专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光电转换元件及发电装置-CN98108044.8无效
  • 塩崎笃志;齐藤惠志;金井正博;大利博和;冈田直人 - 佳能株式会社
  • 1998-03-10 - 2004-06-23 - H01L31/04
  • 一种光电转换元件,包括:基底,由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料;所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率,在没有所述表面材料的状态下,由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流;其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光,从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
  • 光电转换元件发电装置
  • [发明专利]等离子体处理方法及设备-CN98108961.5有效
  • 森山公一朗;青田幸人;金井正博;大利博和 - 佳能株式会社
  • 1998-05-22 - 2003-12-24 - H01L21/3065
  • 一种等离子体处理方法,包括步骤通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的第二高频电源的功率要低的第二高频电源,然后再向该处理室馈送功率比处理过程中的第一高频电源高的第一高频电源,以生成等离子体;减小所述第一高频电源的强度,使之降到处理过程中第一高频电源的功率值的100-200%,提高所述第二高频电源的强度,使之升到处理过程中第二高频电源的功率值的70-100%,然后再调节所述第一高频电源的强度,以获得预定值的等离子体强度;使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作,同时调节所述第一高频电源的值,以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。
  • 等离子体处理方法设备
  • [发明专利]薄膜晶体管-CN86108693.7无效
  • 石原俊一;大利博和;广冈政昭;半那纯一;清水勇 - 佳能株式会社
  • 1986-12-26 - 1990-04-11 - H01L21/205
  • 提供种基本半导体层,包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管,其制备方法如下将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室,将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室;使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应,产生含受激先质的多种先质;至少利用这些先质中的一种作为供应源,在基底上形成所述的层。
  • 薄膜晶体管
  • [其他]薄膜晶体管-CN86108693无效
  • 石原俊一;大利博和;广冈政昭;半那纯一;清水勇 - 佳能株式会社
  • 1986-12-26 - 1987-08-12 - H01L21/205
  • 提供一种基本半导体层,包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管,其制备方法如下将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室,将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室;使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应,产生含受激先质的多种先质;至少利用这些先质中的一种作为供应源,在基底上形成所述的层。
  • 薄膜晶体管

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