“国子明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]离子注入机台的监控方法-CN202010116388.7有效
发明人：范世炜;姚雷;张凌越;国子明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入机台的监控方法，所述离子注入机台的监控方法包括，提供一反应腔，所述反应腔内具有离子源；通过所述离子源形成离子束，所述离子束具有多个离子；对多个所述离子进行检测，以得到多个所述离子的原子质量和电流；通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格。即通过对所述离子束的多个所述离子进行检测，得到多个所述离子的原子质量和电流，由此，根据多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格，进而确定所述离子注入机的稳定性，进一步的，由于确定了所述离子束是否合格，从而可以避免异常的所述离子束对产品造成的损伤。
离子注入机台监控方法

[发明专利]离子注入机台的监控方法-CN202010530978.4有效
发明人：庞宏庄;王呈辰;张凌越;国子明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入机台的监控方法，通过在半导体晶片上设定至少3个在同一条直线上的基准点；对所有的所述基准点的离子注入进行测量，以得到离子注入合格的所述基准点的数量；以及将离子注入合格的所述基准点的数量与一阈值进行比较，并根据比较结果确定离子注入机台的离子束与所述半导体晶片的相对位置是否合格。由此实现对所述离子注入机台的离子束与所述半导体晶片的相对位置的监控，进一步的，避免在对半导体晶片进行离子注入时，半导体晶片不同区域的离子注入量存在较大的偏差，更进一步的，提高产品的良率。
离子注入机台监控方法

[发明专利]离子注入机台的注入均匀性的调整方法-CN202111547680.5在审
发明人：庞宏庄;王呈辰;国子明;张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机台的注入均匀性的调整方法，包括：步骤S1：提供测试晶圆，将所述测试晶圆放置于所述靶盘上，所述靶盘的表面与参考面重合；步骤S2：根据预设的离子注入工艺参数对所述测试晶圆进行离子注入，并在离子注入完成后，扫描所述测试晶圆得到热波值分布图，获得所述采样点的热波值及位置，利用二次函数拟合出热波值分布曲线；步骤S3：判断所述热波值分布曲线的对称轴与所述热波值分布曲线的Y轴的距离是否小于设定值；步骤S4：根据所述采样点的热波值，判断所述测试晶圆的离子注入均匀性是否满足控制要求；本发明提高了离子注入机台的注入均匀性。
离子注入机台均匀调整方法

[发明专利]快速热处理机台的调机方法-CN201711127739.9有效
发明人：范世炜;张凌越;国子明;姚雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速热处理机台的调机方法，根据快速热处理机台中热源单元对应照射到的基底上的位置，在所述基底上选取与热源单元的排列方式相匹配的测量点；再根据基底的方块电阻与温度的关系，可以得到所述基底的温度分布情况，进而可直接推断出与测量点相对应的热源单元的温度状况，从而能够直接进行调机，进而避免了使用复杂的公式计算。采用本发明提供的调机方法，所获得的基底温度分布更为均匀准确，进而减少了重复调机次数，降低了快速热处理机台的日常维护工作的难度。
快速热处理机台方法

[发明专利]半导体衬底清洗方法及调整方法-CN202010300333.1在审
发明人：范世炜;姚雷;国子明;张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底清洗方法及调整方法，在半导体衬底清洗方法中，通过获取识别缺口与污染区之间的间隔角度，然后将所述半导体衬底竖直放置于一清洗槽内，并通过所述间隔角度定义所述识别缺口在所述清洗槽内的位置，以使所述识污染区位于所述清洗槽内的十一点钟至一点钟方向；执行清洗工艺，以去除所述污染区的污染物；在半导体衬底调整方法中，对所述半导体衬底执行第一道工艺，然后获取所述半导体衬底将要执行的第二道工艺；并判断所述半导体衬底将要执行的第二道工艺是否为清洗工艺，若是，则使得所述半导体衬底的识别缺口位于八点钟至十点钟方向。由此，避免所述半导体衬底的位置与工艺不符合或者影响工艺的问题。
半导体衬底清洗方法调整

[发明专利]退火设备工艺能力的监控方法-CN201710676355.6有效
发明人：李楠;张凌越;国子明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火设备工艺能力的监控方法，通过在裸片晶圆表面形成第一氧化层，并测量所述第一氧化层的厚度，再对所述第一氧化层的进行一退火工艺，形成第二氧化层，然后测试所述第二氧化层的厚度，通过判断所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度差是否符合控制要求来判断退火设备的工艺能力，若其厚度差满足控制要求，则判定所述退火设备状况正常，适用于进行退火工艺，可进行产品的批量生产；若不满足，则判定所述退火设备状况异常，不适用于进行退火工艺，不可进行产品的批量生产。本发明提供的退火设备工艺能力的监控方法简单有效，提高了产品的良率，避免了批量不良品的产生。
退火设备工艺能力监控方法

[发明专利]离子注入机台的测试方法-CN201510963714.7有效
发明人：姚雷;张凌越;朱云;国子明;范世炜;郭国超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，所述测试方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入。所述测试方法能够准确判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定。
离子注入机台测试方法

[发明专利]离子注入机工艺能力的监控方法-CN201710551898.5有效
发明人：范世炜;郭国超;张凌越;国子明;姚雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机工艺能力的监控方法，通过在裸晶圆表面顺次形成第一氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入，在离子注入后的多晶硅层表面再生长第二氧化层，以形成测试晶圆，测试第二氧化层的厚度，通过判断其厚度是否符合控制要求来判断离子注入机的工艺能力，若其厚度满足控制要求，则判定所述离子注入机状况正常，适用于进行离子注入，可进行产品的批量生产；若不满足，则判定所述离子注入机状况异常，不适用于进行离子注入，不可进行产品的批量生产，需要进行调整。本发明提供的离子注入机工艺能力的监控方法简单有效，提高了产品的良率，避免了批量不良品的产生。
离子注入机工艺能监控方法

