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[发明专利]一种鞋底防滑结构制备方法、防滑结构及鞋底-CN202310760233.0在审
发明人：林金攀;彭达武;郑建山;周智斌 -专利权人：三六一度（中国）有限公司;三六一度（福建）体育用品有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B29C65/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种鞋底防滑结构制备方法、防滑结构及鞋底，属于鞋底领域，一种鞋底防滑结构制备方法，包括以下步骤：S1：选取面料层和橡胶液，S2：在具有若干相互独立的凹坑的模具中加入橡胶液，将橡胶液抹平使其填平凹坑，S3：将面料层的一面覆接在若干个所述凹坑上，凹坑中的橡胶液固化后形成粘附于面料层的橡胶部。一种鞋底防滑结构，包括：面料层和橡胶部，面料层的一侧面具有若干向外凸出的橡胶部，相邻的橡胶部之间具有间隙，面料层的另一侧面与鞋底相连。本发明的一种鞋底防滑结构制备方法、防滑结构及鞋底，鞋底防滑结构采用面料层+不连续的橡胶部的设计，既能保持鞋底的防滑、耐磨性能，又能减轻鞋底质量。
一种鞋底防滑结构制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片-CN202310780739.8在审
发明人： 周智斌;汪延明;何强 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，其制备方法包括：制备发光二极管外延片；制备透明扩展层；制备反射绝缘层：在透明扩展层的芯片表面沉积一层反射绝缘层；制备整体芯片；将整体芯片进行切割；将每颗发光二极管芯片翻转至高温膜；制备绝缘包覆层。本发明所提供的发光二极管芯片的制备方法，其具有工艺简洁(只需要进行两次黄光光刻即可完成)且能够有效提升芯片的稳定性和可靠性、有利于产业化制备的特点。本发明最大的特色在于不需要经过深刻蚀就可以实现倒装芯片制备，采用的是在芯片分开后通过镀膜实现绝缘。
一种发光二极管芯片制备方法

[实用新型]一种分散受力的鞋底及其运动鞋-CN202320685015.0有效
发明人：周涛;周智斌;丁伍号;刘思琪 -专利权人：三六一度（中国）有限公司;三六一度（福建）体育用品有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A43B13/26 文献下载
摘要：一种分散受力的鞋底及其运动鞋。它包括高弹鞋底、足底板，足底板设置在高弹鞋底上，足底板包括后端凹陷块、侧边足弓承托块、前端弹性块、前端支撑块、中部足弓承托块，前端弹性块与前端支撑块从鞋外侧至鞋内侧相互交错连接，且前端弹性块与前端支撑块设置在中部足弓承托块靠近鞋头的一端，中部足弓承托块远离鞋头的一端连接有后端凹陷块，中部足弓承托块的侧边向上凸起形成侧边足弓承托块。本实用新型有益效果为：足底板上的侧边足弓承托块与中部足弓承托块共同形成了足弓承托处，能够对其用户足底的足弓处进行受力分散，使其用户足弓处，能够得到有效的放松，进而使其用户有更好的运动姿势，从而保护其用户膝盖与足底安全。
一种分散鞋底及其运动鞋

[发明专利]微尺寸发光二极管及其制备方法-CN202310418720.9在审
发明人： 周智斌;汪延明;何强;李佳欣;何洁 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种微尺寸发光二极管及其制备方法，包括衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明接触层、P电极、N电极以及透明绝缘层，衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层依次设置，透明接触层设置在第二半导体层上，所述缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层的边缘刻蚀形成斜角结构，透明绝缘层设置在衬底层、斜角结构以及透明接触层的表面，P电极贯穿透明接触层和透明绝缘层设置在第二半导体层，N电极贯穿透明绝缘层设置在第一半导体层的裸露面。本发明提供的微尺寸发光二极管能够调整出光角度，减少光在发光二极管内多次反射后被损耗，从而提高发光效率，减少能耗。
尺寸发光二极管及其制备方法

[实用新型]柔性联轴器-CN202320052496.1有效
发明人： 周智斌;陈莉;蒋健翰 -专利权人：东营元创石油技术有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F16D9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及柔性联轴器技术领域，公开了柔性联轴器，包括连接杆，所述连接杆的内侧左端设置有双公接头，所述双公接头的内侧左端固定连接有第一外管，所述第一外管的左端贯穿双公接头，所述双公接头的内侧右端固定连接有第二外管，所述第二外管的右端贯穿双公接头，所述第一外管的内侧设置有第一内管，所述第一内管的左端贯穿第一外管的左端。本实用新型中，通过弧面键进行扭矩传递，当出现卡泵时，密封圈转动搅动砂子解卡，配合固定杆转动，固定杆的一端设置有扁方，扁方随之转动搅拌底部砂子，起到预防卡泵，结构简单，占用空间较小，提高联轴器的传递扭矩，同时增加联轴器的清砂作用。
柔性联轴器

