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[实用新型]一种便于清洗的铜蚀刻液反应池-CN202220938280.0有效
发明人：戚玉霞;方新军;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于清洗的铜蚀刻液反应池，属于铜蚀刻液技术领域，包括池体、底部空槽和刷板，所述池体下端一侧成型有空腔，位于所述空腔一侧的所述池体下端成型有所述底部空槽，所述底部空槽内设置有底部密封塞，位于所述底部密封塞外围的所述池体底部设置有底部通孔，所述池体内设置有内斜壁，所述内斜壁一侧设置有所述刷板，所述刷板外围设置有刮刷，所述刷板上设置有把手槽，位于所述把手槽下方的所述刷板上设置有通槽。本实用新型通过设置空腔和底部密封塞，可降低反应池的重量，并可方便反应池的拿持，内斜壁的设计可使反应池内的铜蚀刻液、清洁液及其他物料能够方便的倒出，以便进行清洁。
一种便于清洗蚀刻反应

[实用新型]一种铜蚀刻液废液过滤装置-CN202220938946.2有效
发明人：戚玉霞;方新军;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01D29/03 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铜蚀刻液废液过滤装置，包括承载板和过滤箱壳体，承载板的上表面固定安装有两组电机，两组电机的输出端连接有转杆，两组转杆远离电机的一端套接有齿轮，齿轮与齿条啮合，本实用新型通过启动两组电机，使一组电机顺时针转动，另一组电机逆时针转动，带动转杆以及齿轮转动，使一组齿轮顺时针转动，另一组齿轮逆时针转动，使与两组齿轮啮合的两组齿条在承载板开设的滑槽中沿相反的方向滑动，带动两组喷洒管由过滤箱壳体的两侧向中间移动，此时启动高压水泵，将水箱内部的清洗液泵出，经过第二伸缩软管、第一伸缩软管以及喷洒管的输送，再由喷头喷出，对滤网进行冲洗，将滤网上的附着物冲洗掉，防止滤网堵塞。
一种蚀刻废液过滤装置

[实用新型]一种铜蚀刻液配置容器-CN202220950723.8有效
发明人：方新军;戚玉霞;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01F31/441 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铜蚀刻液配置容器，包括配置桶，配置桶顶部的一侧固定安装有电机，电机的输出端连接有第一正时轮，第一正时轮通过正时带与第二正时轮连接，第二正时轮的一侧与第一轴承座连接，第二正时轮以及第一轴承座皆被搅拌杆贯通，搅拌杆的下端安装有两组叶轮，本实用新型通过启动电机，带动第一正时轮转动，经过正时带传动，使第二正时轮转动，在限位条的限位作用下，使第二正时轮带动搅拌杆转动，第一轴承座和第二轴承座对搅拌杆进行限位，同时又不影响搅拌杆的转动，使搅拌杆可以带动叶轮转动，对铜蚀刻液进行搅拌，此时通过电动伸缩杆的伸缩，可以经过连接板带动搅拌杆上下运动，可以加强搅拌效果，提高配置效率。
一种蚀刻配置容器

[实用新型]一种铜蚀刻液刻蚀加工用喷淋装置-CN202220950731.2有效
发明人：方新军;戚玉霞;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜蚀刻液刻蚀加工用喷淋装置，包括底座、转动轴和输送滚盘，所述底座上部内侧等间距设置有所述转动轴，所述转动轴上等间距设置有所述输送滚盘，所述输送滚盘外环侧设置有防滑环，所述输送滚盘中心设置有轴孔，所述轴孔上设置有键槽，所述底座上侧设置有防护盖，所述防护盖下侧等间距设置有喷淋管，所述喷淋管两端设置有送液管。本实用新型通过设置的喷淋管和喷淋口，使得铜蚀刻加工用喷淋装置在使用时，喷淋管下侧的喷淋口交错设置，使得蚀刻液均匀喷淋到铜板上，进而保证铜板的蚀刻质量。
一种蚀刻刻蚀工用喷淋装置

[实用新型]一种铜蚀刻液刻蚀用搅拌装置-CN202220950900.2有效
发明人：方新军;戚玉霞;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铜蚀刻液刻蚀用搅拌装置，包括搅拌箱，所述搅拌箱顶部固定安装有加液结构，所述搅拌箱顶部固定安装有电机，所述电机输出端固定连接有转动杆，所述转动杆活动贯穿搅拌箱顶部，所述转动杆外侧固定安装有多个搅拌叶，所述搅拌箱内腔固定安装有若干个挡块，所述转动杆外侧固定安装有混合结构，所述混合结构包括固定安装在转动杆外侧的若干个安装杆，所述安装杆表面开设有通槽，所述通槽内部设有运动块，所述运动块顶部与底部均固定安装有推板，所述运动块一侧固定连接有第二弹簧，所述第二弹簧远离运动块的一端固定安装在通槽内部一侧。本实用新型便于在搅拌过程中向搅拌箱内加溶液，并且能够使得搅拌更加均匀。
一种蚀刻刻蚀搅拌装置

