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[发明专利]硅芯拉制工艺及硅芯拉制过程中的原料棒预热方法-CN201110183614.4有效
发明人： 唐前正;张新;黄松云;叶建林;谢华;孙波;熊锐 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现原料棒方便、快速的预热，同时又不引入影响硅芯质量的杂质的硅芯拉制工艺。该工艺具体包括如下步骤：a、装炉时在原料棒的上端安置由熔点大于硅的导体材料所制成的导热片；b、拉制前利用电磁感应线圈对该导热片进行加热进而预热原料棒；c、在原料棒的上端熔融前摘掉导热片，待其熔融后再将籽晶从电磁感应线圈的芯孔中向下插入熔体；d、向上提升籽晶从而牵引熔体拉伸并通过电磁感应线圈的芯孔。本发明的有益效果是可以大大缩短硅芯拉制时间，提高效率，且导热片可重复使用，节省成本，此外原料棒表面熔化均匀，硅芯拉制成功率大大提高。本发明同时提供了硅芯拉制过程中的原料棒预热方法。
拉制工艺过程中的原料预热方法

[实用新型]三氯氢硅合成气气固分离装置-CN200920279944.1有效
发明人： 唐前正;何劲;李钊;郭勇;赵伯君 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于分离硅粉颗粒的三氯氢硅合成气气固分离装置，可过滤粒径小于10um的硅粉颗粒。该三氯氢硅合成气气固分离装置，包括分离容器以及设置在分离容器容腔内的滤芯，在分离容器的壳体上设置有与其容腔相通的合成气入口以及合成气出口，所述滤芯采用金属烧结式滤芯。由于金属烧结式滤芯具有良好的其耐磨特性，因此，在过滤硅粉颗粒时具有较高的使用寿命，从而减少对滤芯的更换成本；同时，金属烧结式滤芯具有良好的吸附性能，能够较好的除去10um以下的硅粉颗粒，尤其适合在分离硅粉颗粒的装置上推广使用。
三氯氢硅合成气分离装置

[实用新型]多晶硅生产还原炉或氢化炉尾气冷却装置-CN201020118710.1无效
发明人： 唐前正;张新;何劲;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种故障率更低的多晶硅生产还原炉或氢化炉尾气冷却装置，其包括换热器，该换热器的管程为冷却介质通道，该换热器的壳程为尾气通道，更加符合改良西门子法生产多晶硅还原尾气冷却的工作状况；采用U型管换热器结构，适用于高温、高压的场合，有效地避免了冷却介质和高温尾气混合发生反应，管板的焊缝位置设计在温度更低的出气侧，减少焊缝处泄漏，同时也延长了管板密封垫片使用寿命；在壳体加设水套，以保护设备，延长换热器的使用寿命。本实用新型的冷却装置更加安全有效，尤其适用于改良西门子法多晶硅生产还原炉尾气冷却的工艺状况。
多晶生产还原氢化尾气冷却装置

[发明专利]还原多晶硅的方法-CN200910310487.2有效
发明人： 唐前正;张新;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及还原多晶硅的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种还原多晶硅的方法，该方法可以提高多晶硅的沉积速率。本发明还原多晶硅的方法为：在压力0.3～0.6MPa的还原炉内通入摩尔比为0.15～0.5∶1的三氯氢硅和氢气进行还原。本发明方法提高了多晶硅还原时的压力，提高了反应速率和多晶硅的沉积速率，大大的缩短了多晶硅还原沉积的生产周期，提高了物料利用率，节约了能耗，具有广阔的应用前景。
还原多晶方法

[实用新型]三氯氢硅合成气气固分离装置-CN200920272273.6有效
发明人： 唐前正;安洪松;李钊;郭勇;赵伯君 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于分离硅粉颗粒的三氯氢硅合成气气固分离装置，可过滤粒径小于1μm的硅粉颗粒。该三氯氢硅合成气气固分离装置，包括分离容器以及设置在分离容器容腔内的滤芯，在分离容器的壳体上设置有与其容腔相通的合成气入口以及合成气出口，所述滤芯采用活性碳纤维毡制作。由于活性碳纤维毡具有良好的吸附性能，能够较好的除去1μm以下的硅粉颗粒，且活性炭纤维毡价格便宜，在很好过滤1μm以下的硅粉颗粒的同时，也可使滤芯的更换成本降低，尤其适合在分离硅粉颗粒的装置上推广使用。
三氯氢硅合成气分离装置

