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[发明专利]驻车辅助装置-CN202011062971.0在审
发明人：松永康孝;高木俊宏;小材聪;伊井野将嘉;高田道弘;野村祐介;和泉亮;前田真由子 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装天;株式会社电装
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B60W30/06 文献下载
摘要：车辆驻车辅助装置(10)具有ECU(90)。ECU(90)配置为，以根据目标驻车位置相对于车辆(100)的相对位置，将目标驻车区域的部分或整个范围优先映现于触摸面板显示部(60)的规定的图像显示区域的方式，显示周边图像(G1)。
辅助装置

[发明专利]驾驶员辅助装置-CN202011077070.9在审
发明人：高木俊宏;松永康孝;和泉亮 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B60W30/06 文献下载
摘要：驾驶员辅助装置(10)具备ECU(90)。在显示包括周边图像和自定义按钮(Btc)的周边监视画面(G3)时自定义按钮(Btc)被触摸操作的情况下，ECU(90)将周边监视画面(G3)切换为自定义画面(G4a)并显示。在显示自定义画面(G4a)时预定条件成立的情况下，ECU(90)将自定义画面(G4a)切换为引起注意画面(G5)并显示。
驾驶员辅助装置

[发明专利]轧制装置以及轧制监视方法-CN201380021569.X有效
发明人：伊藤健作;木之本刚;小野源治;和泉亮;立石康博;狩野竜一 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： B21C51/00 文献下载
摘要：提供一种轧制装置，其能够识别被轧制机咬入的钢板的行迹等轧制状况，能够稳定进行轧制作业。轧制装置(10)包括：多个具备一对轧制辊(12)的轧制机(11)；以及拍摄部件(15)，其配置在相邻的轧制机(11A、11B)之间，并用于拍摄从位于轧制方向下游侧的轧制机(11A)的上游侧被轧制机(11B)的一对轧制辊(12B)咬入的钢板(1)；拍摄部件(15)在轧制机(11B)的轧制方向(Z)上游侧，以满足下述数式1的关系的方式配置在钢板(1)的能够通过区域(P)的板宽方向中央部分：2×L×tan(α/2)＞W_max···(1)。在此，L是拍摄部件(15)与位于轧制方向下游侧的轧制机(11B)在轧制方向上的距离，α是拍摄部件的水平视场角，W_max是钢板(1)的最大宽度。
轧制装置以及监视方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200480012530.2有效
发明人：高桥正俊;大塚宽之;松村英树;增田淳;和泉亮 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10％的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200480006569.3有效
发明人：山田由美;和泉亮 -专利权人：古河电气工业株式会社;三井化学株式会社
申请日： 2004-04-19 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构(14)对应的部分形成混晶化促进膜(8)的工序；利用催化剂CVD法在窗结构(14)以外的部分至少形成保护膜(9)的工序；通过热处理对窗结构(14)部分进行混晶化的工序，由此，仅将窗结构等的要局部混晶化的部分混晶化，不影响其它不混晶化的部分，而制造半导体激光元件等半导体元件，制造出高功率、寿命长且可靠性高的半导体元件。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体激光装置的制造方法-CN01803280.X有效
发明人：齐藤公彦;和泉亮;松村英树 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2001-08-22 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：在半导体衬底上层叠一包含一势阱层的半导体薄膜，半导体衬底及半导体薄膜被解理，在有加热的催化物质存在情况下，将通过解理获得的半导体衬底和半导体薄膜的解理面暴露在一种气氛中，该气氛是分解一种含N原子气体形成的，由此去除解理面的表面层并在该表面上形成氮化物层。随后在解理面上形成一种介质膜。根据上述技术，通过使用催化CVD装置，形成在解理表面上的自然氧化膜被去除，并且可形成一保护膜。
半导体激光装置制造方法