[实用新型]一种铜蚀刻液刻蚀用温度控制装置-CN202220950914.4有效
发明人：戚玉霞;方新军;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铜蚀刻液刻蚀用温度控制装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽内侧开设有若干个产品放置槽，所述蚀刻槽底部固定连接有出液结构，所述蚀刻槽表面开设有滑槽，所述滑槽内部滑动安装有滑块，所述蚀刻槽一侧固定安装有驱动结构，所述驱动结构包括固定安装在蚀刻槽一侧的电机，所述电机输出端固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆贯通蚀刻槽，所述螺纹杆一端活动安装在滑槽内侧，所述螺纹杆螺纹贯穿滑块，所述滑块一侧固定安装有水泵，所述水泵出水口固定连接有冷却管，所述冷却管贯穿滑块。本实用新型便于对刻蚀完成后的产品进行冲洗，且能够在刻蚀过程中控制蚀刻液的温度，防止侧蚀情况的发生。
一种蚀刻刻蚀温度控制装置

[实用新型]一种铜蚀刻液用存放容器-CN202221050174.5有效
发明人：方新军;戚玉霞;阳建 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B65D81/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜蚀刻液用存放容器，属于铜蚀刻液存放技术领域，包括机座和冷凝器，所述机座顶部两侧对称设置有酸蚀刻液内筒和碱蚀刻液内筒，所述酸蚀刻液内筒和所述碱蚀刻液内筒外壁上均设置有筒罩，所述筒罩内壁上设置有保温层，所述筒罩顶端设置有密封盖，所述密封盖顶部设置有所述冷凝器，所述冷凝器内部设置有冷凝腔；本实用新型通过设计一个由筒罩、冷凝器、散热扇、机座、酸蚀刻液内筒以及碱蚀刻液内筒等组件构成的新型铜蚀刻液存放装置，可实现对酸性和碱性铜蚀刻液的安全存放，有利于对蚀刻液中易挥发的酸碱成分进行有效的冷凝回流，保障蚀刻液的有效性。
一种蚀刻存放容器

[实用新型]一种便于运输的铜蚀刻液存液罐-CN202220938949.6有效
发明人：阳建;方新军;戚玉霞 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B65D90/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了存液罐技术领域的一种便于运输的铜蚀刻液存液罐，包括底板，底板的顶部固定连接有存放箱，存放箱的内壁固定连接有支撑垫，支撑垫的顶部活动连接有存液罐本体，存放箱的内壁固定连接有固定杆，固定杆的另一端固定连接有固定板，固定板的另一侧与存液罐本体的表面活动连接，存放箱的一侧固定连接有固定箱，固定箱的内部设置有固定机构，底板的底部固定连接有移动机构，固定机构包括转盘、螺纹杆、螺纹管、连接板、连接杆和夹板，转盘的一侧与螺纹杆的一端固定连接，本实用新型解决了现有的蚀刻液存液罐不便于运输，且不便于对存液罐进行固定，在运输的过程中容易发生晃动，不利于人们使用的问题。
一种便于运输蚀刻液存液罐

[实用新型]一种铜蚀刻液生产用废水处理系统-CN202221050104.X有效
发明人：阳建;方新军;戚玉霞 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铜蚀刻液生产用废水处理系统，包括处理箱，处理箱的内部设置有连接管，连接管的两端贯通第二齿轮，第二齿轮啮合有齿条，齿条远离第二齿轮的一侧啮合有第一齿轮，两组第一齿轮被转杆贯通，转杆的一端贯穿处理箱的一侧与电机的输出端连接，本实用新型通过启动电机，带动转杆转动，使与转杆一体的第一齿轮转动，带动齿条随着第一齿轮的转动在处理箱的内壁滑动，从而带动第二齿轮转动，带动与第二齿轮固定连接的连接管以第二齿轮的轴心为圆心做圆弧运动，使连接管的位置可以改变，可以增加曝气范围，并且使净化液从连接管上开设的通孔流出后，可以快速的在废水中扩散，提高净化效率，净化后的废水经过滤网过滤后排出处理箱。
一种蚀刻生产废水处理系统

[发明专利]一种蚀刻液回收系统及其应用-CN202110438101.7在审
发明人：徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻液回收系统，包括废液罐，交换树脂(2)，回收罐，输送泵，电磁阀门和输液管道等组件；其中废液罐，交换树脂，回收罐，输送泵，电磁阀门之间通过输液管道连接，通过输液管道输送蚀刻液废液。本发明申请通过合理的设备系统安排和交换树脂的净化方法，有效提高了蚀刻液的回收效率(95％)，并且且能够保证蚀刻液中有效成分保存，确保蚀刻液循环使用性能，适宜在蚀刻液领域推广，具有广阔的发展前景，使用时无环境污染，交换树脂可以随时拆卸清洗并再生利用。
一种蚀刻回收系统及其应用

