专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体基板的缺陷区域的评价方法及系统-CN202310392900.4在审
  • 吴秀山;周晓伟;崔佳民;蔡建平;闫树斌;彭涛;姚玮 - 浙江水利水电学院
  • 2023-04-13 - 2023-09-12 - G06T7/00
  • 本发明属于半导体基板的缺陷区域的评价技术领域,公开了一种半导体基板的缺陷区域的评价方法及系统,所述半导体基板的缺陷区域的评价系统包括:基板图像采集模块、主控模块、基板图像增强模块、图像分割模块、缺陷定位模块、缺陷评价模块、显示模块。本发明通过基板图像增强模块获得首级节点半导体基板图像,并由后续的各级子网络依次对上一级子网络获得的节点半导体基板图像进行半导体基板图像增强,从所述末级子网络的输出获得末级节点半导体基板图像,以所述末级节点半导体基板图像作为所述原始半导体基板图像对应的增强半导体基板图像;同时,通过缺陷定位模块可以准确定位半导体基板缺陷点位置。
  • 一种半导体缺陷区域评价方法系统
  • [发明专利]一种基于表面等离激元血红蛋白浓度检测传感器-CN202310737944.6在审
  • 闫树斌;周国全;刘吉来;吴太权;张怡;吴秀山 - 浙江水利水电学院
  • 2023-06-21 - 2023-08-11 - G01N21/552
  • 本申请提供了一种基于表面等离激元血红蛋白浓度检测传感器,所述传感器包括基底层和金属层;所述金属层设置在基底层的顶部,所述金属层上设置有沿着金属层长度方向设置的波导沟,所述金属层上设置有垂直于波导沟中部的短波;所述金属层上设置有对应波导沟中部的谐振腔,所述谐振腔包括等大的两个圆环腔和两个矩形腔,两个圆环腔相交,且两圆环腔的圆心所在直线与波导沟平行,两个矩形腔分别贯穿设置在两个圆环腔远离波导沟的半圆上,且两个矩形腔关于圆环腔对称设置,矩形腔靠近波导沟的长边所在直线过对应圆环腔的圆心。本申请结构简单、传感性能优异的特点,和优异的传感性能,可以检测血红蛋白的浓度,为纳米生物传感设备提供了理论基础。
  • 一种基于表面离激元血红蛋白浓度检测传感器
  • [发明专利]一种基于表面等离激元的温度检测传感器-CN202310712316.2在审
  • 闫树斌;刘峰;刘吉来;吴太权;吴秀山;罗云霞 - 浙江水利水电学院
  • 2023-06-15 - 2023-07-28 - G01K11/32
  • 本申请公开了一种基于表面等离激元的温度检测传感器,包所述传感器包括基底层和金属层;所述金属层设置在基底层的顶部,所述金属层的中下位置设置有均匀宽度的MIM波导,所述MIM波导上带有一个矩形腔,所述矩形腔在MIM波导上左右对称,所述金属层上设置有对应波MIM波导中心的圆环形的谐振腔,所述谐振腔位于MIM波导背离矩形腔的一侧,所述谐振腔内接有椭圆腔,所述椭圆腔的圆心与谐振腔的圆心同心设置,所述传感器以垂直平分线左右对称。本申请传感器具有简单的结构和优异的传感性能,通过设计不同结构尺寸并且在谐振腔与MIM波导内填温度敏感介质乙醇,可以达到检测温度的目的;该结构易于高密度的光集成,因此具有较大的应用价值。
  • 一种基于表面离激元温度检测传感器
  • [实用新型]一种多头灌胶机构-CN202222050223.1有效
  • 胡沈昊;蔡建平;唐瀚;王学伟;柏温温;赵宇杭;邹嘉雯;吴秀山 - 浙江水利水电学院
  • 2022-08-04 - 2023-01-13 - B05C5/02
  • 本实用新型涉及灌胶设备技术领域,公开了一种多头灌胶机构,包括机架、固定在机架底部的连接座,所述机架上设有滑动座、驱动滑动座水平移动的水平驱动机构,所述滑动座上固定有连接板,所述连接板的上滑动设有升降座,连接板上设有用于驱动升降座升降的升降驱动机构;所述升降座上设有若干灌胶组件,所述灌胶组件的下端设有灌胶嘴,所述连接板的上端设有供胶座,供胶座内设有供胶腔,每个灌胶组件的上端均通过进胶管与供胶腔连通,所述供胶座的设有搅拌组件,供胶座的上端连接有总胶管。本实用新型具有结构紧凑稳定、灌胶均匀、灌胶效率高的有益效果。
  • 一种多头机构
  • [发明专利]一种考虑温度效应的薄膜体声波谐振器建模方法-CN202210440310.X在审
  • 吴秀山;崔佳明;徐霖;周晓伟;蔡建平;闫树斌;张国琴 - 浙江水利水电学院
  • 2022-04-25 - 2022-08-12 - G06F30/398
  • 本发明提供了一种考虑温度效应的薄膜体声波谐振器建模方法,建立薄膜体声波谐振器的仿真模型,薄膜体声波谐振器的仿真模型中设置有薄膜体声波谐振器,薄膜体声波谐振器器件的核心参数,根据声波理论与传输线理论推导出梅森模型等效电路,在梅森模型中需要对压电层与其他普通声学层包括上下电极层、温度补偿层等的声速vx与声阻抗Zx参数进行添加温度值,并将温度对谐振器的影响引入到一维仿真模型中,给出一种将温度参数值设置到膜层材料的纵波声速与声阻抗中的方法,从而使得在对薄膜体声波谐振器的建模和仿真过程中充分考虑环境温度的变化对谐振器的谐振频率、阻抗值、机电耦合系数等性能参数的影响进一步精确模型的仿真精度,从而提高器件的良品率。
