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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]嵌入式锗硅的制备方法-CN201410562325.9在审
发明人：肖天金;周海锋;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式锗硅的制备方法，包括：提供硅衬底，该衬底上形成有PMOS晶体管的栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底内形成有凹槽；使用原子层沉积在所述凹槽内形成硅籽晶层；使用原子层沉积形成SiGe薄膜，该SiGe薄膜覆盖所述硅籽晶层；在所述凹槽内沉积SiGe层，所述SiGe层位于该SiGe薄膜上并填满所述凹槽。本发明的方法能够得到低缺陷、粗糙度良好的硅和锗硅表面，从而能够形成低位错缺陷的嵌入式SiGe。
嵌入式制备方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法-CN201410561809.1在审
发明人： 周海锋;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在该锗硅外延的反应过程之前，在湿法清洗过后，增加使用干法刻蚀的方法对硅衬底所在的晶圆片的表面进行低量的刻蚀以及再生长出与该硅衬底相同晶格结构的一硅成核层，以移除并替代前道工艺中由于等离子体造成的晶格损伤的该硅衬底部分，改善该硅衬底上待外延的沟槽内壁表面的粗糙度和清洁度。本发明能够减少在嵌入式锗硅外延的生长过程中由于界面缺陷源导致的位错缺陷，提高了锗硅的应力，改善了PMOS晶体管的电性。
嵌入式外延缺陷改善方法

[发明专利]嵌入式锗硅的制备方法-CN201410561757.8在审
发明人：肖天金;谭俊;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式锗硅的制备方法，包括：提供硅衬底，该衬底上形成有PMOS晶体管的栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底内形成有凹槽；使用原子层沉积在所述凹槽内形成硅籽晶层；在所述凹槽内沉积SiGe层，所述SiGe层位于该硅籽晶层上并填满所述凹槽。本发明的方法能够得到低缺陷和粗糙度良好的硅表面，从而能够形成低位错缺陷的嵌入式SiGe。
嵌入式制备方法

[发明专利]一种用于形成嵌入式锗硅的方法-CN201410373426.1在审
发明人：鲍宇;李润领;周海锋;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一半导体层；形成隔离结构；在第一半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除第一半导体层，仅保留所述第一半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在所述第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。
一种用于形成嵌入式方法

[发明专利]用于制作嵌入式锗硅的方法-CN201410374256.9在审
发明人：鲍宇;周海锋;李润领;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了用于制作嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构；对衬底进行第一刻蚀，以形成第一区域和第二区域；形成应力调节层；在应力调节层上形成第一半导体层；对第一区域进行选择性第二刻蚀；在第一区域上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第二半导体层；在第一半导体层和第二半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除第二半导体层，仅保留第二半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第二半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在第二半导体层的侧壁上形成Σ形状。
用于制作嵌入式方法

[发明专利]一种用于制作嵌入式锗硅的方法-CN201410374245.0在审
发明人：鲍宇;周海锋;李润领;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制作嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构；刻蚀所述衬底，以去除隔离结构之间的衬底材料；形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除第一半导体层，仅保留第一半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。
一种用于制作嵌入式方法

[发明专利]一种提高半导体器件性能的方法-CN201510608924.4在审
发明人： 周海锋;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高半导体器件性能的方法。本方法包括：提供一衬底，于衬底上形成侧墙；于侧墙间隔的衬底内形成U型硅腔；处理U型硅腔，以形成Σ型硅腔。本发明通过改变硅腔基底的形貌，形成一个新的形貌的硅腔，以提高载流子的迁移率，进而提高半导体器件的性能。
一种提高半导体器件性能方法

[发明专利]一种多重图形化掩膜的制备方法-CN201510608977.6在审
发明人：鲍宇;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其涉及一种多重图形化掩膜的制备方法，通过沉积牺牲层作为掩膜或者作为侧墙层来制备多重图形化掩膜，有效改善了传统技术方案中制备多重化掩膜层的侧墙的两侧侧壁的形貌的差异，提高了半导体器件的性能，增加了半导体器件的良率。
一种多重图形化掩膜制备方法

[发明专利]用于形成嵌入式锗硅的方法-CN201410373409.8在审
发明人：鲍宇;李润领;周海锋;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了用于形成嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构，以隔离出第一区域和第二区域；对第一区域进行选择性刻蚀；在第一区域中形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一半导体层；在第一半导体层和第二区域上形成栅极和侧墙；选择性去除第一半导体层，仅保留第一半导体层在栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。
用于形成嵌入式方法