[实用新型]一种透气耐磨鞋底及其运动鞋-CN202320281033.2有效
发明人：贺丽君;邹景纲;丁伍号;周智斌 -专利权人：三六一度（中国）有限公司;三六一度（福建）体育用品有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： A43B13/22 文献下载
摘要：一种透气耐磨鞋底及其运动鞋，它涉及运动鞋技术领域。它包括耐磨块、防护底层、防护侧边、贴肤面层、弹性气囊，耐磨块设置在防护底层的下方，防护底层的上方与贴肤面层相连接，弹性气囊位于防护底层与贴肤面层之间，贴肤面层上方的侧边设有防护侧边。本实用新型有益效果为：本透气耐磨鞋底及其运动鞋通过在鞋底上增加若干个耐磨块，进而增加其鞋底整体的耐磨效果；在其内部增加吸气管、排气管及弹性气囊，一方面增加了鞋底的弹性，另一方面增加了鞋底的透气效果；弹性填充块与贴肤面层，能够一定程度上增强鞋底的舒适性与弹性，从而增强用户的穿戴舒适性。
一种透气耐磨鞋底及其运动鞋

[发明专利]一种高亮度LED芯片结构及其制备方法-CN201710193034.0有效
发明人： 周智斌 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种高亮度LED芯片结构及其制备方法，该高亮度LED芯片在厚度方向依次包括衬底、缓冲层、N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层，N‑GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及P‑GaN层依次设置在上台阶部上方，下台阶部的N‑GaN上直接设置有N区围坝结构，其中N区围坝结构中间区域设置有N电极、P‑GaN层上设置有P电极，N区围坝结构为一端由N‑GaN层的下台阶部封闭的空心的柱体状，且在其朝向P电极的一侧不留缺口或留有用于电流流出的缺口，围坝结构高度为0.7um～5um，且大于等于其所包围的N电极高度，N区围坝结构为含GaN的结构，其宽度为4um～40um。本发明的LED芯片结构制作方法简单，有利于提高芯片亮度，同时不会出现由于LED芯片挤金现象而造成的安全问题。
一种亮度 led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种提升LED芯片亮度的制备方法及LED芯片-CN202211632949.4在审
发明人： 周智斌;汪延明;陈艳恒;王建长 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升LED芯片亮度的制备方法及LED芯片，该制备方法包括步骤S1、在LED外延片上制作通孔结构；步骤S2、为所述通孔结构填充二氧化硅绝缘层。该LED芯片由所述制备方法制得。本发明能够有效提升LED芯片发光亮度，并且制备方法相对简单，可以实现LED芯片高效量产。
一种提升 led 芯片亮度制备方法

[发明专利]一种芯片及其切割方法-CN202110652881.5有效
发明人： 周智斌 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片切割方法，包括制备芯片和切割芯片，其中切割芯片时，采用激光隐形切割工艺对若干个芯片的衬底进行分割，激光隐形切割工艺包括至少两次切割深度依次递减的激光切割，其中，第一次激光切割采用高频率、高功率和高速度的切割方式；由多次激光切割形成的激光点阵中，沿切割深度方向排列的同列激光点之间的偏移量小于10微米；本发明还提供了一种通过上述芯片切割方法制备的芯片。本发明可以更加有效的控制激光切割时产生的延伸纹路，使芯片侧壁粗化，便于实现光的取出；通过后续的激光切割可进一步释放第一次激光切割产生的应力，进一步的控制衬底侧壁的裂纹，确保在切割过程中不会导致芯片的漏电，提升芯片的IR良率。
一种芯片及其切割方法

[实用新型]气液交换除味系统-CN202221942451.3有效
发明人： 周智斌;黄义群 -专利权人：广州迪斯环保设备工程有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了气液交换除味系统，包括催化燃烧仓、吸附塔、进风风机和低温等离子机，所述催化燃烧仓两端分别设置有低温等离子机和吸附塔，所述进风风机的进气端通过管道连接有初效过滤器，所述初效过滤器的出气端连接有总进管，所述总进管靠近中央处上端有第二进气管，所述总进管靠近两端处上端分别设置有第一进气管和第三进气管，所述第二进气管顶部两端均连接有第一三通分管，所述第三进气管顶端两侧均连接有第二三通分管，所述第一三通分管和第二三通分管均通入催化燃烧仓内。该新型烟气进入燃烧仓时的均匀效果佳，含有异味的气体在燃烧时的效率较高，适合广泛推广使用。
交换系统

