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[发明专利]一种基于超导本征结阵列的高频整流器件-CN201910480592.4有效
发明人：花涛;许伟伟;唐蕾;刘伟伟;唐晓雨 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了整流器件技术领域的一种基于超导本征结阵列的高频整流器件，旨在解决现有技术中利用二极管进行整流受工作频率和温度限制大的技术问题。所述器件包括与水平磁场平行的衬底基片，衬底基片上设有两电极，两电极之间设有若干组形成互补对称结构且上表面平行于衬底基片的正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶和反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶，其CuO层均平行于衬底基片，相邻正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶与反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶之间通过下层BSCCO单晶连接层或上层BSCCO单晶连接层连接，下层BSCCO单晶连接层和上层BSCCO单晶连接层均间隔设置。
一种基于超导阵列高频整流器件

[发明专利]Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法-CN202011485480.7在审
发明人： 唐晓雨;花涛;刘玉杰;赵毅 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极。本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。
ge 基双栅型 ingaas nmosfet 器件及其制备方法