[发明专利]一种侦测锗硅残留的方法-CN201510663115.3在审
发明人：成鑫华;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种侦测锗硅残留的方法，通过在开启刻蚀气体的沉积条件下对硅片进行锗硅沉积形成第一锗硅堆叠后，继续在关闭刻蚀气体的条件下对该硅片再次进行锗硅沉积形成第二锗硅堆叠，并根据第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠的厚度推算出刻蚀气体的刻蚀速率，之后对刻蚀气体的刻蚀速率进行长期的监控，并定出合理的波动范围，即可长期监控以防止沉积锗硅残留的存在；该方法能有效的侦测锗硅沉积工艺在硬掩膜上的残留，从而保证产品的安全。
一种侦测残留方法

[发明专利]一种提高半导体器件性能的方法-CN201510608961.5在审
发明人： 周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高半导体器件性能的方法。本发明的方法包括：提供一衬底，于衬底上形成侧墙；于侧墙间隔的衬底内形成U型硅腔；对U型硅腔进行表面氧化，生成氧化层；刻蚀氧化层，形成扩张的硅腔。
一种提高半导体器件性能方法

[发明专利]高K金属栅极结构的制造方法-CN201510611666.5在审
发明人：鲍宇;李润领;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及高K金属栅极结构的制造方法。本发明方法包括：提供一衬底，在衬底上依次沉积通孔刻蚀停止层、层间绝缘氧化层后，曝露伪栅极；移除伪栅极，形成凹槽；依次沉积高K介电层、保护层覆盖衬底与层间绝缘氧化层的上表面；沉积牺牲材料于保护层上，并刻蚀牺牲材料；刻蚀高K介电层与保护层于凹槽的内部，移除牺牲材料。
金属栅极结构制造方法

[实用新型]智能集成装卸系统-CN201520549289.2有效
发明人：周博;杨政;叶爱学;周海锋 -专利权人：博锋智能科技（大连）有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： B66C19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能集成装卸系统，通过前后滑台电机控制门形支架在货车车厢中的前后滑动，通过左右滑台电机控制工字钢滑道在槽钢滑道中左右滑动，通过升降滑台电机控制电机固定支架在工字钢滑道中左右滑动，升降电机通过拉动钢丝绳带动夹持机构及货柜进行升降运动，液压缸卡钳通过伸出或缩进来夹取或放松货柜，使集装箱的装卸安全、高效、低成本、智能化。
智能集成装卸系统

[实用新型]自动便携式电缆传送机器人-CN201520547344.4有效
发明人：周博;叶爱学;杨政;周海锋 -专利权人：博锋智能科技（大连）有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动便携式电缆传送机器人，伺服电机与滚珠丝杠的一端连接，滚珠丝杠的另一端安装在底座上，滚珠丝杠上套装有丝杠螺母，丝杠螺母固定安装在滑台内，位于滚珠丝杠两侧的光杠穿过滑台且两端安装在底座上，滑台上安装有机械手臂。本实用新型通过采用伺服电机和滚珠丝杠实现了电缆的自动输送，大大减少了人工的使用；通过具有单向输送功能和自适应外径功能的机械手臂，实现电缆定向输送，提高了效率；通过单机控制或多个机构联机协调工作，可以适应不同工况，按照实际需求自由搭配；采用有线或无线远程控制，统一协调多个机构，可调整机构数量、速度、运行模式等指标，并保证各个机构同步动作，提高了工作效率。
自动便携式电缆传送机器人

[实用新型]便携式电缆自动传送机械手臂-CN201520547366.0有效
发明人： 周海锋;吴迪 -专利权人：博锋智能科技（大连）有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H02G1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式电缆自动传送机械手臂，包括机械手臂外壳、楔形滑块、固定销、连接板、橡胶垫块固定板、橡胶垫块和滑槽限位块，机械手臂外壳上板的滑槽与楔形滑块滑动连接，下方的橡胶垫块固定在机械手臂外壳的底板上，上方的橡胶垫块固定在楔形滑块上，滑槽限位块的一端固定安装在机械手臂外壳上，另一端置于楔形滑块的限位槽内，机械手臂外壳安装在连接板上。本实用新型通过采用楔形滑块以及橡胶垫块的结构，具有单向输送功能和自适应外径功能，实现电缆定向输送，大大减少了人工，安全可靠，提高了效率，节约了成本。
便携式电缆自动传送机械手臂

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