[实用新型]多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置-CN200920272438.X有效
发明人： 唐前正;张新;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可缩短还原炉启、停炉用时的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置。该装置包括抽真空装置，抽真空装置通过连接管道与还原炉的尾气出口连接，还原炉的尾气出口与所述连接管道之间设置有排气阀，所述抽真空装置的极限真空度≤0.06MPa。本实用新型以抽真空的方式代替氮气置换的方式对处于启、停炉阶段的还原炉进行处理，将炉内的氧含量、水含量控制到安全生产的许可范围，既缩短了处理时间，提高了工作效率，同时也提高了安全性。
多晶生产还原处理装置

[实用新型]液态氯硅烷在线取样装置-CN200920313458.7有效
发明人： 唐前正;张新;李钊;王璜;郭勇 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液态氯硅烷在线取样装置，所述的取样装置包括取样瓶(1)，管线(2)，三通阀(3)，截止阀(4)，取样瓶(1)至少有一个输入口和一个输出口，输入口那一端连接有输入装置，输出口那一端连接有输出装置。所述的取样装置，结构简单，操作方便，成本低廉。主要运用于氯硅烷组分、杂质含量分析的取样过程。
液态硅烷在线取样装置

[发明专利]生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法-CN201010300173.7无效
发明人： 唐前正;何劲;赵炯;税欣;周俊 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本发明涉及生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法，属于气体分离领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法，该方法可以分离得到纯度较高的氯化氢。本发明生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法，包括如下步骤：a、一次气体淋洗：生产多晶硅所产生的尾气用氯硅烷液体吸收，得到富液，富液与氯硅烷气体进行热交换，得到气相1；b、二次气体淋洗：气相1与氯硅烷液体进行热交换，得到气相2；c、一次冷凝：气相2于-20～-10℃冷凝，得到氯硅烷液体和气相3；d、三次气体淋洗：气相3与氯化氢液体进行热交换，得到氯硅烷液体和气相4；e、二次冷凝：气相4于-40～-45℃冷凝，分离得到液体氯化氢和氢气。
生产多晶产生尾气回收利用方法

[实用新型]氯硅烷回收利用装置-CN200920314105.9有效
发明人： 唐前正;李建军;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能避免环境污染的氯硅烷回收利用装置。该装置包括两台设置在总进口和总出口之间的回收罐，回收罐设置有废液进口和废液出口，所述回收罐的废液进口与总进口之间设置有进口阀，回收罐的废液出口与总出口之间设置有出口阀和泵，所述回收罐的压缩流体进口与压缩氮气进气管连接，所述回收罐的放空口与压缩氮气放空管连接。本实用新型利用两套回收罐、泵进行排放作业，避免了对环境或人员的损害，可控制排液速度，并可实现加压排液，从而提高了整个回收利用装置的可控性、可靠性和安全性，改善了作业环境，节约了能耗，主要用于多晶硅生产还原工序中。
硅烷回收利用装置

[发明专利]多晶硅生产中冷却回水的热能回收利用方法-CN200910312257.X有效
发明人： 唐前正;何劲;冉东;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产中冷却回水的热能回收利用方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种多晶硅生产中冷却回水的热能回收利用方法，该方法对冷却回水的热能回收利用率较高。本发明多晶硅生产中冷却回水的热能回收利用方法包括如下步骤：a、热能转移：采用冷却回水对溴化锂稀溶液进行浓缩；b、热能释放：用水喷淋浓缩后的溴化锂溶液，用放出的热量加热水得到138～145℃的过热水；c、制备高温饱和蒸汽：将过热水加入闪蒸装置中，使其瞬间气化为128～132℃的饱和蒸汽。本发明方法减少了大量板换冷却水用量，节约了水资源；本发明方法为多晶硅生产提供了稳定、优质的热源，减少了蒸汽的用量，节约了能源，有利于环保。
多晶生产冷却回水热能回收利用方法