[发明专利]一种含铜叠层蚀刻液、蚀刻方法及其应用-CN202011260229.0有效
发明人：徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及金属表面化学处理领域，更具体地，本发明涉及一种含铜叠层蚀刻液、蚀刻方法及其应用，所述蚀刻液包括主剂，按重量份计，所述主剂包括1‑20份氧化剂、0.01‑1份氟离子源、0.01‑5份无机酸、1‑15份有机酸、1‑15份有机碱、0.01‑5份双氧水稳定剂、0.01‑1份金属缓蚀剂，溶剂补足100份。本发明提供的蚀刻液成本低，无磷，对环境友好，废液处理成本较低；能够有效抑制不同金属界面处的裂缝；具有较高的铜离子负载能力；具有优良的蚀刻特性，单边CD‑Loss0.9um，蚀刻角（taper）为35‑45°；能够解决倒角的问题，并有效避免绝缘层气泡，同时可免去预溶铜的步骤。
一种含铜叠层蚀刻方法及其应用

[发明专利]一种铜、钛叠层金属蚀刻液及制备方法和实时净化系统-CN202110426939.4在审
发明人：徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜、钛叠层金属蚀刻液，包括主剂和辅剂。主剂原料包含以下质量百分比：过氧化物1～20％，氟源0.01～0.5％，无机酸0.1～10％，胺化物1～30％，稳定剂0.01～1％，氮唑类化合物0.01～0.5％，水余量。辅剂原料包含以下质量百分比：氟源0.1～5％，无机酸1～15％，胺化物10～40％，氮唑类化合物0.1～5％，水余量。本发明申请制备的金属蚀刻液不含有磷元素，氟离子含量低，具有良好的环境友好性，且能够在铜、钛等金属的刻蚀过程中具有良好的刻蚀形貌和较高的金属离子负载能力，能同时满足超高精细和中小尺寸的显示产品的蚀刻要求。本发明还提供了一种蚀刻液的实时净化系统，能够实时的实时净化蚀刻液废液进行实时净化再利用，有效提高了蚀刻液的利用效率，适宜在蚀刻液领域推广，具有广阔的发展前景。
一种钛叠层金属蚀刻制备方法实时净化系统

[发明专利]一种环保低成本含钛金属蚀刻液组合物及其使用方法-CN202110124106.2在审
发明人：徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 -专利权人： 四川和晟达电子科技有限公司;江苏和达电子科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种环保低成本含钛金属蚀刻液组合物及其使用方法，蚀刻液包括主剂和辅剂，其中主剂组分按主剂的质量百分数计包括：过氧化氢1‑20％，强氧化性酸1‑10％，碱类化合物1‑10％，过氧化氢稳定剂0.01‑5％，氨基唑类化合物0.01‑2％，去离子水补充余量；辅剂组分按辅剂的质量百分数计包括：强氧化性酸1‑20％，碱类化合物1‑20％，氨基唑类化合物0.01‑2％，去离子水补充余量。本发明制作的蚀刻液组合物，无氟无磷，环境友好，废液处理成本较低，具有较高的铜离子负载能力，蚀刻得到的金属具有良好的蚀刻形貌，可满足超高精细、中小尺寸显示产品的生产要求。
一种环保低成本金属蚀刻组合及其使用方法

[发明专利]一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的蚀刻液、蚀刻补充液及其制备方法和应用-CN202010659770.2在审
发明人：徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于铜/钼(铌)/IGZO膜层的蚀刻液、蚀刻补充液及其制备方法和应用，蚀刻液包括以下组分：5～15％双氧水；0.1～10％硝酸和/或硫酸；0.1～2％氢氟酸和/或氟化铵；1～10％有机酸；1～10％有机碱；0.08～1％氮唑类金属缓蚀剂；0.1～1％苯基脲；余量水。蚀刻补充液包括以下组分：5～30％硝酸和/或硫酸；0.1～5％氢氟酸和/或氟化铵；5～30％有机酸；5～30％有机碱；0.1～2％氮唑类金属缓蚀剂；余量水。本发明的蚀刻液、蚀刻补充液使得SD/IGZO膜层经两次蚀刻后具有良好坡面角，防止IGZO膜层严重拖尾，减少光罩使用数量，铜负载能力高，生产成本低。
一种用于 igzo 蚀刻补充及其制备方法应用

[发明专利]一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用-CN202010652548.X在审
发明人：徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于铜/钼(铌)/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用，所述蚀刻液包括主剂和添加剂，所述主剂和添加剂中金属缓蚀剂均为氨基咔唑类金属缓蚀剂。本发明的刻蚀液能够实现对金属源漏电极和半导体层IGZO膜层的同步刻蚀，可降低光罩使用数量、简化IGZO‑TFT制造工艺流程、提高企业生产效率、降低生产成本、确保产品品质，同时该蚀刻液的铜离子负载可达8000ppm，使用寿命更高。
一种用于 igzo 刻蚀及其制备方法应用