[发明专利]离子注入机台的水汽监控方法-CN201510052268.4有效
发明人： 国子明;郭国超;张凌越;姚蕾 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-01-31 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种离子注入机台的水汽监控方法，提供一监控晶片；在所述监控晶片上形成一有机层；将所述监控晶片放入所述离子注入机台，对所述监控晶片进行离子注入工艺；去除所述有机层；以及检测所述监控晶片的表面是否有一在离子注入工艺中形成的表面氧化层，如果所述监控晶片的表面存在所述表面氧化层，检测所述表面氧化层的厚度。所述离子注入机台的水汽监控方法可以方便、有效地监控离子注入机台的水汽情况。
离子注入机台水汽监控方法

[发明专利]离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法-CN201410098578.5有效
发明人： 国子明;王毅;郭国超;姚雷;郝志 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法，其中，所述离子注入机的工艺能力的监控方法包括提供一裸片晶圆；在裸片晶圆上依次沉积氧化层和多晶硅层；对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆；测试测试晶圆的电阻值，并判断该电阻值是否符合控制要求；其中，进行离子注入时对离子注入机的聚焦电压进行了设置。在本发明提供的离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法中，通过在裸片晶圆上依次形成氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆，测试测试晶圆的电阻值能够对离子注入机的工艺能力实现有效地监控，而在离子注入时通过调节聚焦电压提高多晶硅栅极离子注入工艺的稳定性亦是本发明的内容之一。
离子注入工艺能力监控方法

[发明专利]一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法-CN201410087547.X在审
发明人： 国子明;郭国超;王毅;张瑞朋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G01D21/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法中，包括提供点检晶片，对所提供的点检晶片进行一定温度一定时间的退火处理，使用经过退火处理的点检晶片进行离子注入机的日常检点。本发明的方法能够使点检晶片自身缺陷得以修复，内在应力得以消除，具有更为稳定的前值和后值，因此，由于点检晶片本身原因造成的宕机时间可以明显降低。
一种提高离子注入日常检点稳定性方法

[发明专利]颗粒物缺陷的监控方法-CN201510309136.5在审
发明人： 国子明;郭国超;张凌越;李楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-07 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在本发明提供的颗粒物缺陷的监控方法中，通过在光片上形成光阻以检出颗粒物造成的表面刮伤，使得颗粒物缺陷的监控更加全面，而且根据颗粒物缺陷的数据统计，直接在工艺设备中设置颗粒物缺陷的监控范围，降低了由颗粒物缺陷引起的产品不良风险，所述监控方法非常简单有效，能够提高成品率。
颗粒缺陷监控方法

[发明专利]离子注入机台水汽的检测方法-CN201410427604.4有效
发明人： 国子明;郭国超;王毅;姚雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种离子注入机台水汽的检测方法。本发明采用对裸片进行离子注入，比较离子注入前后裸片表面的颗粒物的数量差值，从而判断离子注入机台的水汽含量是否超标。上述检测方法利用了注入的离子流快速定向移动，在裸片上表面空间以及裸片附近区域的空间形成压强差，离子注入机台内的水汽在上述压强差下定向运动聚集在裸片上表面空间，聚集在裸片上表面空间的水汽在不断持续的离子注入流带动下进一步聚集在裸片表面，即将离子注入机台的水汽反映在裸片的颗粒物上，如此，通过对离子注入前后的裸片进行扫描，采用同一预定颗粒检验程式统计颗粒物的数量，若上述数量超过预定差值，则认为离子注入机台的水汽含量超标。
离子注入机台水汽检测方法

[发明专利]钛及钛合金熔炼坩埚耐火材料及坩埚制备方法-CN200910044847.9有效
发明人：李重河;鲁雄刚;丁伟中;高永辉;高珊;国子明;王坤;万怡猛 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-01-04 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛及钛合金熔炼坩埚的复合氧化物耐火材料及其坩埚制备方法。根据热力学计算结果，确定坩埚材料由氧化钙20～50％和氧化锆45～75％耐火材料为主，辅以适量的助熔剂和添加剂组成。上述材料经过预处理、成型、预烧结、烧结等工序制成坩埚。此复合氧化物坩埚在温度区间1500～1800℃、真空环境下，用作熔炼钛合金的容器；熔炼后坩埚内外表面完好，未与钛合金发生反应，保证了钛合金的纯净度和性能。
钛合金熔炼坩埚耐火材料制备方法

[实用新型]真空熔炼水平连铸柔性多角度自定位塞杆系统-CN200820150446.2无效
发明人：李重河;国子明;鲁雄刚;高永辉;王坤;万怡猛 -专利权人：上海大学
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： B22D41/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空熔炼连铸柔性多角度自定位塞杆系统。它包括一个与中间包漏液孔插配的塞杆和一个塞杆与牵引装置相连接用的塞杆底座，塞杆的下端通过一个万向节与塞杆底座相连接，塞杆底座通过一个自由水平调位机构与牵引装置相连接。本塞杆系统在各个角度和水平方向有旋转和移动空间，炉体装配时，塞杆可随牵引装置向上运动在塞杆顶端侧面受力，而自行和水平方向自动矫正与中间包中心线的相对位置，达到所要求的配合。本实用新型可大幅节约装置时间，减少对中间包的损坏，延长中间包等相关部件的使用寿命，从而降低连铸成本。
真空熔炼水平柔性角度定位系统

1
2
下一页»
尾页
共 16 条