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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]激光焊接方法-CN202310134258.X在审
发明人：增田梨沙;外川隆一;小原隆 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制接合不良的激光焊接方法。实施方式的激光焊接方法是通过照射激光而将第二部件焊接于第一部件的方法。实施方式的激光焊接方法具备准备工序以及焊接工序。在上述准备工序中，准备上述第二部件被定位焊于上述第一部件且具有多个连接部的定位焊部件。在上述焊接工序中，通过对上述定位焊部件照射激光而相对于上述第一部件焊接上述第二部件。在上述焊接工序中，进行第一工序，然后进行第二工序。在上述第一工序中，从位于上述多个连接部中的一个连接部即第一连接部与和上述第一连接部相邻的第二连接部之间的规定位置、到上述第二连接部照射激光。在上述第二工序中，从上述第一连接部到上述规定位置照射激光。
激光焊接方法

[发明专利]焊接状态的检测方法以及焊接装置-CN202111053551.0在审
发明人：增田梨沙;外川隆一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及焊接状态的检测方法以及焊接装置，具有如下功能：实时地检测在激光焊接时产生的由于熔融金属的飞散而导致的凹陷的产生，推断其凹陷量，并判断可否通过再次熔融进行修复。实施方式的焊接状态的检测方法包括：检测来自激光所照射的部分的反射光以及上述激光所照射的部分的发光的工序；以及基于检测到的上述反射光以及检测到的上述发光检测上述激光所照射的部分的焊接状态的工序。在检测上述焊接状态的工序中，检测是否上述发光的信号电平成为规定的第1阈值以上且上述反射光的信号电平成为规定的第2阈值以下。
焊接状态检测方法以及装置

[发明专利]焊接方法、焊接物的制造方法、以及焊接物-CN201910203738.0在审
发明人：增田梨沙;外川隆一;小原隆;山田智彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明提供可以抑制缺陷发生的焊接方法、焊接物的制造方法、以及焊接物。实施方式的焊接方法具备前处理工序以及焊接工序。所述前处理工序中，在使利用模流延形成的第一构件的一部分熔融后，使所述一部分凝固。所述焊接工序中，通过在使凝固后的所述第一构件的所述一部分与第二构件接触的状态下熔融，将所述第一构件和所述第二构件进行焊接。
焊接第二构件焊接工序焊接物前处理熔融凝固缺陷发生流延制造

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201010282829.7无效
发明人：秋元阳介;外川隆一;伊藤弘;小岛章弘;猪塚幸;杉崎吉昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及发光装置及其制造方法。本发明的发光装置具备：包含发光层的半导体层，具有第一主面、与第一主面相反一侧的第二主面、以及连接第一主面和第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在半导体层的第二主面；第一绝缘膜，覆盖半导体层的第二主面和第三主面；以及金属层，层叠在第一电极部和第二电极部中的至少第二电极部上，并延伸到覆盖接近的第三主面的第一绝缘膜的延长部分上。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光装置的制造方法及发光装置-CN201010282835.2无效
发明人：秋元阳介;外川隆一;小岛章弘;猪塚幸;杉崎吉昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜的工序；以及从基板的与第一主面相反一侧的第二主面一侧，向半导体层照射激光，从而从半导体层剥离基板的工序。第二绝缘膜的带隙能量和半导体层的带隙能量比激光的能量小，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，激光不到达发光层的深度。
发光装置制造方法

[发明专利]内插器芯片及其制造方法-CN201010243268.X有效
发明人： 外川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种内插器芯片及其制造方法，其能够防止内插器芯片中的布线剥离。内插器芯片包括芯片安装区，在所述芯片安装区上通过由树脂制成的固定材料来安装半导体芯片。内插器芯片具有绝缘膜和在绝缘膜上形成的布线层。在与芯片安装区的边缘相对应的位置处，提供其中绝缘膜与布线层之间的粘合力增加的加强区。
内插芯片及其制造方法

[发明专利]液晶面板的缺陷像素修正装置-CN200610142986.1无效
发明人： 外川隆一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供可以提高修正液晶面板的缺陷像素的修正操作的效率的液晶面板的缺陷像素修正装置。液晶面板的缺陷像素修正装置(10)具备激光输出部(11)，和计测机构(40)。激光输出部(11)具有调整激光的强度的调整功能。所以，激光输出部(11)输出具有较弱的强度的计测用激光(L2)。计测机构(40)计测被亮点缺陷(21)反射的计测用激光(L2)的强度。
液晶面板缺陷像素修正装置

[发明专利]液晶显示装置的缺陷像素修正方法及缺陷像素修正装置-CN200510105839.2无效
发明人：川田义高;外川隆一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明是关于一种液晶显示装置的缺陷像素修正方法，其通过1kHz以上重复频率的脉冲激光扫描液晶显示装置的缺陷像素，而于上述脉冲激光的照射位置存在气泡的状态下，修正上述缺陷像素。
液晶显示装置缺陷像素修正方法装置

[发明专利]液晶显示装置的缺陷像素修正方法及液晶显示装置-CN200510105842.4无效
发明人： 外川隆一;川田义高;深津健太 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种液晶显示装置的缺陷像素修正方法及液晶显示装置，其用以修正液晶显示装置的缺陷像素，且通过将脉冲激光照射至与上述缺陷像素相邻接的信号线，使相应于上述缺陷像素的位置的液晶材料中产生气泡，此气泡的大小为大致覆盖全体上述缺陷像素，并对使上述气泡产生的大致全体缺陷像素照射脉冲激光，而修正上述缺陷像素。
液晶显示装置缺陷像素修正方法

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