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- [发明专利]一种接触孔接触电阻测试结构-CN202210395915.1在审
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张婷;杨作东;彭翔;唐小亮;王奇伟
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-04-14
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2022-08-12
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H01L21/66
- 本发明提供一种接触孔接触电阻测试结构,所述结构包括第一测试结构和第二测试结构,第一测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第一有源区,第一有源区的两端分别设有第一接触孔,每行中的第一有源区通过第一接触孔相连形成行链条,行链条间通过所述第一接触孔相连形成串联的第一链条结构;第二测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第二有源区,第二有源区的两端分别设有第二接触孔,每列中的第二有源区通过第二接触孔相连形成列链条,列链条间通过第二接触孔相连形成串联的第二链条结构。利用本发明的测试结构可以直接从电阻值判断靠近浅沟道隔离区的接触孔与有源区SiGe是否接触良好,同时监测两个方向的接触孔相对有源区的漂移情况。
- 一种接触电阻测试结构
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