构部D含有被取代氧基取代的芳基的发色团，以及含有该发色团的非线性光学元件。
非线性光学化合物含有元件

[发明专利]作为有机电光聚合物有用的可调节玻璃化转变温度的共聚物及使用该共聚物的有机电光元件-CN201580014220.2在审
发明人： 大友明;青木勋;山田俊树;三木秀树 -专利权人：国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C08F8/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供具有期望的Tg的有机EO聚合物。本发明为一种共聚物，其为包含甲基丙烯酸环烷酯和甲基丙烯酸2‑异氰酸基乙酯作为单体的共聚物，其特征在于，通过(i)改变甲基丙烯酸环烷酯与甲基丙烯酸2‑异氰酸基乙酯的配合比率并进一步(ii)键合电光分子(EO分子)，能够得到期望的玻璃化转变温度(Tg)值。
作为有机电光聚合物有用调节玻璃化转变温度共聚物使用元件

[发明专利]二阶非线性光学化合物及含有它的非线性光学元件-CN201080035813.4有效
发明人： 大友明;青木勋;三木秀树;田泽英久;横山士吉 -专利权人：独立行政法人情报通信研究机构;住友电气工业株式会社;国立大学法人九州大学
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C09B23/00 文献下载
摘要：本发明提供与以往的发色团相比，具有非常优异的非线性光学活性的发色团以及含有该发色团的非线性光学元件。在含有供体结构部D、π共轭桥连结构部B和受体结构部A的发色团中，该供体结构部D含有被取代氧基取代的芳基的发色团，以及含有该发色团的非线性光学元件。
非线性光学化合物含有元件

[发明专利]ZnO类半导体元件-CN200980114001.6无效
发明人：中原健;田村谦太郎;汤地洋行;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO类半导体元件，该元件的特征在于，在形成含有包含ZnO类半导体的受主掺杂层的层叠体时，能够在不使受主元素浓度降低的情况下，抑制受主掺杂层或在受主掺杂层之后形成的层的平坦性劣化及晶体缺陷增加，并且能够使膜的特性得以稳定化。其中，在ZnO基板1上依次层叠有n型MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)层2、非掺杂MgZnO层3、MQW活性层4、非掺杂MgXZn1-XO层5、受主掺杂MgYZn1-YO层6。受主掺杂MgYZn1-YO(0＜Y＜1)层6中包含至少1种受主元素，并且，在该层上相接触地形成有非掺杂的MgXZn1-XO(0＜X＜1)层5。由此，可以在向受主掺杂层中充分导入受主元素的同时，使受主掺杂层的表面平坦性得到改善。
zno 半导体元件

[发明专利]ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件-CN200980103866.2无效
发明人：中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供适于晶体生长的具有品质良好的表面的ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件。为此，本发明的ZnO类基板具有下述构成：在该基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。另外，为使其主面表面上存在的羧基或碳酰二氧基基本上为零，在晶体生长开始之前使ZnO类基板表面与氧自由基、氧等离子体、臭氧中的任意物质接触。由此，可提高ZnO类基板表面的清洁化，进而在基板上制作品质良好的ZnO类薄膜。
zno 类基板处理方法以及半导体元件

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200880119750.3无效
发明人：中原健;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO系半导体元件，能够在层叠侧主面具有C面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO系半导体层。该ZnO系半导体元件采用主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板，并在以使所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴所形成的Φm角满足0＜Φm≤3的方式形成的主面上，使ZnO系半导体层(2～5)外延生长。然后，在ZnO系半导体层(5)上形成p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向规则地排列的台阶，能够防止台阶积累现象，并且提高层叠在基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。
zno 半导体元件

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200880114737.9无效
发明人：中原健;汤地洋行;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO系半导体元件，其缓和自补偿效应、抑制施主杂质的混入，以容易进行p型化。使MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板的主面法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴向a轴方向倾斜Φa度、且向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴向m轴方向倾斜Φm度，角度Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))}≤110，且满足Φm≥1，由于被这样形成，所以在该主面上形成的ZnO系半导体层能够抑制施主杂质的混入、缓和自补偿效应而容易进行p型化，从而能够制作出所希望的ZnO系半导体元件。
zno 半导体元件

[发明专利]半导体元件以及半导体元件的制造方法-CN200880108746.7无效
发明人：中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。
半导体元件以及制造方法

[发明专利]基板温度测量装置及基板温度测量方法-CN200880106813.1无效
发明人：中原健;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板温度测量装置及基板温度测量方法。该基板温度测量装置具有加热基板的加热源、使不能透过基板的波长区域的红外线透过的透射窗、和温度测量器；该温度测量器的灵敏度范围包含不能透过基板的波长区域，对从被加热源加热了的基板放射出且透过透射窗的红外线进行分析来测量基板的基板温度。
温度测量装置测量方法

[发明专利]ZnO基板以及ZnO基板的处理方法-CN200880022544.0无效
发明人：中原健;汤地洋行;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO基板以及ZnO基板的处理方法。该ZnO基板具有适合晶体生长的表面。Mg_xZn_1-xO(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面中，OH基的存在大致为0。为此，基板处理方法为，在Mg_xZn_1-xO(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面上的最终处理是pH3以下的酸性湿蚀刻处理。由此，能够防止产生Zn的氢氧化物，能够使ZnO基板上的薄膜的结晶缺陷密度非常小。
zno 以及处理方法

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200880009854.9无效
发明人：中原健;汤地洋行;川崎雅司;大友明;塚崎敦;福村知昭;中野匡规 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明提供一种ZnO系半导体元件，使ZnO系半导体和有机物发挥能动的作用，且具有与现在不同的全新的功能。本发明是为解决上述课题而提案的。在ZnO系半导体(1)上形成有有机物电极(2)，在有机物电极(2)上形成有Au膜(3)。在ZnO系半导体(1)的背面以与有机物电极(2)相对的方式形成有由Ti膜(4)和Au膜(5)的多层金属膜构成的电极。有机物电极(2)与ZnO系半导体(1)的接合界面为pn结的状态，在它们之间产生整流作用。
zno 半导体元件

[发明专利]ZnO系半导体元件-CN200780021185.2无效
发明人：中原健;汤地洋行;田村谦太郎;赤坂俊辅;川崎雅司;塚崎敦;大友明 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的Mg_xZn_1-xO(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在Mg_xZn_1-xO基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在Mg_xZn_1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。
zno 半导体元件

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