[外观设计]组合式桌子-CN202230402720.6有效
发明人： 周智斌 -专利权人：抚州市东南展柜制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：组合式桌子。2.本外观设计产品的用途：用于桌子。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
组合式桌子

[发明专利]一种微尺寸LED芯片结构及其制备方法和剥离方法-CN202210572440.9在审
发明人： 周智斌;汪延明;许亚兵 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种微尺寸LED芯片结构，包括衬底和间隔设置在衬底上的多个微尺寸芯片结构；每个所述微尺寸芯片结构均包括外延片结构、支撑转移层、P电极和N电极。本发明又提供了一种制备所述的微尺寸LED芯片结构的制备方法，包括步骤S1、制备外延片结构；步骤S2、制备支撑转移层；步骤S3、制备N电极和P电极。本发明还提供了一种剥离所述微尺寸LED芯片结构的剥离方法，包括步骤W1、形成切割缝隙；步骤W2、定向腐蚀；步骤W3、衬底剥离。本发明能够实现多个微尺寸芯片的批量转移，大大的降低了剥离转移时间和转移成本，显著的提高了生产效率。
一种尺寸 led 芯片结构及其制备方法剥离

[实用新型]一种斗轮机防撞保护用超声波组件-CN202122867315.4有效
发明人：焦庆航;张建华;周智斌;杨光文;杨佰臻;崔云飞;王凯;周明;赵家滨;李伟伟;宋金浩;陆大勇;孟庆党;汪长庆 -专利权人：华能巢湖发电有限责任公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01S7/521 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种斗轮机防撞保护用超声波组件，涉及超声波测距领域，包括保护外壳，保护外壳的顶端设置有盖板，保护外壳的背面固定连接有安装座，保护外壳的顶端四角开设有螺纹孔，保护外壳的内腔设置有超声波测距模块，保护外壳的内壁设置有防尘组件，防尘组件包括支撑板，支撑板的一侧与保护外壳的内壁固定连接，支撑板的顶端固定连接有固定块，固定块的顶端对称设置有两个圆管，两个圆管的内腔设置有气囊。本实用新型利用防尘组件的设计，通过盖板上挤压块对圆管内的气囊进行挤压后，另一个圆管内的气囊被挤出，防尘板贴住盖板与保护外壳的连接处，实现对内部的超声波测距模块的防尘保护。
一种轮机保护超声波组件

[发明专利]一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片-CN202210186828.5在审
发明人： 周智斌;季辉;汪延明 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长ALN层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；依次蚀刻贯穿第二型半导体层、多量子阱层以及部分第一型半导体层形成台阶结构；在台阶上沉积保护层；腐蚀保护层后在裸露的第一型半导体层上生长N型第一接触层；然后形成N型第二接触层；在第二型半导体层上形成与保护层并列设置的接触反射层；在N型第二接触层和接触反射层上分别形成第一电极加厚层，在第一电极加厚层上继续形成第二电极加厚层；沉积绝缘层；腐蚀绝缘层至第二电极加厚层分别形成N凹槽和P凹槽；在N凹槽中设置N电极，在P凹槽中设置P电极，得到LED芯片。
一种 led 芯片制备方法所得

[发明专利]一种微阵列集成LED芯片及其制备方法-CN201910362639.7有效
发明人： 周智斌 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种微阵列集成LED芯片，包括通过阵列式结构相连的多个GaN基LED芯片，相邻的GaN基LED芯片通过透明绝缘层相连且衬底为一体式结构；每个GaN基LED芯片结构包括从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、ITO层和透明绝缘层；还包括从上到下贯穿至N型GaN层的第一台面和从N型GaN层到衬底的第二台面，N电极设置在N型GaN层的第一台面上且端部裸露在透明绝缘层外，P电极贯穿透明绝缘层和ITO层与P型GaN层相连。本发明还提供了该微阵列集成LED芯片的制备方法，该微阵列集成LED芯片高密度集成封装、亮度高，同时还能够实现小尺寸芯片的快速整体转移和封装。
一种阵列集成 led 芯片及其制备方法

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