“塞梅孔公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]溅射靶-CN202280016152.3在审
发明人：奥利弗·莱麦尔;韦尔纳·克尔克;于尔根·巴尔策赖特;斯特凡·博尔茨 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及溅射靶(10)、涂覆系统(30)及其涂覆方法。溅射靶(10)包括带有靶板(14)的基部(12)，靶板固定在基部上并且由第一溅射材料制成，靶板具有表面(16)和形成在该表面中的多个凹部(18)。在凹部(18)中布置有多个插入件(20)。插入件(20)中的至少一些插入件由第二溅射材料制成，其中，第二溅射材料具有高于第一溅射材料的溅射率。本发明的目的是获得特别均匀的涂层。这通过下述方式来实现的：由第二溅射材料制成的插入件(20)被模制成使得插入件在平行于表面(14)的测量方向上测量的长度(D1、D2)在深度方向(T)上从表面(14)到基部(12)增加。
溅射

[发明专利]覆层设备和具有划分的脉冲的覆层方法-CN202180073013.X在审
发明人：沃尔特·马伊;韦尔纳·克尔克;斯特凡·博尔茨 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于对体部(40)覆层的覆层方法和覆层设备。具有靶(24a、24b、24c、24d)的磁控管阴极(22a、22b、22c、22d)设置在真空腔(12)中。向磁控管阴极(22a、22b、22c、22d)输送电功率，使得生成等离子体并且溅射靶(24a、24b、24c、24d)，以便在体部(40)上沉积覆层。在此，将电功率根据HIPIMS法作为阴极脉冲(60)在周期持续时间(T)之内周期性地输送，其中每个阴极脉冲(60)包括至少两个阴极子脉冲(62)和位于其之间的阴极子脉冲中断(64)。为了能够利用斩波HIPIMS法以特别有益的方式沉积具有有益的特性的覆层(44)，在要覆层的基底(40)上施加具有偏置电压脉冲(66)的偏置电压，其中每个偏置电压脉冲(66)包括至少两个偏置子脉冲(68)和位于其之间的偏置子脉冲中断(70)。
覆层设备具有划分脉冲方法

[发明专利]用于施加涂层的方法和装置、以及经涂覆的物体-CN202180043064.8在审
发明人：韦尔纳·克尔克;斯特凡·博尔茨 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于向物品(60)、(62)施加层(64)的方法和装置(10)。本发明还涉及经涂覆的物品(60)。将物品(60)、(62)设置在真空室(12)中，并供应工艺气体。通过经由施加具有阴极脉冲的阴极电压VP给阴极(30)供电并通过使靶(32)原子化，在真空室(12)中产生等离子体。向物品(60)、(62)施加偏压VB使得等离子体的电荷载流子朝向物品(60)、(62)加速并附着于物品的表面。为了以受控的方式实现涂层(64)的有利特性，使偏压VB的时间曲线在涂覆持续时间D期间变化。在物品(60)、(62)的涂层(64)中，层(64)的材料包含稀有气体，所述稀有气体在层(64)中的浓度在层厚度上变化。
用于施加涂层方法装置以及经涂覆物体

[发明专利]用于处理室的基底接纳区域-CN202080092011.0在审
发明人：沃尔特·马伊 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将工件(30)保持在处理室中的装置(10)。本发明还涉及一种涂覆系统(20)和一种用于对工件(30)进行涂覆的方法。本发明的目的是允许精确调节工件(30)的位置的高度同时以安全且稳定的方式支承工件。这由于下述而实现：保持装置(10)包括用于工件(30)的托盘(72)、以及用于托盘(72)的高度可调节的第一支承元件(22)和高度可调节的第二支承元件(48)，其中，支承元件(22、48)中的每个支承元件包括至少一个第一和第二肢部元件(26、56)，并且在每种情况下，第一和第二肢部元件(26、56)联接成围绕枢转轴线X、Y相对于彼此枢转，第一支承元件(22)的枢转轴线X布置成与第二支承元件(48)的枢转轴线Y成一角度。
用于处理基底接纳区域

[发明专利]多层涂层-CN202080064726.5在审
发明人：沃纳·克尔克;斯特凡·博尔茨;奥利弗·莱麦尔 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于对基材(40)进行涂覆的方法、执行所述方法的涂覆系统和经涂覆体。在第一方法步骤(62)中，将基材(40)在离子蚀刻过程中进行预处理。在第二方法步骤(64)中，通过PVD过程在基材(40)上沉积厚度为0.1μm至6μm的第一涂覆层(56a)。为了实现特别高品质且耐用的涂层(50)，在第三方法步骤(66)中，通过离子蚀刻过程对第一涂覆层(56a)的表面进行处理，以及在第四方法步骤(68)中，通过PVD过程在第一涂覆层(56a)上沉积厚度为0.1μm至6μm的另外的涂覆层(56b)。所述经涂覆体包括在基材(40)上的至少两个厚度为0.1μm至6μm的涂覆层(56a、56b、56c、56d)，其中通过离子蚀刻形成的界面区域布置在涂覆层(56a、56b、56c、56d)之间。
多层涂层

[发明专利]用金刚石层和硬质材料层涂覆体-CN201680069198.6有效
发明人：斯特凡·博尔茨;奥利弗·莱麦尔;安东尼乌斯·莱恩德克 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种经涂覆体和一种用于涂覆体的方法。所述经涂覆体至少包括：基底(22)、厚度为1μm至40μm的金刚石层(24)以及与金刚石层(24)相比向外更远地布置在体(10)上的硬质材料层(26)。硬质材料层(26)包含至少一种金属元素和至少一种非金属元素。厚度为2nm至80nm的粘合层(32)设置在金刚石层(24)与硬质材料层(26)之间。粘合层(32)包含碳和至少一种金属元素。金刚石层(24)可以借助于CVD法施加。硬质材料层可以借助于PVD法施加。在金刚石层(24)与硬质材料层(26)之间的粘合层(32)可以这样制造：在施加硬质材料层(26)之前，借助于HIPIMS金属离子蚀刻预处理金刚石层(24)的表面，其中借助于金属离子蚀刻将离子注入或使离子扩散进入金刚石层(24)的表面中。
金刚石硬质材料层涂覆体

[发明专利]对物体进行预处理和涂覆的装置和方法-CN200980115777.X有效
发明人：雷纳·克雷默;沃尔特·马伊 -专利权人： 塞梅孔公司
申请日： 2009-04-28 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于通过磁控雾化来对物体进行预处理和涂层的装置和方法。在具有金属室壁(26)的真空室中设置有带有溅射靶的磁控管，其中至少之一是HPPMS磁控管，通过电容元件(6)经由开关元件(5)与HPPMS磁控管的溅射靶相连来将电脉冲输送给该磁控管。为了实现对衬底的有效预处理和涂覆，根据第一方面设计了，开关元件设置在室壁上。
物体进行预处理装置方法