  • 一种考虑温度效应薄膜声波谐振器建模方法
  • [发明专利]一种电路板测试工装-CN202011621386.X有效
  • 吴秀山;崔佳民;曾愉淇;蒋行舟;汤建晓;童雄伟;胡伟强;夏瑞良 - 浙江水利水电学院;国网浙江省电力有限公司龙游县供电公司
  • 2020-12-31 - 2022-05-17 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种电路板测试工装,涉及电路测试技术领域,包括底板,底板的后端固定设有滑杆,滑杆的上端之间固定有连接板,滑杆之间设有上滑块、下滑块,滑杆之间设有竖直的螺杆,螺杆的上端穿过连接板与连接板转动连接,螺杆穿过上滑块与上滑块螺纹连接,上滑块的前侧面设有下滑块下压装置,下滑块的前侧面固定有连接臂,连接臂的前端固定有用于电路板上引脚检测的检测组件,滑杆的下端与下滑块之间设有压簧,连接臂的顶面与凸轮的轮廓面抵接;本发明结构简单,操作方便,可以调节下滑块向下移动的距离,从而实现检测组件向下移动距离的控制,同时,检测完成之后,能够方便的将检测组件回复至初始位置,方便电路板的取装。
  • 一种电路板测试工装
  • [发明专利]一种腔体滤波器-CN202011497331.2有效
  • 吴秀山;闫树斌;徐霖;史浩然;徐代靖 - 浙江水利水电学院
  • 2020-12-17 - 2022-02-22 - H01P1/207
  • 本发明公开了一种腔体滤波器,包括腔体,所述腔体的一侧设置有多个安装腔室,并在每个安装腔室内安装有谐振杆,所述腔体在靠近多个安装腔室的顶部一侧密封覆盖有盖板,且所述盖板顶部固定安装有多做固定座,所述固定座的底部均固定连接有调节筒,且所述调节筒均贯穿盖板,并在盖板的底侧均连接有调谐杆,所述调谐杆分别与谐振杆一一对应。该种腔体滤波器,结构简单合理,设计新颖,操作简单,并有效解决了传统腔体滤波器装配调试机构的工作量大、难以实现微调、调试工作量大、耗费工时多、调试难度高、对调试人员要求高和制造成本高的技术问题,具有较高的普及使用价值。
  • 一种滤波器
  • [发明专利]一种快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法-CN202111324640.4在审
  • 吴秀山;徐霖;崔佳民;姚玮;彭涛;闫树斌;朱振宇 - 浙江水利水电学院
  • 2021-11-10 - 2022-02-15 - H03H3/02
  • 本发明公开了一种快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法,属于薄膜体声波谐振器技术领域。在基体硅上刻蚀出凹槽,在所述凹槽底部中形成第一牺牲层,在所述第一牺牲层上方和所述凹槽内壁形成第二牺牲层,在所述第二牺牲层中心形成第三牺牲层,然后在所述第三牺牲层上形成支撑层;再于所述支撑层上形成底电极,利用湿法腐蚀先去除所述第二牺牲层,再去除所述第一牺牲层和所述第三牺牲层,最后在所述底电极上形成压电层和顶电极,形成微声薄膜谐振器空腔结构;所述支撑层不能完全覆盖所述第二牺牲层。通过设计特定的三层牺牲层结构,然后利用湿法腐蚀先去除中间的牺牲层,增大腐蚀液与上下两层牺牲层的接触面积,达到快速形成空腔结构的目的。
  • 一种快速形成薄膜谐振器空腔结构方法
  • [发明专利]一种FBAR谐振器及其制备方法与应用-CN202110432354.3在审
  • 吴秀山;崔佳民;徐霖;姚玮;彭涛;闫树斌;朱振宇 - 浙江水利水电学院
  • 2021-04-21 - 2021-08-27 - H03H9/17
  • 本发明属于谐振器制备技术领域,公开了一种FBAR谐振器及其制备方法,所述FBAR谐振器的制备方法包括:锗薄膜制备;FBAR谐振器衬底的选择处理;在衬底沟槽内形成硅纳米线;在含硅纳米线的FBAR谐振器衬底上进行下电极形成;FBAR谐振器的制备。本发明提供的FBAR谐振器仅需要进行两层压电层的制备,制备方法简单,操作简便;将石墨作为单晶硅衬底和锗薄膜间的过渡层,可以消除硅和锗之间的晶格失配,减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降,从而降低锗薄膜的缺陷密度问题;通过磁控溅射法、化学气相沉积法进行石墨层和锗薄膜的制备,实现FBAR谐振器反射效果的增强的同时降低了成本。
  • 一种fbar谐振器及其制备方法应用

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