[发明专利]改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法-CN201010114887.9无效
发明人： 唐前正;何劲;李钊;郭勇;赵伯君 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种成本较低的改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法和成本较低的生产三氯氢硅的方法。本发明改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法，包括如下步骤：a、硅粉与氯化氢反应制得三氯氢硅合成气，合成气经过干法除尘处理；b、除尘后的三氯氢硅合成气与湿气充分反应，反应后的气体再喷淋四氯化硅液体或通入四氯化硅液体中，得到液相1和气相1；c、气相1进入分离器，用四氯化硅液体洗涤，分离得到净化后的三氯氢硅合成气和液相2。本发明方法节约了多晶硅工厂的设备投资费用，为改良西门子法除硼、磷等杂质提供了一种新的途径。
改良西门子生产多晶工艺方法

[发明专利]氯硅烷汽化混合工艺及装置-CN200910310611.5无效
发明人： 唐前正;张新;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够提高氯硅烷汽化过程中氢气与氯硅烷比例控制精度的氯硅烷汽化混合工艺及装置。所述氯硅烷汽化混合装置包括换热器，氯硅烷输送管、氢气输送管与该换热器的管程/壳程连通，氯硅烷输送管、氢气输送管上均各设置有流量计和流量调节阀，相应地，该换热器的壳程/管程与热供应系统连通。所述换热器内对应于氯硅烷输送管与换热器连接口位置处设置有与所述连接口保持了间隙的分流器。所述氯硅烷汽化混合工艺通过将氯硅烷和氢气先分别计量再于换热器内混合汽化，实现了对氯硅烷与氢气混合气的完全汽化和氯硅烷与氢气比例的精确控制，有利于避免原料浪费及提高和稳定多晶硅产品质量，并有利于实现自动化控制。
硅烷汽化混合工艺装置

[发明专利]多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺及装置-CN200910226157.5无效
发明人： 唐前正;张新;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可缩短还原炉启、停炉用时的多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺及装置。本发明的多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺，系对启、停炉阶段的还原炉进行抽真空处理，直至炉内绝对压力≤0.05MPa。本发明的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置包括抽真空装置，抽真空装置通过连接管道与还原炉的尾气出口连接，还原炉的尾气出口与所述连接管道之间设置有排气阀，所述抽真空装置的极限真空度≤0.06MPa。本发明以抽真空的方式代替氮气置换的方式对处于启、停炉阶段的还原炉进行处理，将炉内的氧含量、水含量控制到安全生产的许可范围，既缩短了处理时间，提高了工作效率，同时也提高了安全性。
多晶生产还原处理工艺装置

[发明专利]三氯氢硅合成气气固分离装置-CN200910225164.3无效
发明人： 唐前正;何劲;李钊;郭勇;赵伯君 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分离硅粉颗粒的三氯氢硅合成气气固分离装置，可过滤粒径小于10μm的硅粉颗粒。该三氯氢硅合成气气固分离装置，包括分离容器以及设置在分离容器容腔内的滤芯，在分离容器的壳体上设置有与其容腔相通的合成气入口以及合成气出口，所述滤芯采用金属烧结式滤芯。由于金属烧结式滤芯具有良好的其耐磨特性，因此，在过滤硅粉颗粒时具有较高的使用寿命，从而减少对滤芯的更换成本；同时，金属烧结式滤芯具有良好的吸附性能，能够较好的除去10μm以下的硅粉颗粒，尤其适合在分离硅粉颗粒的装置上推广使用。
三氯氢硅合成气分离装置

[发明专利]三氯氢硅合成气气固分离装置-CN200910224685.7无效
发明人： 唐前正;安洪松;李钊;郭勇;赵伯君 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分离硅粉颗粒的三氯氢硅合成气气固分离装置，可过滤粒径小于1um的硅粉颗粒。该三氯氢硅合成气气固分离装置，包括分离容器以及设置在分离容器容腔内的滤芯，在分离容器的壳体上设置有与其容腔相通的合成气入口以及合成气出口，所述滤芯采用活性碳纤维毡制作。由于活性碳纤维毡具有良好的吸附性能，能够较好的除去1um以下的硅粉颗粒，且活性炭纤维毡价格便宜，在很好过滤1um以下的硅粉颗粒的同时，也可使滤芯的更换成本降低，尤其适合在分离硅粉颗粒的装置上推广使用。
三氯氢硅合成气分离装置

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