“周磊簜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]改善噪声特性的差分式光电晶体管器件结构及使用方法-CN202310803390.5在审
发明人： 周磊簜;范婷婷 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善噪声特性的差分式光电晶体管器件结构及使用方法，包括反向串联的第一光电晶体管和第二光电晶体管，所述第一光电晶体管和第二光电晶体管结构相同，且对称设置，所述第一光电晶体管和第二光电晶体管均包括依次设置的发射区、基区和集电区；所述第一光电晶体管的发射区和第二光电晶体管的发射区均通过本征层连接至衬底层，所述第一光电晶体管的集电区的自由面设置第一电极，所述第二光电晶体管的集电区的自由面设置第二电极。本发明能够直接输出差分电压信号，用于抑制噪声、提高灵敏度，并且工艺简单、成本低廉。
改善噪声特性分式光电晶体管器件结构使用方法

[发明专利]一种高非线性ZnO基多晶陶瓷及其制备方法和应用-CN202210009755.2有效
发明人： 周磊簜;武康宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供了一种高非线性ZnO基多晶陶瓷及其制备方法和应用，本发明通过烧结工艺形成的ZnO多晶陶瓷晶界处可形成天然肖特基势垒结构，利用金属电极以及制备得到的ZnO多晶陶瓷，以串联模式形成背靠背肖特基势垒模型器件，减少了器件电极、材料缺陷对核辐射探测器性能影响，以极低的成本实现了超大体积并具有10ns量级时间分辨率的X射线探测器。
一种非线性 zno 基多陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种基于SiC的BJT垂直结构半导体辐射探测器-CN202211166643.4在审
发明人：王晶;陈亮;欧阳晓平;周磊簜;田耕;罗通顶;张雁霞;赵前;吕宗璟 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射探测器，具体涉及一种基于SiC的BJT垂直结构半导体辐射探测器。解决了现有SiC材料辐射探测器无法实现器件内部探测信号的线性增益以及传统BJT硅材料探测器抗辐照性能差、使用寿命短、温度稳定性差和暗电流大的技术问题。本发明探测器包括衬底、集电极电极、集电极、基极、发射极和发射极电极；发射极和衬底均为N型重掺杂SiC材料；基极为P型重掺杂SiC材料；集电极为N型轻掺杂SiC材料；发射极与基极形成第一PN结，在偏置电压下正偏，形成薄耗尽区；集电极与基极形成第二PN结，在偏置电压下反偏，形成厚耗尽区；厚耗尽区包含整个集电极和部分基极；薄耗尽区包含部分发射极和部分基极；两耗尽区之间在基极内部存在一个非耗尽的间隙。
一种基于 sic bjt 垂直结构半导体辐射探测器

[发明专利]一种将核辐射转变为发光的有源半导体核辐射探测器件-CN202111204200.5在审
发明人：陈亮;周磊簜;欧阳晓平;卢星;王晶 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种将核辐射转变为发光的有源半导体核辐射探测器件，包括PIN结构和LED发光二极管；两者为串联结构，且串联区域为共用一个N层或者P层；器件表面分别制作电极和电极。将传统的PIN半导体探测器技术与LED发光结构组合，利用反偏的PIN结完成射线作用下的能量沉积、产生载流子，载流子在电场作用下进入LED，并在复合发光区转变为光输出，实现“核—电—光”的转换探测，从而形成了一种用于核辐射探测的新型半导体有源器件。相对于闪烁体发光过程的不受控，新器件为有源器件，通过结构设计及外加电场的调节，可以实现对载流子输运、载流子复合发光过程的有效控制，进而实现“核—电—光”转换探测过程受控。
一种核辐射转变为发光有源半导体探测器件